RHU002N06
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
60
1
100
典型值。
1.7
2.8
15
8
4
6
5
12
95
2.2
0.6
0.3
马克斯。
±10
1
2.5
2.4
4.0
4.4
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
测试条件
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 10μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
I
D
=的200mA， V
GS
=4V
V
DS
= 10V ，我
D
=200mA
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 100mA时V
DD
30V
V
GS
=10V
R
L
=300
R
GS
=10
V
DD
30V
V
GS
=10V
I
D
=200mA
漏源通态电阻R
DS （ ON）
1
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
P
W
≤300s,
占空比= 1 ％
2
脉冲
升
fs
l
1
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
2
t
r
2
t
D（关闭）
2
t
f
2
Q
g
2
Q
gs
2
Q
gd
2
包装规格
包
CODE
TYPE
RHU002N06
基本订购单位（件）
TAPING
T106
3000
电气特性曲线
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
0.8
10V
0.7
8V
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
(A)
1
V
DS
=10V
脉冲
2.5
V
DS
=
10V
I
D
=1mA
脉冲
漏电流：我
D
(A)
0.6
0.5
6V
2.0
0.1
Ta=25C
25C
75C
125C
0.01
4V
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.5
3.5V
V
GS
=3V
1.5
1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
栅源电压： V
GS
(V)
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
漏源电压： V
DS
(V)
通道温度：总胆固醇
(°C)
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压
与通道温度
2/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RHU002N06
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
60
1
100
典型值。
1.7
2.8
15
8
4
6
5
12
95
2.2
0.6
0.3
马克斯。
±10
1
2.5
2.4
4.0
4.4
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
测试条件
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 10μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
=的200mA， V
GS
=10V
I
D
=的200mA， V
GS
=4V
V
DS
= 10V ，我
D
=200mA
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 100mA时V
DD
30V
V
GS
=10V
R
L
=300
R
GS
=10
V
DD
30V
V
GS
=10V
I
D
=200mA
漏源通态电阻R
DS （ ON）
1
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
P
W
≤300s,
占空比= 1 ％
2
脉冲
升
fs
l
1
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
2
t
r
2
t
D（关闭）
2
t
f
2
Q
g
2
Q
gs
2
Q
gd
2
包装规格
包
CODE
TYPE
RHU002N06
基本订购单位（件）
TAPING
T106
3000
电气特性曲线
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
0.8
10V
0.7
8V
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
(A)
1
V
DS
=10V
脉冲
2.5
V
DS
=
10V
I
D
=1mA
脉冲
漏电流：我
D
(A)
0.6
0.5
6V
2.0
0.1
Ta=25C
25C
75C
125C
0.01
4V
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0 0.5
3.5V
V
GS
=3V
1.5
1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
栅源电压： V
GS
(V)
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
漏源电压： V
DS
(V)
通道温度：总胆固醇
(°C)
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压
与通道温度
2/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
QQ：2880707522 复制
