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RJK0302DPB
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1340-0600
Rev.6.00
2006年4月19日
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.6 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A
（包名称： LFPAK ）
5
D
5
4
G
3
12
4
1, 2, 3
4
5
来源
门
漏
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
30
+16/-12
50
200
50
20
40
60
2.09
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.6.00 2006年4月19日第1页6
RJK0302DPB
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
—
—
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
2.6
3.5
95
4200
1380
210
0.7
28
12
6.0
11
4.0
54
5.5
0.84
40
最大
—
± 0.1
1
2.5
3.1
4.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.10
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= +16/–12 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 25 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A,
V
DD
10 V ，R
L
= 0.4
,
RG = 4.7
IF = 50 A，V
GS
= 0
Note4
IF = 50 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
Rev.6.00 2006年4月19日第2页6
RJK0302DPB
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
60
100
s
s
散热通道
漏电流
40
10
操作
1
限于由R
DS （ ON）
20
0
50
100
150
200
TC = 25°C
0.1 1次脉冲
0.1
1
10
100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
4.5 V
10 V
3.1 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
60
2.9 V
I
D
(A)
漏电流
80
80
60
漏电流
40
2.7 V
20
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
40
V
GS
= 2.5 V
20
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
200
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
脉冲测试
150
30
100
10
V
GS
= 4.5 V
3
10 V
1
1
3
10
30
100
300 1000
50
I
D
= 20 A
10 A
5A
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.6.00 2006年4月19日第3页6
RJK0302DPB
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
10
脉冲测试
10000
3000
西塞
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
8
1000
科斯
300
100
30
10
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
30
CRSS
6
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 4.5 V
4
2
0
–25
10 V
5 A, 10 A, 20 A
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
Tc
(
°
C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
V
GS
(V)
20
100
动态输入特性
V
DS
(V)
50
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 50 A
V
GS
V
DD
= 25 V
10 V
脉冲测试
10 V
80
5V
40
16
漏源极电压
30
V
DS
12
栅极至源极电压
60
20
8
40
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
4
20
0
0
20
40
60
80
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
I
AP
= 20 A
40
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
Rev.6.00 2006年4月19日第4 6
RJK0302DPB
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 2.09 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.05
0.03
2
0.0
LSE
1
吨PU
0.0
ho
1s
0.01
10
100
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
Rev.6.00 2006年4月19日第5 6
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