后
RJ2411AA0PB
RJ2411AA0PB
描述
该RJ2411AA0PB是一个四分之一型( 4.5毫米)固
它包含的PN光电二极管的状态的图像传感器
和的CCD (电荷耦合器件)。同
约27万像素( 542水平x 492
垂直的) ,该传感器提供了一个稳定的高分辨率
彩色图像。
四分之一型彩色CCD区域传感器
270的k个像素
引脚连接
14 -PIN半间距DIP
顶视图
OD 1
RS
2
NC 3
14 GND
13
V4
12
V3
11
V2
10
V1
9 PW
8 OFD
特点
图像像素数: 512 (H )× 492 ( V)
光黑色像素数
- 水平:前2和28后方
像素间距: 7.2微米(H )× 5.6微米( V)
镁,G , Cy和叶补色滤镜
低的固定模式噪声和滞后
无老化,无图像失真
盛开的抑制结构
内置输出放大器
内置溢出漏电压电路和复位
栅极电压电路
水平移位寄存器时钟和复位门时钟
电压: 3.3V( TYP 。 )
可变电子快门( 1/60至1/10 000秒)
兼容NTSC标准
包装:
14针半间距DIP [塑料]
(P-DIP014-0400A)
后排空间: 10.16毫米
OS 4
OOFD 5
H2
6
H1
7
(P-DIP014-0400A)
注意事项
透镜的出射光瞳位置应该更
超过10毫米从CCD的顶表面上。
- 请参阅
"PRECAUTIONS FOR CCD面积
SENSORS"
了解详细信息。
在没有确认元器件规格说明书中,夏普采取的任何缺陷,在使用的任何夏普元器件的设备可能发生的任何责任
产品目录,数据手册等所刊载在使用任何夏普元器件之前,以获取最新的元器件规格说明书。
1
RJ2411AA0PB
引脚说明
符号
OD
OS
RS
V1
,
V2
,
V3
,
V4
H1
,
H2
OFD
OOFD
PW
GND
NC
引脚名称
输出晶体管的漏
输出信号
复位晶体管,时钟
垂直移位寄存器时钟
水平移位寄存器时钟
溢出漏
溢出漏输出
P阱
地
无连接
绝对最大额定值
参数
输出晶体管的漏极电压
溢出漏极电压
溢出漏输出电压
复位门时钟电压
垂直移位寄存器时钟电压
水平移位寄存器时钟电压
P阱和垂直时钟之间的电压差
垂直时钟之间的电压差
储存温度
工作环境温度
符号
V
OD
V
OFD
V
OOFD
V
φRS
V
V
V
H
V
PW
-V
V
V
V
-V
V
T
英镑
T
OPR
等级
0至+18
0至+37
内部输出
内部输出
V
PW
至17.5
-0.3至+12
-28到0
0至+15
-40至+85
-20至+70
(T
A
= +25C)
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
3
记
1
1
2
注意事项:
1.使用中所示的电路参数
"SYSTEM配置EXAMPLE" ,
不要连接到直流电压
直接。当OOFD连接到GND ,连接V
OD
到GND 。
2.不要连接到直流电压直接。当
RS
连接到GND ,连接V
OD
到GND 。复位门时钟
采用低于8 Vp-p的。
3.时钟宽度低于10微秒,并且时钟占空因数在0.1%以下,垂直时钟之间的电压差将是
低于27 V.
2
RJ2411AA0PB
推荐工作条件
参数
工作环境温度
输出晶体管的漏极电压
溢出漏时钟P-P级
地
P阱电压
低层
垂直移动
寄存器时钟
中级水平
高层
水平移动
寄存器时钟
低层
高层
符号
T
OPR
V
OD
V
OFD
GND
V
PW
V
V1L
, V
V2L
V
V3L
, V
V4L
V
V1I
, V
V2I
V
V3I
, V
V4I
V
V1H
, V
V3H
V
H1L
, V
H2L
V
H1H
, V
H2H
V
φRS
f
V1
, f
V2
f
V3
, f
V4
f
H1
, f
H2
f
φRS
14.55
–0.05
3.0
3.0
分钟。
14.55
21.5
–9.0
–8.5
–8.0
0.0
15.0
0.0
3.3
3.3
15.73
9.53
9.53
15.45
+0.05
5.25
5.25
典型值。
25.0
15.0
(调整后)
0.0
V
VL =
–7.5
马克斯。
15.45
23.5
单位
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
千赫
兆赫
兆赫
1
记
1
2
复位门时钟P-P级
垂直移位寄存器的时钟频率
水平移位寄存器时钟频率
复位门时钟频率
注意事项:
连接的NC来直接或通过一个电容比0.047 μF的大GND 。
1.使用中所示的电路参数
"SYSTEM配置EXAMPLE" ,
不要连接到直流电压直接。
2. V
PW
被设置为低于V
VL =
这是垂直移位寄存器的时钟的低电平,或一起使用,该连接在同一电源
到V
L
的V驱动器集成电路。
*要接通电源,先连接GND ,然后打开V
OD
。打开V后
OD
,打开V
PW
第一,然后再打开其他
权力和豆类。不要将设备连接到或当电源正在应用其从插座拔下。
3
RJ2411AA0PB
特征
(驱动方式:现场累积)
(T
A
= + 25°C ,工作条件:在"RECOMMENDED指定的典型值
操作CONDITIONS" 。
的光源色温: 3 200 K,红外截止滤光器(CM- 500 , 1万吨)被使用)。
参数
标准输出电压
光致响应非均匀性
饱和输出电压
暗输出电压
暗信号的非均匀性
灵敏度
涂抹比
图像滞后
盛开的抑制率
输出晶体管的漏电流
输出阻抗
矢量分手
行蠕动
亮度闪烁
符号
V
O
PRNU
V
SAT
V
黑暗
DSNU
R
SMR
AI
ABL
I
OD
R
O
1 000
3.0
350
8.0
7.0
3.0
2.0
mA
$
, %
%
%
11
12
13
550
分钟。
典型值。
150
马克斯。
15
700
0.5
0.5
800
–105
3.0
2.0
–95
1.0
单位
mV
%
mV
mV
mV
mV
dB
%
记
2
3
4
1, 5
1, 6
7
8
9
10
注意事项:
在V的推荐工作条件
OD
,
V
OFD
内部输出满足与ABL的量比较大
1万次曝光的标准曝光条件下,
和V
SAT
超过700 mV的大。
1. T
A
= +60C
2.根据照度均匀,平均输出电压。
在标准曝光条件被定义为当
Vo为150毫伏。
3.图像面积是根据划分为10 ×10的段
标准曝光条件。每一段的
电压是所有的像素内的平均输出电压
段。 PRNU被定义(的Vmax - 值V min ) /武,
其中, Vmax和值V min是在最大和最小
每段的电压值分别为。
4.图像区域被划分成10×10的段。每
段的电压是一切的平均输出电压
该段内的像素。 V
SAT
是最小
在10次曝光的片段的电压
标准曝光条件。
5.在非接触的平均输出电压
条件。
6.图像面积是根据划分为10 ×10的段
非曝光条件。 DSNU是由( Vdmax定义 -
Vdmin ),其中Vdmax和Vdmin分别是最大和
各段的电压分别为最小值。
7.平均输出电压时, 1 000勒克斯的光
源具有90 %的反射为F4的透镜成像时,
F50毫米。
8.传感器V中的中心区域只露出/ 10
用透镜在F4中,其中V是垂直图像方
尺寸。 SMR是通过将输出电压的比值定义
在垂直消隐期间所检测到的
最大输出电压在V / 10万。
9.传感器在曝光量曝光
对应于标准条件。 AI的定义
由输出电压中的所述第一测得的比
在非曝光时间段的标准场
输出电压。
10.传感器仅在V的中心区域露出/ 10
方,其中,V是垂直图像尺寸。 ABL是
通过曝光在标准之比定义
条件下曝光的点处起霜是
观察到。
11.观察矢量范围时颜色柱形图
在标准曝光条件下成像。
12的平均输出电压之间的差
(镁+叶),( G +赛扬) ,并且该(镁+赛扬)的,(G
+叶)标准曝光条件下线路。
13的平均输出电压之间的差
奇数场和,根据偶数场的
标准曝光条件。
4