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> RJH60F0DPQ-A0
初步数据表
RJH60F0DPQ-A0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
低集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
= 1.4 V (典型值) 。 (在我
C
= 25 A,V
GE
= 15 V , TA = 25 ° C)
内置快速恢复二极管在一个封装
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 90纳秒(典型值) 。 (在我
C
= 30 A,V
CC
= 400 V, V
GE
= 15 V , RG = 5
Ω,
TA = 25 ° C,电感性负载)
R07DS0324EJ0100
Rev.1.00
2011年4月6日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003ZH -A
(包名称: TO- 247A )
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
E
1 2
3
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25℃
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2. PW
≤
5
μs,
占空比
≤
1%
符号
V
CES
V
GES
I
注1
I
注1
集成电路(峰值)
Note1
i
DF
(峰值)
Note2
P
C
θJ -C
Tj
TSTG
评级
600
±30
50
25
100
100
201.6
0.62
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0324EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
第1页7
RJH60F0DPQ-A0
初步
电气特性
( TJ = 25 ° C)
项
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
ECF1
V
ECF2
t
rr
民
—
—
4
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
1.4
1.7
1550
82
26
46
92
70
90
1.2
1.5
90
最大
100
±1
8
1.82
—
2.1
—
—
单位
μA
μA
V
V
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
ns
测试条件
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
V
GE
= ±30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
I
C
= 25 A,V
GE
= 15V
Note3
I
C
= 50 A,V
GE
= 15V
Note3
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
I
C
= 30 A,
V
CE
= 400 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω
Note3
感性负载
I
F
= 20 A
I
F
= 40 A
Note3
Note3
C- ê二极管正向电压
C- ê二极管正向电压
C- ê二极管的反向恢复时间
注: 3.脉冲测试
I
F
= 20 A
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0324EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
第2 7
RJH60F0DPQ-A0
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
100
典型的输出特性
TA = 25
°
C
脉冲测试
80
13 V
15 V
60
9.5 V
40
9V
20
V
GE
= 8.5 V
0
0
1
2
3
4
5
10.5 V
11 V
10 V
100
PW
10
μ
s
10
1
0.1
TA = 25°C
1次射门
1
10
100
1000
0.01
0.1
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
100
脉冲TestV
V
CE
= 10
TA = 25
°
C
脉冲测试
80
μ
00
=1
s
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压(典型值)
5
TA = 25
°
C
脉冲测试
4
I
C
= 15 A
25 A
50 A
集电极电流I
C
(A)
60
TC = 75℃
25°C
20
–25°C
0
0
2
4
6
8
10
12
3
40
2
1
6
8
10
12
14
16
18
20
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极到发射极饱和电压
- 结北部沿海地区(典型值)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
25
25 A
15 A
I
C
= 50 A
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极截止电压
- 结北部沿海地区(典型值)
10
I
C
= 10毫安
门到发射极截止电压V
GE (关闭)
(V)
8
6
1毫安
4
2
V
CE
= 10 V
脉冲测试
0
25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
= 15 V
脉冲测试
0
25
50
75
100 125 150
北部沿海地区交界TJ (
°
C)
北部沿海地区交界TJ (
°
C)
R07DS0324EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
第3页7
RJH60F0DPQ-A0
初步
典型的电容比。
集电极到发射极电压
10000
资本投资者入境计划
正向电流与正向电压(典型值)
100
二极管的正向电流I
F
(A)
电容C (PF )
80
1000
60
100
卓越中心
10
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
TA = 25
°
C
0
50
100
150
200
250
300
CRES
40
V
GE
= 0 V
TA = 25
°
C
脉冲测试
0
1
2
3
4
20
0
1
C- ê二极管的正向电压V
持续进修基金
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
动态输入特性(典型)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
I
C
= 25 A
TA = 25
°
C
V
CE
= 600 V
300 V
600
V
CE
12
400
8
200
V
CE
= 600 V
300 V
0
0
20
40
60
4
0
80
栅极电荷Qg ( NC )
R07DS0324EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
门到发射极电压V
GE
(V)
800
V
GE
16
第4 7
RJH60F0DPQ-A0
开关特性(典型值) ( 1 )
1000
V
CC
= 400 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TJ = 150
°
C
TR包括二极管恢复
tf
100
TD (关闭)
tr
TD (上)
初步
开关特性(典型值) ( 2 )
100000
具有结构转换的能量损失E( μJ )
开关时间t ( NS )
10000
V
CC
= 400 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TJ = 150
°
C
EON包括二极管恢复
1000
EOFF
100
宙
10
10
1
10
100
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
(感性负载)
开关特性(典型值) ( 3 )
200
集电极电流I
C
(A)
(感性负载)
开关特性(典型值) ( 4 )
1600
160
具有结构转换的能量损失E( μJ )
开关时间t ( NS )
V
CC
= 400 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, RG = 5
Ω
TR包括二极管恢复
1200
EOFF
800
宙
400
V
CC
= 400 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A, RG = 5
Ω
EON包括二极管恢复
0
0
25
50
75
100
125
150
120
tr
tf
TD (关闭)
40
TD (上)
80
0
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj ( ° C)
(感性负载)
结温Tj ( ° C)
(感性负载)
R07DS0324EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
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RN5RZ55B
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RT9172F-24CT
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