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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第147页 > RJK03C0DPA-00-J53
初步
RJK03C0DPA
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.5 m
Ω
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
无卤
REJ03G1822-0200
Rev.2.00
2009年9月29日
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DA -A
（包名称： WPAK ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
Ω
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
注2
评级
30
±20
70
280
70
35
122
65
1.93
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1822-0200 Rev.2.00 2009年9月29日
第1页6
RJK03C0DPA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
1.5
1.8
210
11000
1440
870
0.75
66
42
13.7
28
14.2
102
40
0.80
53
最大
—
± 0.5
1
2.5
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.04
—
单位
V
μA
μA
V
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 35 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 35 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.29
Ω
RG = 4.7
Ω
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
μs
REJ03G1822-0200 Rev.2.00 2009年9月29日
第2 6
RJK03C0DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
60
100
1
PW = 10毫秒
m
s
40
10
DC
at
er
Op
20
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25℃
1次脉冲
1
离子
0
50
100
150
200
0.1
0.1
10
100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
3.3 V
3.2 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
60
3.0 V
40
2.9 V
20
漏电流I
D
(A)
80
4.5 V
10 V
3.1 V
80
60
40
20
25°C
TC = 75℃
–25°C
V
GS
= 2.8 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
160
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
120
30
脉冲测试
80
10
40
I
D
= 20 A
10 A
5A
3
V
GS
= 4.5 V
1
1
10 V
3
10
30
100
300 1000
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1822-0200 Rev.2.00 2009年9月29日
第3页6
RJK03C0DPA
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
5
脉冲测试
100000
30000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
4
10000
3000
3
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
西塞
2
科斯
1000
CRSS
300
100
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
1
0
–25
10 V
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 70 A
10 V
80
5V
脉冲测试
40
V
GS
V
DS
V
DD
= 25 V
10 V
16
30
12
60
20
8
40
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
40
80
120
160
4
20
0
0
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
150
120
90
60
30
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
REJ03G1822-0200 Rev.2.00 2009年9月29日
第4 6
RJK03C0DPA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
初步
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.03
2
LSE
0.0
pu
1
0.0
热
1s
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.01
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
I
D
VIN
15 V
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
REJ03G1822-0200 Rev.2.00 2009年9月29日
分页： 5 6
初步
数据表
RJK03C0DPA
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 1.5 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
无卤
REJ03G1822-0210
Rev.2.10
2010年5月12日
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DC -A
（包名称： WPAK （ 2 ） ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
70
280
70
35
122
65
1.93
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1822-0210 Rev.2.10
2010年5月12日
第1页6
RJK03C0DPA
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
1.5
1.8
210
11000
1440
870
0.75
66
42
13.7
28
14.2
102
40
0.80
53
最大
—
± 0.5
1
2.5
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.04
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 35 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 35 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 35 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.29
RG = 4.7
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
REJ03G1822-0210 Rev.2.10
2010年5月12日
第2 6
RJK03C0DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
60
100
1
PW = 10毫秒
m
s
40
10
DC
at
er
Op
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25℃
1次脉冲
1
10
100
20
1
离子
0
50
100
150
200
0.1
0.1
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
3.3 V
3.2 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
60
3.0 V
40
2.9 V
20
漏电流I
D
(A)
80
4.5 V
10 V
3.1 V
80
60
40
20
25°C
TC = 75℃
–25°C
V
GS
= 2.8 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
160
脉冲测试
120
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
脉冲测试
30
80
10
40
I
D
= 20 A
10 A
5A
3
V
GS
= 4.5 V
1
1
10 V
3
10
30
100
300 1000
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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2010年5月12日
第3页6
RJK03C0DPA
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
5
脉冲测试
100000
30000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
电容C （PF ）
4
10000
3000
3
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
西塞
2
科斯
1000
CRSS
300
100
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
1
0
–25
10 V
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 70 A
10 V
80
5V
脉冲测试
40
V
GS
V
DS
V
DD
= 25 V
10 V
16
30
12
60
20
8
40
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
40
80
120
160
4
20
0
0
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
150
120
90
60
30
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
REJ03G1822-0210 Rev.2.10
2010年5月12日
第4 6
RJK03C0DPA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
初步
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.03
2
LSE
0.0
pu
1
0.0
热
1s
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.01
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
I
D
VIN
15 V
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
REJ03G1822-0210 Rev.2.10
2010年5月12日
分页： 5 6
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