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初步
数据表
RJH60D7ADPK
600 V - 50 A - IGBT
应用:变频器
特点
短路耐受时间( 5
s
TYP 。 )
低集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
= 1.6 V (典型值) 。 (在我
C
= 50 A,V
GE
= 15 V , TA = 25 ° C)
内置快速恢复二极管( 100纳秒TYP。)在一个封装
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 50ns的典型值。 (在V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V,I
C
= 50 A, RG = 5
,
TA = 25 ° C,电感性负载)
R07DS0547EJ0100
Rev.1.00
2011年9月28日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZE -A
(包名称: TO- 3P )
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集器(法兰)
E
1
2
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极到发射极电压/二极管的反向电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻( IGBT )
结到外壳热阻(二极管)
结温
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
集成电路(峰值)
Note1
i
DF
i
DF
(峰值)
Note1
P
注2
θJ -C
Note2
θJ -CD
Note2
Tj
TSTG
评级
600
±30
90
50
200
50
200
300
0.42
2.1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
R07DS0547EJ0100 Rev.1.00
2011年9月28日
第1页7
RJH60D7ADPK
初步
电气特性
( TA = 25°C )
零栅极电压集电极电流
/二极管反向电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和电压
输入电容
输出电容
尊传输电容
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
开关时间
符号
I
CES
/ I
R
I
GES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
Qg
QGE
QGC
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
sc
V
F
t
rr
4.0
3.0
典型值
1.6
1.8
3150
180
95
142
25
51
60
45
190
50
5.0
1.4
100
最大
5
±1
6.0
2.2
2.0
单位
A
A
V
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
s
V
ns
测试条件
V
CE
= 600 V, V
GE
= 0
V
GE
= ±30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 50 A,V
GE
= 15 V
Note3
I
C
= 90 A,V
GE
= 15 V
Note3
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0
F = 1 MHz的
V
GE
= 15 V
V
CE
= 300 V
I
C
= 50 A
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A
RG = 5
(感性负载)
V
CC
360 V, V
GE
= 15 V
I
F
= 50 A
Note3
I
F
= 50 A
DIF / DT = 100 A / μs的
短路承受时间
FRD的正向电压
FRD的反向恢复时间
注: 3.脉冲测试
R07DS0547EJ0100 Rev.1.00
2011年9月28日
第2 7
RJH60D7ADPK
初步
主要特点
集电极耗散VS.
外壳温度
400
120
最大直流电集电极电流 -
外壳温度
集电极耗散PC( W)
300
集电极电流I
C
(A)
100
80
60
40
20
0
200
100
0
0
25
50
75
100 125 150 175
0
25
50
75
100 125 150 175
壳温度( ° C)
壳温度( ° C)
最高安全工作区
1000
250
关断SOA
集电极电流I
C
(A)
100
PW
10
0
μ
s
集电极电流I
C
(A)
=
200
10
μ
s
150
10
100
1
TC = 25°C
单脉冲
50
0.1
1
0
10
100
1000
0
200
400
600
800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
200
脉冲测试
TA = 25
°
C
11 V
12 V
13 V
15 V
200
10.5 V
10 V
9.5 V
9V
8.5 V
8V
40
V
GE
= 7.5 V
典型的输出特性
脉冲测试
TA = 150
°
C
12 V
13 V
15 V
11 V
10.5 V
10 V
9.5 V
9V
80
8.5 V
8V
40
7.5 V
V
GE
= 7 V
集电极电流I
C
(A)
160
集电极电流I
C
(A)
5
160
120
120
80
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
R07DS0547EJ0100 Rev.1.00
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第3页7
RJH60D7ADPK
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压(典型值)
初步
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压(典型值)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
5
TA = 25
°
C
脉冲测试
4
I
C
= 50 A
90 A
2
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
5
TA = 150
°
C
脉冲测试
4
I
C
= 50 A
90 A
2
3
3
1
1
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
典型的传输特性
200
二极管的正向特性(典型)
200
集电极电流I
C
(A)
160
正向电流I
F
(A)
TA = 25°C
150°C
160
TA = 25
°
C
150
°
C
120
120
80
80
40
V
CE
= 10 V
脉冲测试
0
0
4
8
12
16
40
V
CE
= 0 V
脉冲测试
0
0
1
2
3
4
门到发射极电压V
GE
(V)
转发Voltege V
F
(V)
R07DS0547EJ0100 Rev.1.00
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第4 7
RJH60D7ADPK
开关特性(典型值) ( 1 )
1000
初步
开关特性(典型值) ( 2 )
100000
具有结构转换的能量损失E( μJ )
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25
°
C
开关时间t ( NS )
100
TD (关闭)
tf
TD (上)
10000
E(上)
1000
E( OFF)
100
10
tr
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25
°
C
1
10
100
1
10
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
(感性负载)
开关特性(典型值) ( 3 )
10000
集电极电流I
C
(A)
(感性负载)
开关特性(典型值) ( 4 )
10000
具有结构转换的能量损失E( μJ )
开关时间t ( NS )
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, TA = 25
°
C
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 50 A, TA = 25
°
C
1000
TD (关闭)
tf
100
tr
TD (上)
10
1
10
100
E(上)
1000
E( OFF)
100
1
10
100
栅极Registance RG( Ω )
(感性负载)
栅极Registance RG( Ω )
(感性负载)
R07DS0547EJ0100 Rev.1.00
2011年9月28日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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