RJK0351DSP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1721-0200
Rev.2.00
2008年7月10日
特点
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 4.0 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
无铅
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8<FP - 8DAV> ）
87
65
5 6 7 8
D D D D
3
12
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
Note1
评级
30
±20
20
160
20
17
28.9
2.5
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
E
AR
PCH
Note3
θch -A
Note3
总胆固醇
TSTG
注2
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
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RJK0351DSP
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
4.0
5.0
51
2560
470
180
17
6.3
3.7
8.6
4.6
52
6.6
0.77
25
最大
—
± 0.1
1
2.5
5.2
6.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.01
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 10 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 10 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DD
10 V
R
L
= 1.0
RG = 4.7
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
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主要特点
功率与温度降额
4.0
最高安全工作区
500
通道耗散P沟（W）的
I
D
(A)
3.0
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW
≤
10 s
10 s
100
PW
1m
10
漏电流
10
DC
=1
s
0
s
2.0
Op
ERA
t
0m
s
W
N
＆ LT ; 1
OTE
0s
5
)
离子
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
(P
1.0
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10 30 100
漏极至源极电压V
DS
(V)
注5：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的传输特性
50
4.5 V
10 V
脉冲测试
3.0 V
3.2 V
V
DS
= 10 V
脉冲测试
TA = 25℃
1次脉冲
0
50
100
150
200
环境温度Ta （C ）
典型的输出特性
50
I
D
(A)
30
I
D
(A)
漏电流
40
40
30
漏电流
20
V
GS
= 2.6 V
20
25°C
–25°C
10
10
TC = 75℃
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
200
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
100
脉冲测试
脉冲测试
150
30
100
10
V
GS
= 4.5 V
3
10 V
I
D
= 20 A
50
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
1
1
3
10
30
100
300 1000
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
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RJK0351DSP
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
10000
3000
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
8
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
西塞
1000
300
100
30
10
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
6
V
GS
= 4.5 V
科斯
CRSS
4
10 V
2
0
–25
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(
°
C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
V
GS
(V)
20
50
动态输入特性
V
DS
(V)
50
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 20 A
V
GS
16
V
DD
= 25 V
10 V
脉冲测试
10 V
40
5V
40
漏源极电压
30
V
DS
20
12
栅极至源极电压
30
8
20
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
20
40
60
80
4
10
0
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
I
AP
= 17 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
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归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
θch
- F（T） =
γs
（T ）×
θch
- f
θch
- F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）
e
ULS
PDM
PW
T
0.001
h
1s
p
ot
D=
PW
T
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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