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初步
数据表
RJH30H2DPK-M0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
沟槽栅和薄晶圆技术( G6H - II系列)
低集电极到发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1.4 V典型值
高速开关:吨
r
= 100纳秒(典型值) ,T
f
= 180纳秒(典型值)
低漏电流:I
CES
= 1
A
最大
内置的快速恢复二极管: V
F
= 1.4 V (典型值) ,T
rr
= 23纳秒(典型值)
R07DS0464EJ0200
Rev.2.00
2011年6月15日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004ZH -A
(包名称: TO- 3PSG )
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集器(法兰)
E
1
2
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2. TC = 25℃
符号
V
CES
V
GES
Ic
集成电路(峰值)
Note1
i
DF
(峰值)
Note1
Note2
P
C
θJ -C
Tj
TSTG
评级
360
±30
35
250
100
60
2.08
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0464EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第1页6
RJH30H2DPK-M0
初步
电气特性
( TA = 25°C )
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和电压
输入电容
输出电容
尊传输电容
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
开关时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
Qg
QGE
QGC
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
F
t
rr
2.5
典型值
1.4
1200
80
30
37
6
10
0.02
0.1
0.06
0.18
1.4
23
最大
1
±100
5
1.9
1.7
单位
A
nA
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
s
s
s
V
ns
测试条件
V
CE
= 360 V, V
GE
= 0
V
GE
= ± 30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 35 A,V
GE
= 15 V
Note3
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0
F = 1 MHz的
V
GE
= 15 V
V
CE
= 150 V
I
C
= 35 A
I
C
= 35 A
R
L
= 4.5
V
GE
= 15 V
R
G
= 5
I
F
= 20 A
Note3
I
F
= 20 A
di
F
/ DT = 100 A / μs的
FRD的正向电压
FRD的反向恢复时间
注: 3.脉冲测试。
R07DS0464EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第2 6
RJH30H2DPK-M0
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
100
典型的输出特性( 1)
TA = 25
°
C
脉冲测试
8V
10 V
15 V
7V
6.5 V
100
PW
=
μ
s
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
10
80
10
60
6V
0
10
μ
s
1
40
5.5 V
0.1
TA = 25
°
C
1次脉冲
0.01
0.1
1
10
100
1000
20
0
0
1
2
3
V
GE
= 5 V
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性( 2)
200
10 V
9V
8V
50
典型的传输特性
V
CE
= 10 V
脉冲测试
40
TC = 75℃
25°C
–25°C
集电极电流I
C
(A)
160
15 V
7V
TA = 25
°
C
脉冲测试
120
集电极电流I
C
(A)
10
12 V
30
80
6V
20
40
10
0
V
GE
= 5 V
0
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压(典型值)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
5
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流(典型值)
10
V
GE
= 15 V
脉冲测试
4
I
C
= 35 A
80 A
120 A
3
TC = -25°C
1
25°C
75°C
2
1
脉冲测试
TA = 25
°
C
0
0
4
8
12
16
20
0.1
1
10
100
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极电流I
C
(A)
R07DS0464EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第3页6
RJH30H2DPK-M0
典型的电容比。
Colloctor到发射极电压
10000
V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
TA = 25°C
初步
动态输入特性(典型)
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
电容C (PF )
资本投资者入境计划
1000
300
V
CC
= 150 V
I
C
= 35 A
TA = 25°C
V
GE
12
200
8
100
卓越中心
CRES
10
0
20
40
60
80
100
100
V
CE
0
0
8
16
24
32
4
0
40
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
栅极电荷Qg ( NC )
开关特性(典型值) ( 1 )
1000
V
CC
= 150 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25°C
开关特性(典型值) ( 2 )
1000
I
C
= 35 A,V
GE
= 15 V
R
L
= 4.5
Ω,
TA = 25°C
开关时间t( NS )
开关时间t( NS )
tf
100
TD (关闭)
tr
TD (上)
10
1
10
100
tf
100
tr
TD (关闭)
TD (上)
10
1
10
100
Colloctor电流I
C
(A)
栅极电阻RG ( Ω )
开关特性(典型值) ( 3 )
1000
I
C
= 35 A,V
GE
= 15 V
R
L
= 4.5
Ω,
RG = 5
Ω
开关时间t( NS )
tf
tr
TD (关闭)
100
TD (上)
10
0
25
50
75
100
125
150
壳温度( ° C)
R07DS0464EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第4 6
门到发射极电压V
GE
(V)
400
16
RJH30H2DPK-M0
集电极到发射极二极管的正向电压 -
二极管的正向电流
100
初步
二极管的正向电流I
F
(A)
脉冲测试
TA = 25°C
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极二极管
正向电压V
ECF
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
tp
ul
0.03
se
1
0.0
PDM
PW
T
D=
PW
T
0.01
1m
10 m
100 m
1
1s
ho
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
IC监控
R
L
输入电压监视器
VIN
10%
波形
90%
90%
90%
Rg
VIN = 15 V
D.U.T.
V
CC
Ic
TD (上)
10%
tr
10%
TD (关闭)
花花公子
tf
R07DS0464EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
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联系人:刘经理
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