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RHRP640CC , RHRP650CC , RHRP660CC
1998年1月
文件编号4464
6A , 400V - 600V超高速双二极管
RHRP640CC , RHRP650CC和RHRP660CC是超快
双二极管具有软恢复特性(T
rr
<为30ns ) 。
它们具有超快二极管的一半的恢复时间,并且
氮化硅钝化离子注入hepaticas平面
建设。
这些设备旨在用作续流/夹紧
二极管和整流器中的各种开关电源的
和其他电源转换应用。它们的低存储的电荷
和超快软恢复减少振铃和电气噪声
在许多电源开关电路减小了功率损耗
开关晶体管。
以前发育类型TA49057 。
特点
超高速软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .<30ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .600V
额定雪崩能量
平面施工
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
应用
开关电源
BRAND
RHRP640C
RHRP650C
RHRP660C
订购信息
产品型号
RHRP640CC
RHRP650CC
RHRP660CC
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
电源开关电路
通用
符号
K
注:订货时,使用整个零件编号。
A
1
A
2
JEDEC TO- 220AB
阳极2
阴极
阳极1
阴极
(法兰)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
RHRP640CC , RHRP650CC , RHRP660CC
绝对最大额定值
(每站)
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RHRP640CC
400
400
400
6
12
60
50
10
-65 175
300
260
RHRP650CC
500
500
500
6
12
60
50
10
-65 175
300
260
RHRP660CC
600
600
600
6
12
60
50
10
-65 175
300
260
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
o
C
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F( AV )
T
C
= 152
o
C
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
方波, 20kHz的
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
半波,单相,60赫兹
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
雪崩能量(参见图10和图11 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
英镑
,T
J
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,看技术简报334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
(每站)
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RHRP640CC
RHRP650CC
最大
2.1
1.7
100
-
-
500
-
-
30
35
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
8.5
45
20
-
最大
2.1
1.7
-
100
-
-
500
-
30
35
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
RHRP660CC
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
8.5
45
20
-
最大
2.1
1.7
-
-
100
-
-
500
30
35
-
-
-
-
3
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
符号
V
F
测试条件
I
F
= 6A
I
F
= 6A ,T
C
= 150
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
8.5
45
20
-
I
R
V
R
= 400V
V
R
= 500V
V
R
= 600V
V
R
= 400V ,T
C
= 150
o
C
V
R
= 500V ,T
C
= 150
o
C
V
R
= 600V ,T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A ,二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ,二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
I
F
= 6A ,二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ,二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 6A ,二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ,我
F
= 0A
V
F
=瞬时正向电压( PW = 300μS , D = 2 %) 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=反向恢复时间(见图9 ) ,求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流(参见图9) 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 %
RM
(参见图9) 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
2
RHRP640CC , RHRP650CC , RHRP660CC
典型性能曲线
30
1000
175
o
C
I
R,
反向电流( μA )
I
F
,正向电流( A)
100
100
o
C
10
10
1
175
o
C
1.0
0.5
0
0.5
100
o
C
25
o
C
0.1
25
o
C
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.01
0
100
200
300
400
500
600
V
F
,正向电压( V)
V
R
,反向电压(V)的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
30
25
T,恢复时间(纳秒)
T
C
= 25
o
C,的dI
F
/ DT = 200A / μs的
50
T
C
= 100
o
C,的dI
F
/ DT = 200A / μs的
T,恢复时间(纳秒)
40
t
rr
30
20
15
10
t
rr
t
a
20
t
a
t
b
t
b
5
0
0.5
10
1
I
F
,正向电流( A)
6
0
0.5
1
I
F
,正向电流( A)
6
图3吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
75
图4吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
I
F
( AV ) ,平均正向电流( A)
T
C
= 175
o
C,的dI
F
/ DT = 200A / μs的
6
5
DC
4
SQ 。 WAVE
3
2
1
0
140
T,恢复时间(纳秒)
60
t
rr
45
30
t
a
t
b
15
0
0.5
1
I
F
,正向电流( A)
6
145
150
155
160
165
170
175
T
C
,外壳温度(
o
C)
图5吨
rr
, t
a
和T
b
曲线VS正向电流
图6.电流降额曲线
3
RHRP640CC , RHRP650CC , RHRP660CC
典型性能曲线
50
C
J
,结电容(pF )
(续)
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
V
R
,反向电压(V)的
图7.结电容VS反向电压
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
IGBT
V
GE
t
1
t
2
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
图9吨
rr
波形和定义
L = 20mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R( AVL )
/(V
R( AVL )
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT ( BV
CES
> DUT V
R( AVL )
)
L
当前
SENSE
Q
1
R
+
V
DD
I
L
V
AVL
I
L
DUT
V
DD
-
I V
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
4
RHRP640CC , RHRP650CC , RHRP660CC
TO-220AB
3脚JEDEC TO - 220AB塑料包装
A
P
Q
H
1
D
E
1
45
o
D
1
TERM 。 4
E
A
1
英寸
符号
A
A
1
b
b
1
c
D
D
1
E
E
1
e
e
1
0.170
0.048
0.030
0.045
0.014
0.590
-
0.395
-
最大
0.180
0.052
0.034
0.055
0.019
0.610
0.160
0.410
0.030
0.100 TYP
0.200 BSC
0.235
0.100
0.530
0.130
0.149
0.102
0.255
0.110
0.550
0.150
0.153
0.112
MILLIMETERS
4.32
1.22
0.77
1.15
0.36
14.99
-
10.04
-
最大
4.57
1.32
0.86
1.39
0.48
15.49
4.06
10.41
0.76
2.54 TYP
5.08 BSC
5.97
2.54
13.47
3.31
3.79
2.60
6.47
2.79
13.97
3.81
3.88
2.84
笔记
-
-
3, 4
2, 3
2, 3, 4
-
-
-
-
5
5
-
6
-
2
-
-
L
1
b
1
b
c
L
60
o
1
2
3
e
e
1
J
1
H
1
J
1
L
L
1
P
Q
注意事项:
1.这些尺寸的版本歼允许的尺寸范围内
日87年3月24日JEDEC TO - 220AB轮廓。
2.铅的尺寸,并完成不受控制以L
1
.
3.铅尺寸(无焊料) 。
4.通常添加0.002英寸厚度(0.05mm )的焊料涂层。
的引线5的位置可以从bot-测量0.250英寸( 6.35毫米)
维D的汤姆
铅6的位置被从bot-测量0.100英寸( 2.54毫米)
维D的汤姆
7.控制尺寸:英寸。
8.修订2月7-97 。
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
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网络连接CE总部销售
北美
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邮政信箱883 ,邮件停止53-204
墨尔本, FL 32902
电话: ( 321 ) 724-7000
传真: ( 321 ) 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔,比利时
TEL : ( 32 ) 2.724.2111
FAX : ( 32 ) 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司(台湾)有限公司
7F - 6 , 101号富兴北路
台北,台湾
中华民国
电话: ( 886 ) 2 2716 9310
传真: ( 886 ) 2 2715 3029
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RHRP650CC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
RHRP650CC
√ 欧美㊣品
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9848
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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INTERSIL
21+
33000
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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2024
19033
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原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
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24+
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