初步
数据表
RJE0607JSP
硅P沟道MOS场效应管系列
电源开关
描述
此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。此FET具有内置的
过温关机电路中的栅极区。与该电路操作以关断的栅极电压的情况下
高结温将像对功耗,过电流等。
REJ03G1876-0100
Rev.1.00
2010年4月1日
特点
高耐久能力针对给短路。
内置的过温关断电路。
锁式关机操作(需要0电压恢复) 。
内置的电流限制电路。
低导通电阻R
DS ( ON)
: 140 m典型值, 260 m马克斯(V
GS
= –10 V)
高密度安装
概要
瑞萨封装代码: PRSP0008DD -D
(包名称: SOP - 8 ( FP - 8DAV ) )
8
7
65
D
7
3
1 2
2
G
温度
传感
电路
栅极电阻
门
关机
电路
1
S
4
当前
局限性
电路
4
G
温度
传感
电路
栅极电阻
当前
局限性
电路
门
关机
电路
3
S
D
8
D
5
D
6
1, 3
来源
2, 4
门
5,6, 7,8排水
LATCH
电路
LATCH
电路
MOS1
MOS2
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
符号
评级
漏源极电压
V
DSS
–60
栅极至源极电压
V
GSS
–16
栅极至源极电压
V
GSS
2.5
Note5
漏电流
I
D
–1.5
体漏二极管的反向漏电流
I
DR
–1.5
注4
雪崩电流
I
AP
–1.5
注4
雪崩能量
E
AR
9.6
注2
散热通道
PCH
2
注3
散热通道
PCH
1.5
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
注:1。价值在Tc = 25C
2. 1驱动器操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40
40
1.6毫米) , PW
10 s
3. 2驱动器的操作:当使用玻璃环氧板( FR4 40
40
1.6毫米) , PW
10 s
4.总胆固醇= 25C , RG
50
5.它提供由电流限制下界值。
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
W
W
C
C
REJ03G1876-0100 Rev.1.00
2010年4月1日
第1页7
RJE0607JSP
初步
主要特点
功率与温度降额
4.0
最高安全工作区
10
TA = 25°C
热关机操作区
1次脉冲
1驱动程序操作
通道耗散P沟(W)的
3.0
漏电流I
D
(A)
测试条件。
当使用玻璃环氧基板。
( FR4 40 ×40× 1.6毫米) , ( PW
≤
10s)
1
1
s
m
DC
e
Op
t
ra
2.0
1
2D
离子
Dr
香港专业教育学院
PW
rO
1.0
RIV
pe
er
ra
0.1
手术
在这个区域
有限
DS ( ON)
& LT ;
10
s
te
No
Op
e
TIO
n
9
RAT
离子
150
200
0
0
50
100
0.01
0.01
0.1
1
10
100
壳温度( ° C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
注6 :
当使用玻璃环氧基板。
( FR4 40 ×40× 1.6毫米)
典型的输出特性
1.5
4.5
V
5
V
6
V
8
V
10
V
脉冲测试
2.0
典型的传输特性
V
DS
=
10
V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.0
4
V
1.5
1.0
TC = 75℃
25°C
0.5
3.5
V
V
GS
= 0 V
0
2
4
6
8
10
0.5
40°C
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1000
脉冲测试
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(毫伏)
1000
800
600
400
200
0
2
I
D
=
0.5
A
4
6
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
V
GS
=
6
V
100
10
V
1
A
8
10
10
0.1
1
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1876-0100 Rev.1.00
2010年4月1日
第3页7
RJE0607JSP
关闭外壳温度对比
栅极至源极电压
关闭壳温度( ° C)
200
初步
180
160
140
120 I
D
=
0.2
A
dv / dt的
V
GS
≥
500 V / ms的
100
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度( 1驱动器操作)
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
p
ot
ULS
e
θch -F (t)的
=
γs
(t)
θch
- f
θch -F
= 125°C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40 ×40× 1.6毫米)
P
DM
PW
T
0.001
1s
h
D=
PW
T
0.0001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW (S )
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
( 2设备Operatioon ;每台设备允许值)
10
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
LSE
pu
t
ho
θch -F (t)的
=
γs
(t)
θch
- f
θch -F
= 166 ° C / W ,TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
( FR4 40 ×40× 1.6毫米)
P
DM
PW
T
0.001
1s
D=
PW
T
0.0001
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW (S )
REJ03G1876-0100 Rev.1.00
2010年4月1日
第5页第7