RHRG7570 ， RHRG7580 ， RHRG7590 ， RHRG75100
数据表
1995年4月
网络文件编号
3923.1
75A ， 700V - 1000V超高速二极管
RHRG7570 ， RHRG7580 ， RHRG7590和RHRG75100
（ TA49068 ）的超快二极管，软恢复character-
istics （T
RR
< 85ns ） 。他们有一半的恢复时间
超快二极管，并且氮化硅钝化离子
植入外延平面建设。
这些设备旨在用作续流/夹紧
二极管和整流器中的各种开关电源的
和其他电源转换应用。它们的低存储
充电和超快软恢复减少振铃和电
在许多电源开关电路降低功耗Trical公司噪音
损耗在开关晶体管。
特点
超高速软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .<85ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
反向电压可达。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
包装供货情况
产品型号
RHRG7570
RHRG7580
RHRG7590
RHRG75100
包
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
BRAND
RHRG7570
RHRG7580
RHRG7590
RHRG75100
包
JEDEC风格-247
阳极
阴极
（底部
侧的金属）
阴极
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
RHRG7570
RHRG7580
800
800
800
75
150
750
190
50
-65到+175
RHRG7590
900
900
900
75
150
750
190
50
-65到+175
RHRG75100
1000
1000
1000
75
150
750
190
50
-65到+175
单位
V
V
V
A
A
A
W
mj
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= +52
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
FSM
（方波， 20kHz的）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
FSM
（半波，单相，60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
雪崩能量（ L = 40mH ）（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
700
700
700
75
150
750
190
50
-65到+175
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
RHRG7570 ， RHRG7580 ， RHRG7590 ， RHRG75100
电气连接特定的阳离子
符号
V
F
I
R
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
RHRG7570
测试条件
I
F
= 75A ，T
C
= +25
o
C
I
F
= 75A ，T
C
= +150
o
C
V
R
= 700V ，T
C
= +25
o
C
V
R
= 800V ，T
C
= +25
o
C
V
R
= 900V ，T
C
= +25
o
C
V
R
= 1000V ，T
C
= +25
o
C
I
R
V
R
= 700V ，T
C
= +150
o
C
V
R
= 800V ，T
C
= +150
o
C
V
R
= 900V ，T
C
= +150
o
C
V
R
= 1000V ，T
C
= +150
o
C
t
RR
t
A
t
B
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
RR
=反向恢复时间（图2 ） ，求和的t
A
+ t
B
.
t
A
=时达到峰值反向电流（参见图2） 。
t
B
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图2） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
E
AVL
=控制雪崩能量。 （参见图10和11 ） 。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
V
1
幅度控制我
F
V
2
幅度控制的dI
F
/ DT
L
1
=自电感
R
4
+ L
环
R
1
Q
1
+V
1
0
t
2
t
1
R
2
Q
4
t
3
C1
0
-V
2
R
3
Q
3
-V
4
V
RM
R
4
L
环
DUT
0.25 I
RM
I
RM
V
R
RHRG7580
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
40
240
220
-
最大
3.0
2.5
-
500
-
-
-
2.0
-
-
85
100
-
-
-
-
0.8
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
RHRG7590
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
40
240
220
-
最大
3.0
2.5
-
-
500
-
-
-
2.0
-
85
100
-
-
-
-
0.8
RHRG75100
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
40
240
220
-
最大
3.0
2.5
-
-
-
500
-
-
-
2.0
85
100
-
-
-
-
0.8
单位
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
40
240
220
-
最大
3.0
2.5
500
-
-
-
2.0
-
-
-
85
100
-
-
-
-
0.8
I
F
= 1A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 75A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 75A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 75A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
I
F
= 75A ，二
F
/ DT = 100A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
+V
3
Q
2
t
1
≥
5t
A（最大值）
t
2
＆ GT ;吨
RR
t
3
> 0
L
1
t
A（分钟）
≤
R
4
10
0
I
F
dI
F
dt
t
A
t
RR
t
B
图1吨
RR
测试电路
图2吨
RR
波形和定义
2
RHRG7570 ， RHRG7580 ， RHRG7590 ， RHRG75100
典型性能曲线
400
I
R
，反向电流（ μA ）
1000
+175
o
C
100
+100
o
C
I
F
，正向电流（ A）
100
10
+100
o
C
+175
o
C
10
+25
o
C
1
0.1
+25
o
C
1
0
1
3
2
V
F
，正向电压（ V）
4
5
0.01
0
200
400
600
800
1000
V
R
，反向电压（V）的
图3.典型正向电流与正向
电压降
T
C
= +25
o
C
100
图4.典型的反向电流与反向
电压
300
250
T，恢复时间（纳秒）
T
C
= +100
o
C
T，恢复时间（纳秒）
80
t
RR
200
150
t
RR
60
t
A
40
t
B
t
B
100
50
0
t
A
20
0
1
10
I
F
，正向电流（ A）
75
1
10
I
F
，正向电流（ A）
75
图5.典型吨
RR
, t
A
和T
B
曲线VS前进
电流+25
o
C
T
C
= +175
o
C
500
图6.典型吨
RR
, t
A
和T
B
曲线VS前进
电流100
o
C
I
F
（ AV ） ，平均正向电流（ A）
75
T，恢复时间（纳秒）
400
60
DC
45
SQ 。 WAVE
30
300
t
RR
200
t
B
100
t
A
15
0
0
25
1
10
I
F
，正向电流（ A）
75
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图7.典型吨
RR
, t
A
和T
B
曲线VS前进
电流175
o
C
图8.电流降额曲线为所有类型
3
RHRG7570 ， RHRG7580 ， RHRG7590 ， RHRG75100
典型性能曲线
800
C
J
，结电容（pF ）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
V
R
，反向电压（V）的
（续）
图9.典型结电容VS反向电压
测试电路和波形
I
最大
= 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
AVL
/(V
AVL
- V
DD
)]
Q
1
和Q
2
ARE 1000V的MOSFET
Q
1
L
R
+
V
DD
130
1M
DUT
V
AVL
12V
Q
2
130
当前
SENSE
I V
V
DD
I
L
I
L
-
12V
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压波形
形式
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
网络连接CE总部销售
北美
Intersil公司
邮政信箱883 ，邮件停止53-204
墨尔本， FL 32902
电话： （ 321 ） 724-7000
传真： （ 321 ） 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔，比利时
TEL ： （ 32 ） 2.724.2111
FAX ： （ 32 ） 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司（台湾）有限公司
7F - 6 ， 101号富兴北路
台北，台湾
中华民国
电话： （ 886 ） 2 2716 9310
传真： （ 886 ） 2 2715 3029
4
QQ：2881677436 复制
