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初步

数据表

RJK03E3DNS

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 9.0 m

（典型值）。（在V

GS

= 10 V)

无铅

无卤

REJ03G1905-0200

Rev.2.00

2010年4月6日

概要

瑞萨封装代码： PWSN0008JB -A

（包名称： HWSON - 8 ）

5 6 7 8

D D D D

5 6 7 8

4

G

4 3 2 1

1, 2, 3

来源

4

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

10

s,

占空比

1%

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

50

3， TC = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

AP注2

E

AR注2

PCH

Note3

θch -C

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

30

±20

14

56

14

6.5

4.23

10

12.5

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

° C / W

C

C

REJ03G1905-0200 Rev.2.00

2010年4月6日

第1页6

RJK03E3DNS

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

—

—

1.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

9.0

12.6

27

750

108

63

1.7

5.7

2.2

1.6

7.1

3.8

32

4.7

0.84

11

最大

—

±0.1

1

2.5

11.6

17.6

—

1050

—

—

3.4

—

—

—

—

—

—

—

1.1

—

单位

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 7 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 7 A，V

GS

= 4.5 V

Note4

I

D

= 7 A，V

DS

= 5 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 14 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7 A

V

DD

10 V

R

L

= 1.43

RG = 4.7

I

F

= 14 A，V

GS

= 0

Note4

I

F

= 14 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A /

s

REJ03G1905-0200 Rev.2.00

2010年4月6日

第2 6

RJK03E3DNS

初步

主要特点

功率与温度降额

20

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

15

漏电流I

D

(A)

1m

10

PW = 10毫秒

1

s

10

DC

Op

a

er

TIO

5

操作

这个区域是

0.1

限于由R

DS （ ON）

TC = 25℃

0.01

1次脉冲

0.1

1

n

0

50

100

150

200

10

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

4.5 V

2.9 V

10 V

20

典型的传输特性

V

DS

= 5 V

脉冲测试

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

12

2.5 V

8

漏电流I

D

(A)

16

2.7 V

16

12

8

4

4

TC = 75℃

25°C

–25°C

V

GS

= 2.3 V

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

400

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

30

脉冲测试

300

V

GS

= 4.5 V

200

10

10 V

100

I

D

= 10 A

5A

2A

3

0

4

8

12

16

20

1

1

3

10

30

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

REJ03G1905-0200 Rev.2.00

2010年4月6日

第3页6

RJK03E3DNS

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

50

脉冲测试

10000

3000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

40

1000

西塞

300

100

30

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

10

20

科斯

CRSS

30

I

D

= 2 A, 5 A, 10 A

20

V

GS

= 4.5 V

10

10 V

0

–25

0

25

50

2 A, 5 A, 10 A

75

100 125 150

10

0

30

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

50

V

GS

16

V

DD

= 25 V

10 V

30

V

DS

12

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

20

反向漏电流I

DR

(A)

I

D

= 14 A

10 V

16

5V

脉冲测试

40

12

20

8

8

V

GS

= 0, –5 V

10

V

DD

= 25 V

10 V

0

5

10

15

20

4

4

0

0

25

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

SD

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

5

4

3

2

1

0

25

50

75

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

REJ03G1905-0200 Rev.2.00

2010年4月6日

第4 6

RJK03E3DNS

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

初步

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.03

0.05

2

0.0

1

LSE

.0

pu

0

t

ho

1s

P

DM

PW

T

D=

PW

T

0.01

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

V

DS

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

E

AR

=

I

D

VIN

15 V

0

V

DD

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

Rg

R

L

V

DS

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

10%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

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2010年4月6日

分页： 5 6

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