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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第12页 > RJK03E4DPA-00-J53
初步
数据表
RJK03E4DPA
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
REJ03G1928-0210
电源开关
Rev.2.10
2010年5月20日
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.8 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 8 V)
无铅
无卤
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DC -A
（包名称： WPAK （ 2 ） ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
30
±12
45
180
45
17
28.9
40
3.13
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1928-0210 Rev.2.10
2010年5月20日
第1页6
RJK03E4DPA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
2.8
3.2
115
4300
500
330
1.7
33
11
10
18
8
66
17
0.39
29
最大
—
±0.1
1
2.5
3.4
4.0
—
6020
—
—
3.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
A
mA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 22.5A ，V
GS
= 8.0 V
Note4
I
D
= 22.5A ，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 22.5A ，V
DS
= 5 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 45 A
V
GS
= 8 V，I
D
= 22.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.44
RG = 4.7
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
-45 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
REJ03G1928-0210 Rev.2.10
2010年5月20日
第2 6
RJK03E4DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
60
100
1m
10
s
10
0
μ
s
μ
s
40
10
PW = 10毫秒
DC
Op
20
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25℃
1次脉冲
1
ERA
TIO
n
0
50
100
150
200
0.1
0.1
10
100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
4.5 V
8V
2.4 V
50
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
2.3 V
30
漏电流I
D
(A)
40
40
30
20
2.2 V
20
10
V
GS
= 2.1 V
10
25°C
TC = 75℃
–25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
200
脉冲测试
150
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
脉冲测试
30
100
10
50
I
D
= 20 A
10 A
5A
V
GS
= 4.5 V
3
8V
1
1
0
3
6
9
12
3
10
30
100
300 1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1928-0210 Rev.2.10
2010年5月20日
第3页6
RJK03E4DPA
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
10000
3000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
电容C （PF ）
8
西塞
1000
科斯
300
CRSS
100
30
10
0
6
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
8V
5 A, 10 A, 20 A
4
2
0
–25
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 45 A
10 V
40
5V
脉冲测试
40
V
GS
30
V
DS
16
12
V
DD
= 25 V
10 V
8
30
20
20
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
20
40
60
80
4
10
0
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
I
AP
= 17 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
REJ03G1928-0210 Rev.2.10
2010年5月20日
第4 6
RJK03E4DPA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
初步
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch -
C（ T） =
γs
(t)
θch -
c
θch -
C = 3.13 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
0.05
0.03
2
0.0
se
ul
1
p
0.0
ot
h
1s
100
μ
1m
10 m
D=
PW
T
0.01
10
μ
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
50
Ω
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
8V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
REJ03G1928-0210 Rev.2.10
2010年5月20日
分页： 5 6
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