【初步数据表RJK0225DNS硅N沟道功率MOS FET电源开关特点非常高的速度开关能够4.5 V门】,IC型号RJK0225DNS,RJK0225DNS PDF资料,RJK0225DNS经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK0225DNS

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

特点

非常高的速度开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 5.9 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

无铅

无卤

R07DS0259EJ0110

Rev.1.10

2011年3月3日

概要

套餐名称： 8PIN HVSON （ 3333 ）

5 6 7 8

D D D D

5 6 7 8

4 3 2 1

1, 2, 3

来源

门

5，6， 7，8排水

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

占空比

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

AP注2

AR注2

PCH

Note3

θch -C

Note3

总胆固醇

TSTG

Note1

评级

+16, –12

120

40.5

4.17

150

-55到+150

单位

° C / W

R07DS0259EJ0110 Rev.1.10

2011年3月3日

第1页6

RJK0225DNS

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

5.9

7.4

1650

545

2.5

8.5

4.5

0.9

10.3

2.9

2.5

0.81

最大

—

±0.1

2.5

7.2

9.6

—

2310

—

4.0

—

1.06

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= +16,-12 V, V

= 0

= 20 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 15 A，V

= 10 V

Note4

= 15 A，V

= 4.5 V

Note4

= 15 A，V

= 5 V

Note4

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 4.5 V

= 30 A

= 10 V，I

= 15 A

10 V

= 0.67

RG = 4.7

= 30 A，V

= 0

Note4

= 30 A，V

= 0

/ DT = 100 A /

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2011年3月3日

第2 6

RJK0225DNS

初步

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

(A)

100

PW = 10毫秒

ERA

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

150

200

TC = 25℃

0.1

1次脉冲

0.1

离子

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

4.5 V

10 V

3.6 V

典型的传输特性

脉冲测试

漏电流I

(A)

3.2 V

漏电流I

(A)

= 5 V

脉冲测试

= 2.8 V

TC = 75℃

25°C

–25°C

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

200

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

150

100

= 4.5 V

10 V

= 10 A

100

300 1000

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

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第3页6

RJK0225DNS

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

= 2 A, 5 A, 10A

10000

3000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

= 0

F = 1 MHz的

电容C （PF ）

1000

300

100

西塞

= 4.5 V

2 A, 5 A, 10A

10 V

科斯

–25

CRSS

100 125 150

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

= 30 A

= 10 V

10 V

脉冲测试

= 0, –5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

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第4 6

RJK0225DNS

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

初步

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.0

0.01

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

D. U.牛逼

MONITOR

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 10 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

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分页： 5 6

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