初步
RJK03C1DPB
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
REJ03G1830-0310
电源开关
Rev.3.10
2009年9月29日
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.7 m
Ω
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
无卤
概要
瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A
（包名称： LFPAK ）
5 6 7 8
D D D D
5
4
4
G
3
12
1, 2, 3
4
5
来源
门
漏
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
Ω
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
60
240
60
28
78.4
65
1.92
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
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RJK03C1DPB
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
1.7
2.2
120
6000
1230
550
0.5
42
18
16
18
19
75
15
0.39
40
最大
—
±0.5
1
2.5
2.2
3.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
μA
mA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 30 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 30 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 30 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A,
V
DD
10 V ，R
L
= 0.33
Ω,
RG = 4.7
Ω
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 60 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
μs
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RJK03C1DPB
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
60
100
散热通道
1毫秒
漏电流
40
10
PW = 10毫秒
DC
a
er
Op
20
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
n
TIO
0
50
100
150
200
TC = 25°C
0.1 1次脉冲
0.1
1
10
100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
4.5 V
10 V
脉冲测试
2.8 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
60
2.6 V
I
D
(A)
漏电流
80
80
60
漏电流
40
2.4 V
40
25°C
TC = 75℃
–25°C
20
20
V
GS
= 2.2 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
200
脉冲测试
3
150
V
GS
= 4.5 V
10 V
100
1
50
I
D
= 20 A
10 A
5A
0.3
0
0.1
20
1
3
10
30
100
300 1000
4
8
12
16
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
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RJK03C1DPB
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
10000
3000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
西塞
电容C （PF ）
8
1000
科斯
300
100
30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
CRSS
6
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
2
10 V
0
–25
0
25
50
5 A, 10 A, 20 A
75
100 125 150
4
10
0
外壳温度
Tc
(
°
C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
V
DD
= 25 V
10 V
16
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 60 A
V
GS
(V)
50
20
100
脉冲测试
10 V
80
5V
40
漏源极电压
30
V
DS
20
12
栅极至源极电压
60
8
40
V
GS
= 0, –5V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
40
80
120
160
4
20
0
0
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
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第4 6
RJK03C1DPB
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
TC = 25°C
1
D=1
0.3
初步
0.5
0.2
0.1
0.1
0.03
0.05
2
0.0
LSE
01
吨PU
0.
o
h
1s
1m
10 m
P
DM
PW
T
100 m
1
D=
PW
T
0.01
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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