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初步
数据表
RJH30H1DPP-M0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
沟槽栅和薄晶圆技术( G6H - II系列)
高速开关: TR = 80纳秒(典型值) , TF = 150纳秒(典型值) 。
低集电极到发射极饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1.5 V (典型值) 。
低漏电流:I
CES
= 1
A
马克斯。
内置的快速恢复二极管: V
F
= 1.4 V (典型值) ,T
rr
= 23纳秒(典型值) 。
隔离封装形式:TO - 220FL
R07DS0463EJ0200
Rev.2.00
2011年6月15日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AF -A
(包名称: TO- 220FL )
C
G
1.门
2.收集
3.辐射源
1
2 3
E
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2. TC = 25℃
符号
V
CES
V
GES
I
C
集成电路(峰值)
Note1
i
DF
(峰值)
Note1
P
注2
θJ -C
Tj
TSTG
评级
360
±30
30
200
100
20
6.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第1页6
RJH30H1DPP-M0
初步
电气特性
( TJ = 25 ° C)
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
尊传输电容
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
开关时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE (关闭)
V
CE ( SAT )
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
Qg
QGE
QGC
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
F
t
rr
2.5
典型值
1.5
740
60
17
23
4
8
0.02
0.08
0.04
0.15
1.4
23
最大
1
±100
5
2
1.7
单位
A
nA
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
s
s
s
V
ns
测试条件
V
CE
= 360 V, V
GE
= 0
V
GE
= ± 30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安
I
C
= 30A ,V
GE
= 15 V
Note3
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0
F = 1 MHz的
V
GE
= 15 V
V
CE
= 150 V
I
C
= 30 A
I
C
= 30 A
R
L
= 5
V
GE
= 15 V
R
G
= 5
I
F
= 20 A
Note3
I
F
= 20 A
di
F
/ DT = 100 A / μs的
FRD的正向电压
FRD的反向恢复时间
注: 3.脉冲测试
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第2 6
RJH30H1DPP-M0
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
μ
s
典型的输出特性( 1)
100
TA = 25
°
C
脉冲测试
7.5 V
8V
7V
6.5 V
6V
40
5.5 V
20
0
100
PW
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
10
80
=
10
9V
10 V
0
10
μ
s
60
15 V
1
0.1
TA = 25
°
C
1次脉冲
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
GE
= 5 V
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性( 2)
200
TA = 25
°
C
脉冲测试
14 V
15 V
12 V
11 V
50
典型的传输特性
V
CE
= 10 V
脉冲测试
40
集电极电流I
C
(A)
160
10 V
9V
8V
7V
6V
120
集电极电流I
C
(A)
30
80
20
40
10
0
V
GE
= 5 V
0
0
2
4
6
8
10
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压(典型值)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(V)
5
I
C
= 30 A
60 A
90 A
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流(典型值)
10
V
GE
= 15 V
脉冲测试
4
3
TC = -25°C
1
25°C 75°C
2
1
脉冲测试
TA = 25
°
C
0
0
4
8
12
16
20
0.1
1
10
100
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极电流I
C
(A)
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第3页6
RJH30H1DPP-M0
典型的电容比。
Colloctor到发射极电压
10000
V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
TA = 25°C
初步
动态输入特性(典型)
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
电容C (PF )
1000
资本投资者入境计划
600
V
CC
= 150 V
I
C
= 30 A
TA = 25°C
V
GE
12
100
卓越中心
10
CRES
1
400
8
200
V
CE
0
0
8
16
24
32
4
0
20
40
60
80
100
0
40
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
栅极电荷Qg ( NC )
开关特性(典型值) ( 1 )
1000
V
CC
= 150 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25°C
开关特性(典型值) ( 2 )
1000
I
C
= 30 A,V
GE
= 15 V
R
L
= 5
Ω,
TA = 25°C
开关时间t( NS )
tf
100
TD (关闭)
tr
TD (上)
10
1
10
100
开关时间t( NS )
tf
100
tr
TD (关闭)
TD (上)
10
1
10
100
Colloctor电流I
C
(A)
栅极电阻RG ( Ω )
开关特性(典型值) ( 3 )
1000
I
C
= 30 A,V
GE
= 15 V
R
L
= 5
Ω,
RG = 5
Ω
开关时间t( NS )
tf
100
tr
TD (关闭)
TD (上)
10
0
25
50
75
100
125
150
壳温度( ° C)
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第4 6
门到发射极电压V
GE
(V)
800
16
RJH30H1DPP-M0
集电极到发射极二极管的正向电压 -
二极管的正向电流
100
初步
二极管的正向电流I
F
(A)
脉冲测试
TA = 25°C
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极二极管
正向电压V
ECF
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
TC = 25°C
3
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
1
0.1
0.03
0.05
0.0
2
se
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
D=
PW
T
0.01
ul
1
0.0
OT P
h
1s
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
IC监控
R
L
输入电压监视器
VIN
10%
波形
90%
90%
Rg
D.U.T.
.
V
CC
Ic
TD (上)
10%
90%
VIN = 15 V
10%
tr
TD (关闭)
花花公子
tf
R07DS0463EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
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