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初步
数据表
RJK03M2DPA
30V ， 45A ， 2.8mΩmax 。
N沟道功率MOS FET
高速电源开关
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
无铅
无卤
R07DS0766EJ0200
Rev.2.00
2013年2月12日
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DE -A
（包名称： WPAK （ 3F ） ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AS注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
45
180
45
18
32.4
40
3.13
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
R07DS0766EJ0200 Rev.2.00
2013年2月12日
第1页6
RJK03M2DPA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
2.3
2.8
110
2750
435
245
1.4
21.2
7.2
6.3
5.3
4.0
48.4
16
0.81
8.7
最大
—
± 0.5
1
2.5
2.8
3.7
—
3850
—
—
2.8
—
—
—
—
—
—
—
1.05
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 22.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 22.5 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 22.5 A，V
DS
= 5 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 45 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 22.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.44
RG = 4.7
I
F
= 45 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
-45 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 500 A /
s
R07DS0766EJ0200 Rev.2.00
2013年2月12日
第2 6
RJK03M2DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
10
μs
100
10
1
60
散热通道
0
μ
s
s
漏电流
m
40
10
PW = 10毫秒
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
D
C
O
20
pe
ra
TIO
n
0
50
100
150
200
TC = 25°C
0.1 1次脉冲
0.1
1
10
100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
4.5 V
10 V
脉冲测试
2.6 V
50
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
脉冲测试
I
D
(A)
30
2.5V
I
D
(A)
漏电流
40
40
30
漏电流
20
2.4 V
10
20
25°C
–25°C
0
1
2
3
4
5
10
TC = 75℃
V
GS
= 2.3 V
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
200
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
150
30
100
10
V
GS
= 4.5 V
3
10 V
1
1
I
D
= 20 A
50
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
3
10
30
100
300 1000
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R07DS0766EJ0200 Rev.2.00
2013年2月12日
第3页6
RJK03M2DPA
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
10000
3000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
西塞
电容C （PF ）
8
1000
科斯
300
100
30
10
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
CRSS
6
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
4
2
0
–25
10 V
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(
°
C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
V
GS
(V)
20
50
动态输入特性
V
DS
(V)
50
V
GS
16
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 45 A
脉冲测试
10 V
40
5V
40
V
DD
= 25 V
10 V
V
DS
漏源极电压
30
12
栅极至源极电压
30
20
8
20
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
20
40
60
80
4
10
0
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
50
雪崩能量E
AS
（兆焦耳）
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
R07DS0766EJ0200 Rev.2.00
2013年2月12日
第4 6
RJK03M2DPA
归瞬态热阻抗
与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
初步
D
=
1
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0
.
05
0
.
02
0
.
0
1
ho
u
tp
l
se
θch
–
C（ T）
=
γs
(t)
θch
–
c
θch
–
c
=
3.13°C/W,
TC =
25°C
P
DM
PW
T
D
=
PW
T
1s
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩
TEST
电路
E
AS
=
雪崩波形
1
2
L
I
AP
2
V
DSS
V
DSS
–
V
DD
V
（ BR ） DSS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
I
AP
V
DS
V
DD
I
D
Rg
D.
牛逼U.
VIN
15 V
50
Ω
0
V
DD
开关
测试时间
电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
=
10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关
时间
波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
90%
TD （关闭）
tf
tr
R07DS0766EJ0200 Rev.2.00
2013年2月12日
分页： 5 6
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