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初步
数据表
RJH1CF6RDPQ-80
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
电压谐振电路中使用
逆导IGBT与单片体二极管
高效率的设备，用于感应加热
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.8 V （典型值） 。 （在我
C
= 30 A，V
GE
= 15V ， TJ = 25 ° C）
门极 - 发射极电压额定值
±30
V
无铅引线电镀
R07DS0356EJ0100
Rev.1.00
2010年5月12日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZE -A
（包名称： TO- 247 ）
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
E
1 2
3
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
集成电路（峰值）
Note1
i
DF
P
C
θJ -C
Tj
TSTG
评级
1200
±30
55
30
100
20
227.2
0.55
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0356EJ0100 Rev.1.00
2010年5月12日
第1页6
RJH1CF6RDPQ-80
初步
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
项
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （关闭）
V
CE （ SAT ）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
民
3.5
典型值
5.0
1.8
2.3
2520
50
40
51
65
134
275
3.0
最大
100
±1
7.0
2.3
3.9
单位
μA
μA
V
V
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
测试条件
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0
V
GE
= ±30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
I
C
= 30 A，V
GE
= 15V
Note2
I
C
= 55 A，V
GE
= 15V
Note2
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
I
C
= 30 A
V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω
Note2
阻性负载
I
F
= 10 A
Note2
C- ê二极管正向电压
注： 2.脉冲测试
R07DS0356EJ0100 Rev.1.00
2010年5月12日
第2 6
RJH1CF6RDPQ-80
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
100
典型的输出特性
TA = 25
°
C
脉冲测试
80
15 V
20 V
7.8 V
7.6 V
40
7.4 V
20
7.2 V
V
GE
= 7 V
8.4 V
9V
8.2 V
8V
集电极电流I
C
(A)
100
集电极电流I
C
(A)
PW = 10
μs
10 V
60
10
1
0.1
TC = 25°C
单脉冲
0.01
1
0
10
100
1000
10000
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
80
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压（典型值）
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
5
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 10 V
脉冲测试
60
TA = 25
°
C
脉冲测试
4
40
TC = 75℃
25°C
3
I
C
= 100 A
55 A
20
–25°C
2
30 A
0
0
1
6
8
10
12
14
16
18
20
2
4
6
8
10
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极到发射极饱和电压
- 结北部沿海地区（典型值）
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极截止电压
- 结北部沿海地区（典型值）
10
5
4
门到发射极截止电压V
GE （关闭）
(V)
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
= 100 A
55 A
30 A
8
3
6
I
C
= 10毫安
2
4
1毫安
2
V
CE
= 10 V
脉冲测试
0
25
0
25
50
75
100 125
150
1
V
GE
= 15 V
脉冲测试
0
25
0
25
50
75
100 125 150
北部沿海地区交界TJ （
°
C)
北部沿海地区交界TJ （
°
C)
R07DS0356EJ0100 Rev.1.00
2010年5月12日
第3页6
RJH1CF6RDPQ-80
初步
典型的电容比。
集电极到发射极电压
10000
正向电流与正向电压（典型值）
30
V
GE
= 0 V
TA = 25
°
C
脉冲测试
资本投资者入境计划
正向电流I
F
(A)
电容C （PF ）
25
20
15
10
5
0
0
1000
100
卓越中心
10
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
TA = 25
°
C
1
0
50
100
150
200
CRES
2
4
6
8
250
300
C- ê二极管的正向电压V
ECF
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
动态输入特性（典型）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
800
V
CE
V
CC
= 600 V
300 V
400
8
V
GE
16
1000
开关特性（典型值） （ 1 ）
tf
600
12
开关时间t（ NS ）
TD （关闭）
100
TD （上）
tr
10
200
V
CC
= 600 V
300 V
4
I
C
= 30 A
TA = 25
°
C
120
160
0
200
0
0
1
1
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25
°
C，阻性负载
10
100
40
80
栅极电荷Qg （ NC ）
集电极电流I
C
(A)
开关特性（典型值） （ 2 ）
3000
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A， TA = 25
°
C，阻性负载
1000
开关特性（典型值） （ 3 ）
1000
开关时间t（ NS ）
开关时间t（ NS ）
tf
TD （关闭）
100
tr
TD （上）
V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V
I
C
= 30 A， RG = 5
Ω,
阻性负载
0
25
50
75
100 125 150 175
tf
TD （关闭）
100
tr
TD （上）
3
1
10
100
10
栅极电阻RG （ Ω ）
壳温度（ ° C）
R07DS0356EJ0100 Rev.1.00
2010年5月12日
第4 6
RJH1CF6RDPQ-80
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
初步
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θj
C（ T） =
γs
(t)
θj
c
θj
C = 0.55 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
1次脉冲
D=
PW
T
0.03
0.01
PW
T
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
IC监控
R
L
输入电压监视器
VIN
10%
波形
90%
90%
90%
Rg
VIN = 15 V
D.U.T.
V
CC
Ic
TD （上）
吨
10%
tr
10%
TD （关闭）
花花公子
tf
R07DS0356EJ0100 Rev.1.00
2010年5月12日
分页： 5 6
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