【初步数据表RJH60F3DPK硅N沟道IGBT高速电源开关特点低集电极到发射极饱和电压VCE （ S】,IC型号RJH60F3DPK,RJH60F3DPK PDF资料,RJH60F3DPK经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第63页 > RJH60F3DPK

初步

数据表

RJH60F3DPK

硅N沟道IGBT

高速电源开关

特点

低集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

= 1.4 V （典型值）。（我

C

= 20 A，V

GE

= 15 V ， TA = 25 ° C）

内置快速恢复二极管在一个封装

沟槽栅和薄晶圆技术

高速开关

t

f

= 92纳秒（典型值）。（在我

C

= 30 A，V

CE

= 400 V, V

GE

= 15 V ， RG = 5

,

TA = 25 ° C，电感性负载）

R07DS0199EJ0200

Rev.2.00

2010年12月1日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

C

4

G

1.门

2.收集

3.辐射源

4.收集器（法兰）

E

1

2

3

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C）

项

集电极到发射极电压

门到发射极电压

集电极电流

TC = 25℃

TC = 100 C

集电极电流峰值

集电极到发射极二极管的正向电流峰值

集电极耗散

结到外壳热阻（ IGBT ）

结到外壳热阻（二极管）

通道温度

储存温度

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2. PW

5

s,

占空比

1%

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

C

集成电路（峰值）

Note1

i

DF

（峰值）

Note2

P

C

θJ -C

θJ -C

Tj

TSTG

评级

600

±30

40

20

80

80

178.5

0.7

2.0

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

W

° C / W

° C / W

°C

°C

R07DS0199EJ0200 Rev.2.00

2010年12月1日

第1页7

RJH60F3DPK

初步

电气特性

（ TJ = 25 ° C）

项

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

门到发射极截止电压

集电极到发射极饱和电压

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关时间

符号

I

CES

I

GES

V

GE （关闭）

V

CE （ SAT ）

资本投资者入境计划

卓越中心

CRES

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

ECF1

V

ECF2

t

rr

民

—

—

4

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

1.4

1.6

1260

73

21

44

96

65

92

1.6

1.8

140

最大

100

±1

8

1.82

—

—

—

—

—

—

—

—

2.1

—

—

单位

A

A

V

V

V

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

V

ns

测试条件

V

CE

= 600V, V

GE

= 0

V

GE

= ±30 V, V

CE

= 0

V

CE

= 10 V，I

C

= 1毫安

I

C

= 20 A，V

GE

= 15 V

Note3

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

Note3

V

CE

= 25 V

V

GE

= 0

F = 1 MHz的

I

C

= 20 A，阻性负载

V

CC

= 300 V

V

GE

= 15 V

Note3

RG = 5

I

F

= 20 A

Note3

I

F

= 40 A

Note3

I

F

= 20 A

di

F

/ DT = 100 A / μs的

C- ê二极管正向电压

C- ê二极管的反向恢复时间

注： 3.脉冲测试

R07DS0199EJ0200 Rev.2.00

2010年12月1日

第2 7

RJH60F3DPK

初步

主要特点

最高安全工作区

1000

80

典型的输出特性

TA = 25

°

C

脉冲测试

60

12 V

15 V

9.5 V

10.5 V

11 V

10 V

集电极电流I

C

(A)

100

10

0

μ

s

PW

=1

0

μ

s

10

集电极电流I

C

(A)

40

1

0.1

TC = 25°C

单脉冲

20

9V

V

GE

= 8.5 V

0.01

1

0

10

100

1000

0

1

2

3

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的传输特性

80

集电极到发射极饱和电压

主场迎战门到发射极电压（典型值）

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

3.4

3.0

2.6

2.2

1.8

1.4

1.0

8

10

12

14

16

18

20

I

C

= 40 A

20 A

15 A

TA = 25

°

C

脉冲测试

集电极电流I

C

(A)

脉冲TestV

V

CE

= 10

TA = 25

°

C

脉冲测试

60

40

TC = 75℃

25°C

20

–25°C

0

2

4

6

8

10

12

门到发射极电压V

GE

(V)

集电极到发射极饱和电压

- 结北部沿海地区（典型值）

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

2.2

V

GE

= 15 V

脉冲测试

I

C

= 40 A

门到发射极电压V

GE

(V)

门到发射极截止电压

- 结北部沿海地区（典型值）

10

I

C

= 10毫安

2.0

门到发射极截止电压V

GE （关闭）

(V)

8

1.8

6

1毫安

4

1.6

20 A

15 A

1.4

1.2

25

2

V

CE

= 10 V

脉冲测试

0

25

0

25

50

75

100 125 150

0

25

50

75

100 125 150

北部沿海地区交界TJ （

°

C)

北部沿海地区交界TJ （

°

C)

R07DS0199EJ0200 Rev.2.00

2010年12月1日

第3页7

RJH60F3DPK

初步

典型的电容比。

集电极到发射极电压

10000

V

GE

= 0 V

TA = 25

°

C

脉冲测试

资本投资者入境计划

1000

正向电流与正向电压（典型值）

100

正向电流I

F

(A)

60

电容C （PF ）

80

100

卓越中心

10

V

GE

= 0 V

F = 1兆赫的Ta = 25

°

C

1

CRES

40

20

0

0

1

2

3

4

5

0

50

100

150

200

250

300

C- ê二极管的正向电压V

持续进修基金

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

动态输入特性（典型）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

800

V

CE

V

CC

= 600 V

300 V

V

GE

I

C

= 20 A

TA = 25

°

C

16

1000

开关特性（典型值）（ 1 ）

V

CC

= 300 V, V

GE

= 15 V

RG = 5

Ω,

TA = 25

°

C，阻性负载

tf

100

TD （关闭）

600

12

400

8

开关时间t（ NS ）

10

TD （上）

tr

200

V

CC

= 600 V

300 V

0

0

12

24

32

48

4

0

60

1

1

10

100

栅极电荷Qg （ NC ）

集电极电流I

C

(A)

开关特性（典型值）（ 2 ）

1000

I

C

= 20 A，V

GE

= 15 V

R

L

= 15

Ω,

TA = 25

°

C

阻性负载

开关特性（典型值）（ 3 ）

1000

I

C

= 20 A，V

GE

= 15 V

R

L

= 15

Ω,

RG = 5

Ω

阻性负载

开关时间t（ NS ）

开关时间t（ NS ）

100

tf

TD （关闭）

tf

100

TD （关闭）

tr

TD （上）

10

tr

10

1

TD （上）

10

100

0

25

50

75

100

125

150

栅极电阻RG （ Ω ）

壳温度（ ° C）

R07DS0199EJ0200 Rev.2.00

2010年12月1日

第4 7

RJH60F3DPK

开关特性（典型值）（ 1 ）

1000

V

CC

= 400 V, V

GE

= 15 V

RG = 5

Ω,

TJ = 150

°

C

TR包括二极管恢复

tf

100

TD （关闭）

tr

TD （上）

初步

开关特性（典型值）（ 2 ）

100000

具有结构转换的能量损失E（ μJ ）

开关时间t （ NS ）

10000

V

CC

= 400 V, V

GE

= 15 V

RG = 5

Ω,

TJ = 150

°

C

EON包括二极管恢复

1000

EOFF

100

宙

10

10

1

10

100

1

10

100

集电极电流I

C

(A)

（感性负载）

开关特性（典型值）（ 3 ）

240

集电极电流I

C

(A)

（感性负载）

开关特性（典型值）（ 4 ）

1600

开关时间t （ NS ）

200

160

120

80

40

0

0

具有结构转换的能量损失E（ μJ ）

V

CC

= 400 V, V

GE

= 15 V

I

C

= 30 A， RG = 5

Ω

TR包括二极管恢复

1200

EOFF

800

宙

tr

tf

TD （关闭）

TD （上）

25

50

75

100

125

150

400

V

CC

= 400 V, V

GE

= 15 V

I

C

= 30 A， RG = 5

Ω

EON包括二极管恢复

0

25

50

75

100

125

150

0

结温Tj （ ° C）

（感性负载）

结温Tj （ ° C）

（感性负载）

R07DS0199EJ0200 Rev.2.00

2010年12月1日

第5页第7

查看更多RJH60F3DPKPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

RJH60F3DPK

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

RJH60F3DPK

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004390991 复制

点击这里给我发消息

QQ：3004390992 复制

点击这里给我发消息

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

RJH60F3DPK

RENESAS

25+

4500

TO-247

原装正品特价销售

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

RJH60F3DPK

RENESAS/瑞萨

22+

32570

TO-247

全新原装正品/质量有保证

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

RJH60F3DPK

RENESAS/瑞萨

22+

32570

TO-247

全新原装正品/质量有保证

查询更多RJH60F3DPK供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！