PD-93920A
RIC7113E4
抗辐射高，低压侧栅极驱动器
特点
n
总剂量能力100K Rad公司（SI ）
n
设计为引导操作浮动通道
n
充分运作，以+ 400V
n
耐负瞬态电压
n
的dV / dt免疫
n
栅极驱动电压范围为10 20V
n
欠压锁定两个通道
n
独立的逻辑电源电压范围为5 20V
逻辑和电源接地± 5V偏置
n
CMOS施密特触发与下拉输入
n
逐周期边沿触发关断逻辑
n
匹配的传播延迟为两个通道
n
同相输入输出
产品概述
VOFFSET
IO +/-
VOUT
吨/关（典型值）。
延迟匹配（典型值）。
400V最大。
2A / 2A
10 - 20V
120 & 100纳秒
5纳秒
描述
该RIC7113E4是一种高电压，高转速动力
MOSFET和IGBT驱动器，带有独立的高，低
侧参考输出通道。专有的HVIC和
锁存免疫CMOS技术使加固
单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器
n
密封式
具有高脉冲电流缓冲级，
最小驱动器跨导。传输延迟
n
轻量
相匹配，以简化在高频应用中使用。
浮置沟道，可用于驱动一个N沟道
在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT
它的工作频率高达400伏。
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
绝对电压参考COM 。热电阻和功耗额定值下测板
安装和静止空气条件。
绝对最大额定值
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
DD
V
SS
V
IN
dV
s
/ DT
P
D
R
thJA
T
J
T
S
T
L
参数
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电源电压瞬变（图2）
包装功耗@ T
A
+25°C
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
重量
分钟。
-0.5
—
V
S
- 0.5
-0.5
-0.5
-0.5
V
CC
- 20
V
SS
- 0.5
—
—
—
-55
-55
—
马克斯。
V
S
+ 20
400
V
B
+ 0.5
20
V
CC
+ 0.5
V
SS
+ 20
V
CC
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
50
1.6
125
125
150
300
单位
V
V / ns的
W
° C / W
°C
g
0.42 （典型值）
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1
5/3/2001
RIC7113E4
预辐照
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图显示在图1中的VS和VSS偏移的评分进行测试
与所有供应偏置在15V的差分。
符号
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VSS
VIN
参数
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
分钟。
VS + 10
-4
VS
10
0
VSS + 5
-5
VSS
马克斯。
VS + 20
400
VB
20
VCC
VSS + 20
5
VDD
单位
V
动态电气特性
VBIAS （VCC ， VBS中，VDD ） = 15V ，和VSS = COM ，除非另有规定。动态电
特征是使用在图3所示的测试电路进行测量。
TJ = 25°C
符号
t
on
t
关闭
t
sd
t
r
t
f
MT
参数
导通传播延迟
关断传播延迟
关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
延时匹配，HS & LS的开启/关闭
分钟。
—
—
—
—
—
—
TJ =
-55到125°C
典型值。马克斯。分钟。马克斯。单位
120
100
110
25
17
5
150
125
140
35
25
20
—
—
—
—
—
—
260
220
235
50
40
—
测试条件
V
S
= 0V
V
S
= 400V
V
S
= 400V
CL = 1000pF的
CL = 1000pF的
| Hton - LTON |和| Htoff - Ltoff |
ns
典型连接
4
高达500V
HO
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
V
DD
HIN
SD
LIN
V
SS
V
CC
COM
LO
V
B
V
S
TO
负载
2
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预辐照
RIC7113E4
静态电气特性
VBIAS （VCC ， VBS中，VDD ） = 15V ，除非另有规定。在VIN ， VTH和IIN参数为参考
转制到VSS并适用于所有的三个逻辑输入引脚： HIN ， LIN和SD 。在VO和IO参数
参照的是COM或VS和适用于相应的输出引脚： HO或LO 。
TJ = 25°C
符号
V
IH
参数
逻辑“1”的输入电压
分钟。
3.1
6.4
9.5
12.5
典型值。
—
—
—
—
1.8
3.8
6.0
8.3
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
9.7
9.4
9.6
9.4
—
—
TJ =
-55到125°C
分钟。
MAX 。单位
3.3
6.8
10
13.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.7
3.6
5.7
7.9
1.5
0.1
250
500
600
60
70
10
—
—
—
—
—
A
—
V
A
V
V
测试条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 20V
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 20V
V
IN
=V
IH ，
I
O
= 0A
V
IN
=V
IH ，
I
O
= 0A
V
B
= V
S
= 400V
V
IN
= 0V或V
DD
V
IN
=0V
,
或V
DD
V
IN
=0V
,
或V
DD
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0V
V
IL
逻辑“0”输入电压
—
—
—
—
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CC
电源欠压积极
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
—
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
2.0
V
O
= 0V, V
IN
= V
DD
PW < 10微秒
V
O
= 15V, V
IN
= 0V
PW < 10微秒
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3
RIC7113E4
辐射性能
辐射特性
国际整流器抗辐射的栅极驱动器进行测试，以验证其硬度的能力。该
在国际整流器硬度保证程序使用钴60 （
60
Co）的源和重离子
照射。
每个晶圆应当按照测试MIL -STD -883方法1019 ，测试条件A“电离辐射
（总剂量）试验程序“ 。
前和照射后的性能进行了测试，并使用指定的相同的驱动电路和测试
条件下提供一个直接的比较。
对于静态辐照试验条件参见图7 。
静态电气特性
符号
V
IH
TJ = 25°C
100K拉德（SI ）
参数
逻辑“1”的输入电压
单位
测试条件
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 20V
VDD = 5V
VDD = 10V
VDD = 15V
VDD = 20V
V
IN
=V
IH ，
I
O
= 0A
V
IN
=V
IH ，
I
O
= 0A
VB = VS = 400A
VIN = 0V或VDD
VIN = 0V或VDD
VIN = 0V或VDD
VIN = VDD
VIN = 0V
民
3.1
6.4
9.5
12.5
—
—
—
V
OH
V
OL
I
LK
I
QBS
I
QCC
I
检疫侦缉犬
I
IN +
I
IN-
V
BSUV +
V
BSUV-
V
CCUV +
V
CCUV-
I
O+
I
O-
高电平输出电压V
BIAS
- V
O
低电平输出电压，V
O
偏置电源漏电流
静态V
BS
电源电流
静态V
CC
电源电流
静态V
DD
电源电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
V
BS
电源欠压积极
门槛
V
BS
电源欠压负
门槛
V
CC
电源欠压积极
门槛
V
CC
电源欠压负
门槛
高输出短路脉冲
当前
低输出短路脉冲
当前
—
最大
—
—
—
—
1.8
3.8
6.0
8.3
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
9.7
9.4
9.9
9.6
V
A
V
V
IL
逻辑“0”输入电压
V
—
—
—
—
—
—
—
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
2.0
—
—
A
VO = 0V ， VIN = VDD
PW < 10微秒
VO = 15V ， VIN = 0V
PW < 10微秒
4
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辐射特性
RIC7113E4
国际整流器抗辐射的栅极驱动器已被鉴定的重离子环境
单粒子效应（ SEE） 。下面单粒子效应特性数据说明。对于静态偏置
测试条件参见图8 。
单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37
60
82
85
100
能源
（兆电子伏）
284
344
346
344
346
角
（度）
0
0
0
45
35
V
S
(V)
@V
BS
=-10V
400
325
250
400
400
@V
BS
=-15V
400
250
200
400
400
@V
BS
=-17.5V
400
200
175
350
350
注： VCC / VDD = 20V ，除非LET = 100 ，则VCC / VDD = 17.5V
静态偏置
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
-10
-15
VB （V）的
-17.5
溴，0°角
我，0°角
金，0°角
我，45°角
金， 35 °角
VS （ V）
单粒子效应，安全工作区
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5
QQ：2880707522 复制
