RHRP840 ， RHRP860
数据表
2000年1月
网络文件编号
3668.2
8A ， 400V - 600V超高速二极管
该RHRP840和RHRP860是超快二极管，软
恢复特性（T
rr
<为30ns ） 。他们有一半的
超快二极管的恢复时间，并且氮化硅
钝化离子注入外延平面建设。
这些设备旨在用作
续流/钳位二极管和整流器器中的各种
开关电源和其它电源开关
应用程序。它们的低存储的电荷和超快软
恢复在许多最大限度地减少振荡和电噪声
电源开关电路减少了开关损耗
晶体管。
以前发育类型TA49059 。
特点
超高速软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
RHRP840
RHRP860
包
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
RHRP840
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
RHRP860
阴极
（法兰）
阴极
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RHRP840
RHRP860
600
600
600
8
16
100
75
20
-65 175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 150
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
400
400
400
8
16
100
75
20
-65 175
1
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
RHRP840 ， RHRP860
电气连接特定的阳离子
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RHRP840
符号
V
F
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ，T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流（参见图9） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
CJ =结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
测试条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
18
10
56
25
-
最大
2.1
1.7
100
-
500
-
30
35
-
-
-
-
2
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
RHRP860
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
18
10
56
25
-
最大
2.1
1.7
-
100
-
500
30
35
-
-
-
-
2
单位
V
V
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
40
1000
175
o
C
I
R
，反向电流（ μA ）
I
F
，正向电流（ A）
100
10
10
100
o
C
175
o
C
100
o
C
25
o
C
1
1
0.5
0.1
25
o
C
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
100
200
300
400
500
600
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2
RHRP840 ， RHRP860
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I
最大
= 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
4
RHRP840 ， RHRP860
数据表
2002年1月
8A ， 400V - 600V超高速二极管
该RHRP840和RHRP860是超快二极管，软
恢复特性（T
rr
<为30ns ） 。他们有一半的
超快二极管的恢复时间，并且氮化硅
钝化离子注入外延平面建设。
这些设备旨在用作
续流/钳位二极管和整流器器中的各种
开关电源和其它电源开关
应用程序。它们的低存储的电荷和超快软
恢复在许多最大限度地减少振荡和电噪声
电源开关电路减少了开关损耗
晶体管。
以前发育类型TA49059 。
特点
超高速软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <30ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
RHRP840
RHRP860
包
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
RHRP840
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
RHRP860
阴极
（法兰）
阴极
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RHRP840
RHRP860
600
600
600
8
16
100
75
20
-65 175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 150
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
400
400
400
8
16
100
75
20
-65 175
2002仙童半导体公司
RHRP840 ， RHRP860版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
QQ：2880707522 复制
