RH129
6.9V精密基准
DESCRIPTIO
绝对
AXI ü
RATI GS
该RH129精密基准具有出色的稳定性
在很宽的范围内的电压，温度和工作
目前的状况。该器件实现了低动态
通过将一个高增益分路调节阻抗
周围的齐纳。的卓越的噪声性能
设备是通过使用一个嵌入式齐纳二极管的设计实现这
消除表面噪声通常用普通的关联
齐纳二极管。
晶圆批次内部S级处理，以LTC的
流，以产生电路的严格的军事应用可用
系统蒸发散。
反向击穿电流................................ 30毫安
正向电流................................................ ..... 2毫安
工作温度范围............. - 55 ° C至125°C
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
BUR -I电路
总剂量偏置电路
包装信息
20V
15V
底部视图
10k
12.4k
1
2
RH1009 BI
RH129 TDBC1
H封装
2引脚TO - 46金属
表1 ：电气特性
符号参数
V
Z
V
Z
I
R
V
Z
温度
反向击穿电压
反向击穿
电压变化与电流
温度COEF网络cient
条件
0.6毫安我
R
（预辐射）
SUB -
= 55 ° （C T）
A
125°C
集团最小值典型值最大值
1
12
10
20
50
1
2
2, 3
2, 3
2, 3
SUB -
组
笔记
T
A
= 25°C
最小典型最大
6.7
7.2
14
单位
V
mV
mV
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
15mA
0.6毫安我
R
15mA
1毫安我
R
15mA
I
R
= 1mA时， RH129A
RH129B
RH129C
1毫安我
R
15mA
I
R
= 1毫安
1毫安我
R
15mA
10Hz的F 10kHz的
T
A
= 25°C ± 0.1°C,
I
R
=使用1mA± 0.3 ％
1
2
20
变化TC
r
Z
en
V
Z
时间
动态阻抗
RMS噪声
长期稳定性
0.8
20
1
V
PPM / KHR
提供的信息由凌力尔特公司被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担供其使用。凌力尔特公司不作任何代表中
塔季翁，其如本文所描述的电路的互连不会对现有的专利权侵犯。
1
U
U
W
W W
U
W
U
U U
RH129
表1A ：电气特性
符号参数
V
Z
条件
10KRAD(Si)
注释最小值
最大
（照射后） （注3 ）
50KRAD(Si)
民
最大
100KRAD(Si)
民
最大
200KRAD(Si)
民
最大
单位
20KRAD(Si)
民
最大
反向击穿电压0.6mV我
R
15mA
Z
Z
6.7
7.2
14
10
20
50
6.7
7.2
14
10
20
50
6.7
7.2
20
10
20
50
6.7
7.2
30
15
25
55
6.7
7.2
50
V
mV
V
I
反向击穿电压0.6mV我
R
15mA
更改与当前
温度COEF网络cient
= 55 ° （C T）
A
125°C
I
R
= 1mA时， RH129A
RH129B
RH129C
V
Z
温度
20 PPM /°C的
30 PPM /°C的
60 PPM /°C的
注1 ：
由设计，表征或相关的其他保障
测试参数。
注2 ：
通过相关测试，包括增强的保证
爆米花噪声检测。
注3 ：
T
A
= 25_C除非另有说明。
表2 ：电气试验REQUIRE ê TS
MIL -STD- 883测试要求
最后的电气测试要求（方法5004 ）
A组试验要求（方法5005 ）
B和D的S级，C组和D B类
终点电气参数（方法5005 ）
* PDA适用于亚组1.见PDA测试的注意事项。
小组
1*, 2, 3
1, 2, 3
1
PDA测试注意事项：
在PDA是基于从组故障指定为5％的
A，分组1 ，检查冷却时间是按照最后的电气试验后
符合MIL -STD- 883方法5004 。 A组的验证失败，
子群1 ，后老化由设备的总数量除以提交
对于老化在于很多应被用来确定百分比为很多。
凌力尔特公司保留测试更严格的限制权
比给出。
典型性能特性
反向击穿电压
7.03
0
I
R
= 1毫安
7.02
7.01
7.00
6.99
6.98
6.97
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH129 TPC01
反向击穿电压（ V）
反向击穿电压
随电流（MV ）
温度COEF网络cient
15
温度COEF网络cient （ PPM / ° C）
10
5
0
–5
–10
–15
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH129 TPC03
REVERSE动态阻抗（ HRS ）
I
R
≤
1mA
2
凌力尔特公司
1630麦卡锡大道，加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-7417
q
(408) 432-1900
传真： （ 408 ） 434-0507
q
电传： 499-3977
q
www.linear-tech.com
ü W
ü W
反向击穿电压
更改与当前
0.6mA
≤
I
R
≤
15mA
–5
–10
–15
–20
–25
–30
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH129 TPC02
反向动态阻抗
7
6
5
4
3
2
1
0
1
10
100
总剂量拉德（SI ）
1000
RH129 TPC04
V
S
=
±15V
V
CM
= 0V
内径第66-10-0174版本A 0397
LT / HP 0497 500 REV A 美国印刷
凌力尔特公司1990年
QQ：2881677436 复制
