【初步数据表RJK03L2DNS硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管R07DS0779EJ0110】,IC型号RJK03L2DNS-00-J5,RJK03L2DNS-00-J5 PDF资料,RJK03L2DNS-00-J5经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK03L2DNS

硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管

R07DS0779EJ0110

电源开关

Rev.1.10

2012年5月30日

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 4.2 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

无铅

无卤

概要

瑞萨封装代码： PWSN0008JB -A

（包名称： HWSON - 8 ）

5 6 7 8

D D D D

5 6 7 8

4 3 2 1

1, 2, 3

来源

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

占空比

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

AP注2

AS注2

PCH

Note3

θch -C

Note3

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

±20

120

14.4

6.25

150

-55到+150

单位

° C / W

R07DS0779EJ0110 Rev.1.10

2012年5月30日

第1页6

RJK03L2DNS

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

4.2

5.2

2110

345

210

1.5

6.6

6.0

4.7

2.9

35.2

11.4

0.46

6.6

最大

—

±0.5

2.5

5.1

6.8

—

2955

—

3.0

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= ±20 V, V

= 0

= 24 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 15 A，V

= 4.5 V

Note4

= 15 A，V

= 5 V

Note4

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 4.5 V

= 30 A

= 10 V，I

= 15 A

10 V

= 0.67

RG = 4.7

= 2 A，V

= 0

Note4

= 30 A，V

= 0

/ DT = 500 A /

R07DS0779EJ0110 Rev.1.10

2012年5月30日

第2 6

RJK03L2DNS

初步

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

100

操作

这个区域是

TIO

限于由R

DS （ ON）

PW = 10毫秒

100

150

200

TC = 25℃

0.1

1次脉冲

0.1

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

4.5 V

2.9 V

10 V

典型的传输特性

= 5 V

脉冲测试

2.8 V

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2.7 V

2.6 V

2.5 V

= 2.4 V

TC = 75℃

25°C

–25°C

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

200

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

150

100

= 4.5 V

= 10 A

10 V

100

300 1000

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

R07DS0779EJ0110 Rev.1.10

2012年5月30日

第3页6

RJK03L2DNS

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

10000

3000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

= 2 A, 5 A, 10 A

= 4.5 V

西塞

1000

300

100

= 0

F = 1 MHz的

科斯

CRSS

–25

10 V

2 A, 5 A, 10 A

100 125 150

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

= 30 A

10 V

脉冲测试

= 25 V

10 V

= 0, –5 V

= 25 V

10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

雪崩能量E

（兆焦耳）

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

R07DS0779EJ0110 Rev.1.10

2012年5月30日

第4 6

RJK03L2DNS

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

初步

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.0

0.01

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

D. U.牛逼

MONITOR

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

R07DS0779EJ0110 Rev.1.10

2012年5月30日

分页： 5 6

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