初步
数据表
RJH30H1DPP-M0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
沟槽栅和薄晶圆技术( G6H - II系列)
高速开关: TR = 80纳秒(典型值) , TF = 150纳秒(典型值) 。
低集电极到发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1.5 V (典型值) 。
低漏电流:I
CES
= 1
A
马克斯。
内置的快速恢复二极管: V
F
= 1.4 V (典型值) ,T
rr
= 23纳秒(典型值) 。
隔离封装形式:TO - 220FL
R07DS0463EJ0200
Rev.2.00
2011年6月15日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AF -A
(包名称: TO- 220FL )
C
G
1.门
2.收集
3.辐射源
1
2 3
E
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2. TC = 25℃
符号
V
CES
V
GES
I
C
集成电路(峰值)
Note1
i
DF
(峰值)
Note1
P
注2
θJ -C
Tj
TSTG
评级
360
±30
30
200
100
20
6.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
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