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初步

数据表

RJH30H2DPK-M0

硅N沟道IGBT

高速电源开关

特点

沟槽栅和薄晶圆技术（ G6H - II系列）

低集电极到发射极饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 1.4 V典型值

高速开关：吨

r

= 100纳秒（典型值），T

f

= 180纳秒（典型值）

低漏电流：I

CES

= 1

A

最大

内置的快速恢复二极管： V

F

= 1.4 V （典型值），T

rr

= 23纳秒（典型值）

R07DS0464EJ0200

Rev.2.00

2011年6月15日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A

（包名称： TO- 3PSG ）

C

4

G

1.门

2.收集

3.辐射源

4.收集器（法兰）

E

1

2

3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极电压

门到发射极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极到发射极二极管的正向电流峰值

集电极耗散

结到外壳热阻

结温

储存温度

注意事项： 1， PW

10

s,

占空比

1%

2. TC = 25℃

符号

V

CES

V

GES

Ic

集成电路（峰值）

Note1

i

DF

（峰值）

Note1

Note2

P

C

θJ -C

Tj

TSTG

评级

360

±30

35

250

100

60

2.08

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

° C / W

°C

°C

R07DS0464EJ0200 Rev.2.00

2011年6月15日

第1页6

RJH30H2DPK-M0

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

门到发射极截止电压

集电极到发射极饱和电压

输入电容

输出电容

尊传输电容

总栅极电荷

门极 - 发射极充

门到集充电

开关时间

符号

I

CES

I

GES

V

GE （关闭）

V

CE （ SAT ）

资本投资者入境计划

卓越中心

CRES

Qg

QGE

QGC

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

F

t

rr

民

—

—

2.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

1.4

1200

80

30

37

6

10

0.02

0.1

0.06

0.18

1.4

23

最大

1

±100

5

1.9

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.7

—

单位

A

nA

V

V

pF

pF

pF

nC

nC

nC

s

s

s

s

V

ns

测试条件

V

CE

= 360 V, V

GE

= 0

V

GE

= ± 30 V, V

CE

= 0

V

CE

= 10 V，I

C

= 1毫安

I

C

= 35 A，V

GE

= 15 V

Note3

V

CE

= 25 V

V

GE

= 0

F = 1 MHz的

V

GE

= 15 V

V

CE

= 150 V

I

C

= 35 A

I

C

= 35 A

R

L

= 4.5

V

GE

= 15 V

R

G

= 5

I

F

= 20 A

Note3

I

F

= 20 A

di

F

/ DT = 100 A / μs的

FRD的正向电压

FRD的反向恢复时间

注： 3.脉冲测试。

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2011年6月15日

第2 6

RJH30H2DPK-M0

初步

主要特点

最高安全工作区

1000

100

典型的输出特性（ 1）

TA = 25

°

C

脉冲测试

8V

10 V

15 V

7V

6.5 V

100

PW

=

μ

s

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

10

80

10

60

6V

0

10

μ

s

1

40

5.5 V

0.1

TA = 25

°

C

1次脉冲

0.01

0.1

1

10

100

1000

20

0

0

1

2

3

V

GE

= 5 V

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的输出特性（ 2）

200

10 V

9V

8V

50

典型的传输特性

V

CE

= 10 V

脉冲测试

40

TC = 75℃

25°C

–25°C

集电极电流I

C

(A)

160

15 V

7V

TA = 25

°

C

脉冲测试

120

集电极电流I

C

(A)

10

12 V

30

80

6V

20

40

10

0

V

GE

= 5 V

0

0

2

4

6

8

0

2

4

6

8

10

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

集电极到发射极饱和电压

主场迎战门到发射极电压（典型值）

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

5

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流（典型值）

10

V

GE

= 15 V

脉冲测试

4

I

C

= 35 A

80 A

120 A

3

TC = -25°C

1

25°C

75°C

2

1

脉冲测试

TA = 25

°

C

0

0

4

8

12

16

20

0.1

1

10

100

门到发射极电压V

GE

(V)

集电极电流I

C

(A)

R07DS0464EJ0200 Rev.2.00

2011年6月15日

第3页6

RJH30H2DPK-M0

典型的电容比。

Colloctor到发射极电压

10000

V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

TA = 25°C

初步

动态输入特性（典型）

Colloctor到发射极电压V

CE

(V)

电容C （PF ）

资本投资者入境计划

1000

300

V

CC

= 150 V

I

C

= 35 A

TA = 25°C

V

GE

12

200

8

100

卓越中心

CRES

10

0

20

40

60

80

100

100

V

CE

0

0

8

16

24

32

4

0

40

Colloctor到发射极电压V

CE

(V)

栅极电荷Qg （ NC ）

开关特性（典型值）（ 1 ）

1000

V

CC

= 150 V, V

GE

= 15 V

RG = 5

Ω,

TA = 25°C

开关特性（典型值）（ 2 ）

1000

I

C

= 35 A，V

GE

= 15 V

R

L

= 4.5

Ω,

TA = 25°C

开关时间t（ NS ）

开关时间t（ NS ）

tf

100

TD （关闭）

tr

TD （上）

10

1

10

100

tf

100

tr

TD （关闭）

TD （上）

10

1

10

100

Colloctor电流I

C

(A)

栅极电阻RG （ Ω ）

开关特性（典型值）（ 3 ）

1000

I

C

= 35 A，V

GE

= 15 V

R

L

= 4.5

Ω,

RG = 5

Ω

开关时间t（ NS ）

tf

tr

TD （关闭）

100

TD （上）

10

0

25

50

75

100

125

150

壳温度（ ° C）

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2011年6月15日

第4 6

门到发射极电压V

GE

(V)

400

16

RJH30H2DPK-M0

集电极到发射极二极管的正向电压 -

二极管的正向电流

100

初步

二极管的正向电流I

F

(A)

脉冲测试

TA = 25°C

80

60

40

20

0

0

1

2

3

4

5

集电极到发射极二极管

正向电压V

ECF

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

tp

ul

0.03

se

1

0.0

PDM

PW

T

D=

PW

T

0.01

1m

10 m

100 m

1

1s

ho

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

IC监控

R

L

输入电压监视器

VIN

10%

波形

90%

90%

90%

Rg

VIN = 15 V

D.U.T.

V

CC

Ic

TD （上）

吨

10%

tr

10%

TD （关闭）

花花公子

tf

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2011年6月15日

分页： 5 6

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