RJJ0621DPP
P沟道功率MOS FET
高速开关
REJ03G1624-0200
Rev.2.00
2008年6月16日
特点
V
DSS
: –60 V
R
DS （ ON）
： 56毫欧（MAX）
I
D
: –25 A
导致安装型（ TO- 220FN ）
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AB -A
（包名称： TO- 220FN ）
3
1
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
2
应用
的DC-DC转换器，电机控制，电磁阀控制等。
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
1
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
AP
P
ch
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
–60
+10/–20
–25
–50
–25
35
3.57
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 100
H
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
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RJJ0621DPP
电气特性
（ TC = 25 ° C）
项
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
分钟。
–60
—
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
–1.7
45
65
1550
190
100
15
25
100
50
–0.9
马克斯。
—
–1
0.1
–0.1
–2.5
56
95
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
单位
V
A
A
A
V
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0 V
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +10 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -12.5 A，V
GS
= –10 V
I
D
= -12.5 A，V
GS
= –4.5 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= –30 V
I
D
= –12.5 A
V
GS
= –10 V
R
G
= 25
I
F
= -12.5 A，V
GS
= 0 V
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RJJ0621DPP
主要特点
功率与温度降额
50
–100
10
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
0
10
s
漏电流I
D
(A)
40
–10
PW
s
=
10
1
30
m
s
s
m
–1
DC
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TA = 25°C
1次脉冲
20
pe
O
t
ra
10
–0.1
io
n
0
50
100
150
200
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–50
–8 V
–7 V
–6 V
–5 V
–4 V
典型的传输特性
–30
V
DS
= –10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
–40
–10 V
–20
–30
–20
V
GS
= –3 V
–10
TC = 75℃
–10
脉冲测试
0
–1
–2
–3
–4
–5
0
0
25°C
–25°C
–3
–4
–5
–1
–2
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
vs.GATE至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
脉冲测试
TC = 25°C
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
150
1000
脉冲测试
TC = 25°C
100
I
D
= –25 A
100
V
GS
= –4.5 V
–10 V
50
–5 A
–12.5 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
10
–1
–10
–100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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RJJ0621DPP
漏极至源极导通电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
120
100
80
60
40
20
正向转移导纳| YFS | （ S）
V
GS
= –10 V
脉冲测试
I
D
= –25 A
100
TC = -25°C
10
25°C
75°C
–12.5 A
–5 A
1
0
–25
0.1
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0
25
50
75
100 125 150
–0.1
–1
–10
–100
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
体漏二极管Reverce恢复时间
1000
典型的电容比。
漏源极电压
1000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
Reverce恢复时间trr （ NS ）
100
电容C （PF ）
的di / dt = -100 A /
s
V
GS
= 0 V
TC = 25°C
100
科斯
10
10
CRSS
1
–1
–10
–100
1
–1
–10
–100
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
–10 V
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
I
D
= –25 A
–20
V
DD
= –60 V
–30 V
–10 V
–30 V
–4
开关时间t（ NS ）
100
TD （关闭）
tf
tr
TD （上）
–40
–8
V
DD
= –60 V
10
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
P
W
= 5
s,
税
≤
1%
R
G
= 25
–60
–12
–80
0
8
16
24
32
–16
40
1
–1
–10
–100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
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RJJ0621DPP
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–30
雪崩电流与外壳温度
–30
L = 100
H
反向漏电流I
DR
(A)
雪崩电流I
AP
(A)
脉冲测试
TC = 25°C
–25
–20
–15
–10
–5
0
–20
–5 V
–10 V
–10
V
GS
= 0, 5 V
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
25
50
75
100
125
150
175
源极到漏极电压V
SDF
(V)
壳温度（ ° C）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.01
1SHOT脉冲
0.02
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 3.57 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
25
D.U.T.
R
L
V
DD
= –30 V
VOUT
TD （上）
VOUT
MONITOR
VIN
开关时间波形
10%
90%
90%
10%
90%
10%
TD （关闭）
tf
VIN
–10 V
tr
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