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初步

数据表

RJE0616JSP

硅P沟道MOS场效应管系列

电源开关

描述

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。此FET具有内置的

过温关机电路中的栅极区。与该电路操作以关断的栅极电压的情况下

高结温将像对功耗，过电流等。

REJ03G1944-0100

Rev.1.00

2010年7月1日

特点

汽车应用

内置的过温关断电路。

高耐久能力针对给短路。

锁式关机操作（需要0电压恢复）。

内置的电流限制电路。

低导通电阻R

DS （ ON）

77 m典型值， 90 m马克斯（V

GS

= –10 V)

高密度安装

AEC- Q101标准

概要

瑞萨封装代码：

PRSP0008DD-D

（包名称：

SOP-8)

8

5

7 6

D

5

D

6

D

7

D

8

3

1 2

4

G

栅极电阻

当前

局限性

电路

门

关机

电路

1, 2, 3

4

5, 6, 7, 8

来源

门

漏

温度

传感

电路

LATCH

电路

1

S

2

S

3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

符号

评级

V

DSS

–60

V

GSS

–16

V

GSS

2.5

Note3

漏电流

I

D

–4

体漏二极管的反向漏电流

I

DR

–4

注2

雪崩电流

I

AP

–4

注2

雪崩能量

E

AR

68.6

注1

散热通道

PCH

2.5

通道温度

总胆固醇

150

储存温度

TSTG

-55到+150

注： 1 。当使用玻璃环氧板（ FR4 40

40

1.6毫米）， PW

10 s

2.总胆固醇= 25C ， RG

50

3.它提供由电流限制下界值。

单位

V

A

mJ

W

C

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2010年7月1日

第1页7

RJE0616JSP

初步

典型的运行特性

（ TA = 25°C ）

项

输入电压

输入电流

（栅非关闭）

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

漏电流

（电流限制值）

注意事项; 4.脉冲测试

符号

V

IH

V

IL

I

IH1

I

IH2

I

IL

I

IH(sd)1

I

IH(sd)2

TSD

VOP

I

LIMT

民

–3.5

—

–3.5

–4

典型值

—

–0.8

–0.35

175

—

最大

—

–1.2

–100

–50

–1

—

–12

—

单位

V

A

mA

C

V

A

测试条件

VI = -8 V ，V

DS

= 0

VI = -3.5 V ，V

DS

= 0

VI = -1.2 V ，V

DS

= 0

VI = -8 V ，V

DS

= 0

VI = -3.5 V ，V

DS

= 0

通道温度

（ dv / dt的V

GS

500V / ms）的

V

GS

= –12 V, V

DS

= –10 V

注4

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

符号

I

D1

I

D2

I

D3

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

I

GS(OP)1

I

GS(OP)2

I

DSS1

I

DSS2

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

t

os1

民

—

–4

–60

–16

2.5

—

–2.2

—

典型值

—

–0.8

–0.35

—

102

77

290

3.20

2.80

1.55

1.05

–0.84

84

6.34

最大

–4

–10

—

–100

–50

–1

100

—

–10

–3.4

150

90

—

单位

A

mA

A

V

A

mA

A

V

m

pF

s

V

ns

ms

测试条件

V

GS

= –3.5 V, V

DS

= –10 V

V

GS

= –1.2 V, V

DS

= –10 V

V

GS

= –12 V, V

DS

= –10 V

注5

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= –800

A,

V

DS

= 0

I

G

= 100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= –8 V, V

DS

= 0

V

GS

= –3.5 V, V

DS

= 0

V

GS

= –1.2 V, V

DS

= 0

V

GS

= 2.4 V, V

DS

= 0

V

GS

= –8 V, V

DS

= 0

V

GS

= –3.5 V, V

DS

= 0

V

DS

= –60 V, V

GS

= 0

V

DS

= –48 V, V

GS

= 0,

TA = 125°C

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

I

D

= -2 A ，V

GS

= –6 V

注5

I

D

= -2 A ，V

GS

= –10 V

V

DS

= –10 V, V

GS

= 0中，f = 1MHz的

V

GS

= -10 V，I

D

= –2 A,

R

L

= 15

注5

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

输入电流（关闭）

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

注6

工作时间

I

F

= -4 A ，V

GS

= 0

I

F

= -4 A ，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

V

GS

= –5 V, V

DD

= –16 V

注： 5.脉冲测试

6.包含的过载条件下的结温升高。

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第2 7

RJE0616JSP

初步

主要特点

功率与温度降额

4.0

100

测试条件。

当使用玻璃环氧基板。

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米），（ PW

≤

10s)

最高安全工作区

TA = 25°C

热关机操作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

3.0

10

PW

1

=

m

s

2.0

1

10

1.0

0.1

手术

在这个区域

有限

DS （ ON）

DC

O

pe

ra

TIO

n

m

s

(P

W

7

te

)

No

0 s

≤

1

0

50

100

150

200

0.01

0.1

1

10

100

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

DS

(V)

注7 ：

当使用玻璃环氧基板。

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）

典型的输出特性

4

10

V

7

V

4

4.4

V

典型的传输特性

V

DS

=

10

V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

3

漏电流I

D

(A)

6

V

5

V

4.8

V

3

TC = 150℃

2

4.6

V

4.2

V

GS

=

4

V

1

25°C

40°C

脉冲测试

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

1000

800

600

400

200

0

2

I

D

=

2

A

1

A

0.5

A

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1000

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

V

GS

=

6

V

100

10

V

4

6

8

10 12 14 16

10

0.1

1

10

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

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第3页7

RJE0616JSP

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

150

初步

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

1

A

0.5

A

100 V

GS

=

6

V

I

D

=

0.5

A,

1

A,

2

A

50

V

GS

=

10

V

反向恢复时间trr （ NS ）

200

I

D

=

2

A

100

0

50 25

0

25

50

75 100 125 150

10

0.1

的di / dt = 50A /

μs

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

1

10

壳温度（ ° C）

反向漏电流I

DR

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

4

开关特性

10

反向漏电流I

DR

(A)

TD （上）

开关时间t（微秒）

tr

TD （关闭）

1

tf

V

GS

=

5

V

3

2

V

GS

= 0 V, 5 V, 10 V

0.1

V

GS

=

10

V, V

DD

=

30

V

PW = 300

μs,

税

≤

1 %

1

10

1

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.01

0.1

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

源极到漏极电压V

SD

(V)

门源电压与

负载短路测试的停机时间

栅极至源极电压V

GS

(V)

1000

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

16

14

12

10

8

6

4

2

0

1

10

100

V

DD

=

16

V

电容C （PF ）

100

10

0

10

20

30

40

50

60

漏极至源极电压V

DS

(V)

的负载短路测试PW关机时间（ms ）

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第4 7

RJE0616JSP

关闭外壳温度对比

栅极至源极电压

关闭壳温度（ ° C）

200

初步

180

160

140

I

D

=

0.5

A

dv / dt的

V

GS

≥

500 V / ms的

0

2

4

6

8

10

120

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

h

1s

ot

pu

LSE

θch -

F（T） =

γs

(t)

θch -

f

θch -

F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40

×

40

×

1.6 mm)

PDM

PW

T

D=

PW

T

0.001

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

10000

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

1

L I

AP2

2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

V

DD

I

D

V

DS

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

E

AR

=

Rg

D.U.T

VIN

–10 V

50

Ω

V

DD

0

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