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初步
数据表
RJK0212DPA
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
特点
非常高的速度开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 9 m
(典型值) 。 (在V
GS
= 10 V)
无铅
无卤
R07DS0219EJ0200
Rev.2.00
2010年12月7日
概要
瑞萨封装代码: PWSN0008DC -B
(包名称: WPAK ( 3 ) )
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
5,6, 7,8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C , RG
50
3, TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
25
+16,-12
25
100
25
15
28
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
R07DS0219EJ0200 Rev.2.00
2010年12月7日
第1页6
RJK0212DPA
初步
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注: 4.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
25
1.2
典型值
9
12
40
1030
340
14
1.5
5.4
2.8
0.6
8.5
2.6
34
2.9
0.83
28
最大
± 0.1
1
2.5
10.8
15.6
1440
2.5
1.08
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
GS
= +16,-12 V, V
DS
= 0
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 12.5 A,V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 12.5 A,V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 12.5 A,V
DS
= 5 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 12.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.8
RG = 4.7
IF = 25 A,V
GS
= 0
Note4
IF = 25 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
R07DS0219EJ0200 Rev.2.00
2010年12月7日
第2 6
RJK0212DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
40
1000
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
30
100
1
10
m
s
20
PW = 10毫秒
DC
Op
10
1
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
TC = 25℃
1次脉冲
1
er
at
离子
0
50
100
150
200
0.1
0.1
10
100
壳温度( ° C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
4.5 V
10 V
50
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
30
3.2 V
漏电流I
D
(A)
40
3.4 V
40
30
20
3.0 V
20
10
V
GS
= 2.8 V
10
25°C
TC = 75℃
–25°C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(毫伏)
240
脉冲测试
180
30
脉冲测试
V
GS
= 4.5 V
120
10
I
D
= 10 A
60
5A
2A
10 V
3
0
4
8
12
16
1
1
3
10
30
100
300 1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
R07DS0219EJ0200 Rev.2.00
2010年12月7日
第3页6
RJK0212DPA
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
30
脉冲测试
10000
3000
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
18
V
GS
= 4.5 V
12
10 V
2 A, 5 A, 10 A
初步
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C (PF )
24
1000
300
西塞
科斯
100
30
CRSS
10
0
6
0
–25
0
25
50
75
100 125 150
10
20
25
壳温度( ° C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
25
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 25 A
V
DD
= 10 V
V
GS
10 V
40
5V
脉冲测试
20
16
15
V
DS
12
30
10
8
20
V
GS
= 0, –5 V
5
4
10
0
0
4
8
12
16
0
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg ( NC )
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
(兆焦耳)
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch ( ° C)
R07DS0219EJ0200 Rev.2.00
2010年12月7日
第4 6
RJK0212DPA
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
初步
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
0.0
0.
02
ot
l
pu
se
P
DM
PW
T
0.1
0.03
0.01
1m
10 m
100 m
1
10
0.
D=
h
1s
PW
T
01
脉冲宽度PW (S )
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
( BR ) DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
I
D
VIN
15 V
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 10 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
R07DS0219EJ0200 Rev.2.00
2010年12月7日
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