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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第197页 > RGF1K
RGF1A-RGF1M
RGF1A - RGF1M
特点
玻璃钝化结。
对于表面安装应用程序。
低正向压降。
高电流能力。
方便取放。
高浪涌电流能力。
3.93
3.73
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
2
1
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
1.67
1.47
SMA/DO-214AC
+
2.38
2.18
5.49
5.29
最低推荐
土地模式
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1.0安培快速恢复整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
@ T
L
= 125°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到铅**
存储温度范围
工作结温
价值
1.0
单位
A
30
1.76
11.7
85
28
-65到+175
-65到+175
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
1A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压@ 1.0
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1998
仙童半导体国际
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
1B
100
70
100
1D
200
140
200
1G
400
280
400
5.0
100
1.3
150
8.5
250
500
1J
600
420
600
1K
800
560
800
1M
1000
700
1000
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
V
nS
pF
RGF1A - RGF1M ，英文内容
RGF1A-RGF1M
快恢复二极管
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
1.25
正向电流（ A）
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
50
1
40
0.75
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
对0.2× 0.2"
（ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
30
0.5
20
0.25
10
0
0
25
50
75
100
125
引线温度（ C）
150
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
20
10
反向电流（
A)
正向电流（ A）
30
10
反向特性
T
A
= 150
C
T
A
= 125
C
1
1
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
50
电容（pF）
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
反向电压（ V）
50
100
RGF1A - RGF1M ，英文内容
SMA / DO- 214AC封装尺寸
SMA / DO- 214AC （ FS PKG代码P5 ）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示尺寸是：
英寸[毫米]
每单位的部分重量（克）： 0.064
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
3.93
3.73
2
1
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
1.67
1.47
+
2.38
2.18
5.49
5.29
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
最低推荐
土地模式
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1999年8月修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
英文内容
RGF1A通RGF1M
威世半导体
原通用半导体
表面安装玻璃钝化结
快速开关整流器
反向电压
DO- 214BA （ GF1 ）
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
ED *
耳鼻喉科
at
P
50 1000V
正向电流
1.0A
贴装焊盘布局
0.094 MAX 。
（ 2.38 MAX 。 ）
0.066 MIN 。
（ 1.68 MIN 。 ）
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
尺寸以英寸（毫米）
玻璃塑料封装技术涵盖了专利
3996602号，钎焊引线通过专利汇编
3930306处事的专利号5151846成形
0.052 MIN 。
（ 1.32 MIN 。 ）
0.220
（ 5.58 ） REF
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
适用于表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
腔的玻璃钝化结
能够满足环境标准的MIL -S- 19500
内置应变消除易于取放
快速开关的高效率
高温焊接保证：
450℃ / 10秒的终端。
265 ℃下完整的设备潜水温度
10秒钟焊料浴
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA ，模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.12克
包装代码/选项：
13元“卷（12毫米磁带） 19 / 6.5K
每7 “卷17 / 1.5K （12毫米磁带）
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 120°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
符号RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M
RA
50
35
50
RB
100
70
100
RD
200
140
200
RG
400
280
400
1.0
30
50
80
28
-65到+175
RJ
600
420
600
RK
800
560
800
RM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
° C / W
°C
单位
马克斯。满负荷反向电流，全周期平均牛逼
A
= 55 ° C I
R（ AV ）
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
英镑
电气特性
(T
参数
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
在典型的反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25 A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M
V
F
I
R
t
rr
C
J
150
8.5
1.30
5.0
100
250
500
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
单位
V
A
ns
pF
在1.0A最大正向电压
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅，PCB安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88697
08-Feb-02
www.vishay.com
1
RGF1A通RGF1M
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
30
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
25
20
15
10
5
0
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
正向平均整流电流（ A）
1
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
0.5
60 H
Z
电阻或
感性负载
0
100
110
120
130
140
150
160
175
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
10
10
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 125°C
1
T
J
= 100°C
1
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
0.1
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
100
100
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
瞬态热阻抗（ ° CW）
安装在
0.2× 0.2" （ 5 X 7毫米）
铜焊盘区
10
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
2
文档编号88697
08-Feb-02
1.0A烧结玻璃钝化
快速恢复整流
RGF1A - RGF1MA
1.0A烧结玻璃钝化快速恢复整流器
特点
快速开关的高效率
非常适合表面贴装自动化应用
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
在终端
塑料包装已UL可燃性分类94V- 0
符合RoHS标准
SMA
机械数据
案例：
终端：
极性：
安装位置：
重量：
JEDEC DO- 214AC （ SMA ）模压塑料多钝化芯片
镀锡，每MIL -STD- 750 ，方法2026
颜色频带端为负极
任何
0.002 ounes ， 0.064克
最大额定值和电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
描述
马克斯。重复峰值
反向电压
马克斯。 RMS电压
马克斯。隔直
电压
马克斯。正向电压
马克斯。平均正向
整流电流
马克斯。满载
反向电流
峰值正向浪涌
当前
反向电流
@ VR = VRRM
RGF
1A
50
35
50
RGF
1B
100
70
100
RGF
1D
200
140
200
RGF
1G
400
280
400
RGF
1J
600
420
600
1.3
1.0
100
30
5
RGF
1JA
600
420
600
RGF
1K
800
560
800
RGF
1KA
800
560
800
RGF
1M
1000
700
1000
RGF
1MA
1000
700
1000
单位
V
V
V
V
A
A
A
I
F（ AV ）
=1.0A
T
L
=100°C
T
A
=55°C
注1
T
A
=25°C
A
T
A
=125°C
T
A
=150°C
150
500
300
500
300
nS
I
F
=0.5A,
I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A.
条件
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
F
I
F（ AV ）
I
R（ AV ）
I
FSM
I
R
30
50
TRR
马克斯。反向
恢复时间
150
250
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本B / AH 2008-01-16
第1页6
1.0A烧结玻璃钝化快速恢复整流器
RGF1A - RGF1MA
符号
描述
RGF
1A
RGF
1B
RGF
1D
RGF
1G
RGF
1J
RGF
1JA
105
C / W
32
15
pF
V
R
=4V,
f=1MHz
注2
RGF
1K
RGF
1KA
RGF
1M
RGF
1MA
单位
条件
RTH
JA
RTH
JL
C
J
典型的热
阻力
典型结
电容
工作结
和存储
温度范围
T
J,
T
英镑
-65到+175
°C
注意：
1. 8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
从结点2到环境的热阻和结点，带领PCB安装
0.2 × 0.2 “ （ 5.0 × 5.0毫米）铜焊垫领域。
典型特性曲线
FIG.1-正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流（ A）
平均正向电流（ A）
Fig.2-最大非重复正向浪涌电流
铅温度（ ℃）
循环次数在60Hz
版本B / AH 2008-01-16
www.taitroncomponents.com
第2 6
1.0A烧结玻璃钝化快速恢复整流器
RGF1A - RGF1MA
正向电压（ V）
瞬时反向漏电流（ μA ）
FIG.3-典型正向特性
图4 - 典型的反向特性
瞬时正向电流（ A）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图5 - 典型结电容
瞬态热阻抗， （℃ W）
结电容（PF ）
图6 - 典型的瞬态热阻抗
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间，秒
版本B / AH 2008-01-16
www.taitroncomponents.com
第3页6
1.0A烧结玻璃钝化快速恢复整流器
RGF1A - RGF1MA
尺寸以英寸（毫米）
SMA （ DO- 214AC ）
标识信息：
版本B / AH 2008-01-16
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第4 6
1.0A烧结玻璃钝化快速恢复整流器
RGF1A - RGF1MA
包装信息：
带尺寸
（单位：mm）
组件
概要
SMA
A0
见注1
P
4.00±0.10
B0
见注1
P0
4.0±0.10
D
1.5±0.1
P2
2.0±0.1
E
1.75±0.1
T最大。
0.40
F
5.50±0.05
W
12.00±3.00
K0
见注1
T2
2.54±0.10
B1
8.20max.
D1
1.5min.
卷轴尺寸
（单位：mm）
A
330 ± 2.0 （ TR30 ）
178 ± 2.0 （ TR70 ）
B
50min.
C
13.0±0.5
w
18.7max.
T
14.4max.
版本B / AH 2008-01-16
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分页： 5 6
数据表
1.0安培MEGARECTIFIERS
机械尺寸
RGF1A 。 。 。 GF1M系列
描述
特点
n
高温的冶金
美云结合建设
n
快速开关的高
效率
n
CAPABILITY次会议
环境标准
的MIL -S- 19500
电气特性@ 25
o
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
RMS反向电压... V
R（ RMS ）
DC阻断电压... V
DC
平均正向整流电流... I
F（ AV ）
在T
A
= 120°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
8.3 mS, ½ Sine Wave Superimposed on Rated Load
正向电压@ 1.0A ... V
F
满载反向电流... I
R（ AV ）
全周期平均@ T
A
= 55°C
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
RGF1A 。 。 。 RGF1M系列
RGF1A RGF1B
50
35
50
100
70
100
RGF1D
200
140
200
RGF1G RGF1J
400
280
400
600
420
600
RGF1K RGF1M
800
560
800
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
伏
μAMPS
............................................. 1.0 ...............................................
............................................. 3 0 ...............................................
............................................. 1.3 ...............................................
............................................. 5 0 ...............................................
............................................. 5 ...............................................
............................................. 1 0 0 ...............................................
............................................. 8.5 ...............................................
............................................. 2 8 ...............................................
< ....................... 1 5 0 ..................... >
250
< ..... 5 0 0 .... >
......................................... -65 175 ..... .....................................
μAMPS
μAMPS
pF
°C
/ W
nS
°C
典型结电容... C
J
（注1 ）
典型热阻...
θJL
（注2 ）
典型的反向恢复时间...吨
RR
（注3）
工作&储存温度范围牛逼...
J
, T
STRG
10-16页
数据表
1.0安培MEGARECTIFIERS
典型结电容
反向电压（伏）
不重复
峰值正向浪涌电流
正向电流降额曲线
安培
安培
循环次数@ 60 Hz的
典型的反向特性
铅温度（ ℃）
°
典型的正向特性
安培
安培
在收视率
25℃ 。 C环境
温度
除非另有
指定的。
单相半
波， 60赫兹
电阻或
感性负载。
额定峰值电压的百分比
注意事项：
1.测量@ 125°C ， IF = 3安培。
2.测得脉冲宽度= 300US ， 2 ％的占空比。
伏
对于电容
负载，减免
电流20％ 。
10-17页
RGF1A 。 。 。 RGF1M系列
pF
RGF1A-RGF1M
RGF1A - RGF1M
特点
玻璃钝化结。
对于表面安装应用程序。
低正向压降。
高电流能力。
方便取放。
高浪涌电流能力。
SMA/DO-214AC
颜色频带为负极
快速整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1A
最高重复反向电压
平均正向电流整流，
@ T
L
= 125°C
非重复性峰值正向浪涌
当前
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
1B
100
1D
200
价值
1G
400
1.0
1J
600
1K
800
1M
1000
单位
V
A
30
-65到+175
-65到+175
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
参数
功耗
热阻，结到环境*
热阻，结到铅*
价值
1.76
85
28
单位
W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
符号
V
F
t
rr
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1A
正向电压@ 1.0
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
总电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
150
1B
1D
设备
1G
1.3
250
5.0
100
8.5
500
1J
1K
1M
单位
V
ns
A
A
pF
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
RGF1A - RGF1M ，启摹
RGF1A-RGF1M
快速整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
1.25
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
50
1
40
0.75
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
对0.2× 0.2"
（ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
30
0.5
20
0.25
10
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
150
175
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
20
10
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
30
10
T
A
= 150
C
T
A
= 125
C
1
1
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压，V
F
[V]
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
50
总电容，C
T
[ pF的]
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
反向电压， V
R
[V]
50
100
图5.总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
RGF1A - RGF1M ，启摹
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
RGF1A通RGF1M
威世半导体
原通用半导体
表面安装玻璃钝化结
快速开关整流器
反向电压
DO- 214BA （ GF1 ）
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
ED *
耳鼻喉科
at
P
50 1000V
正向电流
1.0A
贴装焊盘布局
0.094 MAX 。
（ 2.38 MAX 。 ）
0.066 MIN 。
（ 1.68 MIN 。 ）
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
尺寸以英寸（毫米）
玻璃塑料封装技术涵盖了专利
3996602号，钎焊引线通过专利汇编
3930306处事的专利号5151846成形
0.052 MIN 。
（ 1.32 MIN 。 ）
0.220
（ 5.58 ） REF
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
适用于表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
腔的玻璃钝化结
能够满足环境标准的MIL -S- 19500
内置应变消除易于取放
快速开关的高效率
高温焊接保证：
450℃ / 10秒的终端。
265 ℃下完整的设备潜水温度
10秒钟焊料浴
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA ，模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.12克
包装代码/选项：
13元“卷（12毫米磁带） 19 / 6.5K
每7 “卷17 / 1.5K （12毫米磁带）
最大额定值&热特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 120°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
符号RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M
RA
50
35
50
RB
100
70
100
RD
200
140
200
RG
400
280
400
1.0
30
50
80
28
-65到+175
RJ
600
420
600
RK
800
560
800
RM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
° C / W
°C
单位
马克斯。满负荷反向电流，全周期平均牛逼
A
= 55 ° C I
R（ AV ）
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
英镑
电气特性
(T
参数
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
在典型的反向恢复时间
I
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
= 0.25 A
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M
V
F
I
R
t
rr
C
J
150
8.5
1.30
5.0
100
250
500
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
单位
V
A
ns
pF
在1.0A最大正向电压
注意：
（ 1 ）从结点到环境的热阻结点到铅，PCB安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
文档编号88697
08-Feb-02
www.vishay.com
1
RGF1A通RGF1M
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
30
图。 2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
25
20
15
10
5
0
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
正向平均整流电流（ A）
1
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
0.5
60 H
Z
电阻或
感性负载
0
100
110
120
130
140
150
160
175
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 60 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
10
10
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
J
= 125°C
1
T
J
= 100°C
1
T
J
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
0.1
0.1
T
J
= 25°C
0.01
0.4
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结
电容
100
100
图。 6 - 典型瞬态
热阻抗
瞬态热阻抗（ ° CW）
安装在
0.2× 0.2" （ 5 X 7毫米）
铜焊盘区
10
结电容（pF ）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
1
1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
2
文档编号88697
08-Feb-02
RGF1A通RGF1M
表面安装玻璃钝化结
快速开关整流器
反向电压 -
50到1000伏特
*
E
D
DO-214BA
改进的J- BEND
正向电流 -
1.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
理想的表面贴装汽车应用
高温冶金结合建设
玻璃钝化内腔无结
能够满足环境标准
MIL-S-19500
内置应变消除
方便取放
快速开关的高效率
高温焊接保证：
450℃ / 5秒，端子
完整的设备潜水温度
265 ℃下进行10秒的焊锡浴
P
A
T
E
N
0.060 (1.52)
0.040 (1.02)
T
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.0105 (0.27)
0.0065 (0.17)
0.118 (3.00)
0.106 (2.69)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.152
典型值。
0.006
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
尺寸以英寸（毫米）
*
玻璃塑料封装技术所覆盖
专利号3996602 ，通过专利号3930306和铅钎焊引线装配
通过专利号5151846成形
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214BA模压塑料在玻璃体内
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.0048盎司， 0.120克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号RGF1A
RGF1B
RGF1D
RGF1G
RGF1J
RGF1K
RGF1M
单位
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
=120°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
满载最大反向电流，
全周期平均，
T
A
=55°C
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻
T
A
=25°C
T
A
=125°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R（ AV ）
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
RA
50
35
50
RB
100
70
100
RD
200
140
200
RG
400
280
400
1.0
30.0
1.30
50.0
5.0
100
RJ
600
420
600
RK
800
560
800
RM
1000
700
1000
伏
伏
伏
AMP
安培
伏
A
A
最大反向恢复时间
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
150
8.5
85.0
28.0
-65到+175
250
500
ns
pF
° C / W
°C
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用虚拟现实= 4.0伏特
结（ 3 ）到环境的热阻和交界处领导
P.C.B.安装在0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘区
4/98
额定值和特性曲线RGF1A THRU RGF1M
正向平均整流电流，
安培
图。 1 - 正向电流降额曲线
60 H
Z
电阻或
感性负载
P.C.B.安装在
0.2× 0.2 “ （ 5.0× 5.0毫米）
铜焊盘区
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
30
峰值正向浪涌电流，
安培
1
25
20
15
10
5
0
T
J
=T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
0.5
0
100
110
120
130
140
150
160
175
焊接温度， ℃，
1
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3 - 典型正向
特征
10
10
瞬时正向电流，
安培
瞬时反向电流，
微安
图。 4 - 典型的反向特性
T
J
=125°C
T
J
=25°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
T
J
=100°C
0.1
0.1
T
J
=25°C
0.01
0.01
0.4
0
20
40
60
80
100
百分之额定峰值反向电压， ％
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压，伏
图。 5 - 典型结电容
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
JUNCTION ，电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MH
Z
Vsig=50mVp-p
100
安装在0.2× 0.2 “ （ 5× 7毫米）
铜焊盘区
10
10
1
1
1
10
反向电压，伏
100
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒
10
100
RGF1A-RGF1M
RGF1A - RGF1M
特点
玻璃钝化结。
对于表面安装应用程序。
低正向压降。
高电流能力。
方便取放。
高浪涌电流能力。
3.93
3.73
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
2
1
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
1.67
1.47
SMA/DO-214AC
+
2.38
2.18
5.49
5.29
最低推荐
土地模式
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1.0安培快速恢复整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
@ T
L
= 125°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到铅**
存储温度范围
工作结温
价值
1.0
单位
A
30
1.76
11.7
85
28
-65到+175
-65到+175
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
1A
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压@ 1.0
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1998
仙童半导体国际
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
1B
100
70
100
1D
200
140
200
1G
400
280
400
5.0
100
1.3
150
8.5
250
500
1J
600
420
600
1K
800
560
800
1M
1000
700
1000
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
V
nS
pF
RGF1A - RGF1M ，英文内容
RGF1A-RGF1M
快恢复二极管
（续）
典型特征
正向电流降额曲线
1.25
正向电流（ A）
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
50
1
40
0.75
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
对0.2× 0.2"
（ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
30
0.5
20
0.25
10
0
0
25
50
75
100
125
引线温度（ C）
150
175
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
正向特性
20
10
反向电流（
A)
正向电流（ A）
30
10
反向特性
T
A
= 150
C
T
A
= 125
C
1
1
T
A
= 100
C
T
A
= 25
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
50
电容（pF）
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
反向电压（ V）
50
100
RGF1A - RGF1M ，英文内容
SMA / DO- 214AC封装尺寸
SMA / DO- 214AC （ FS PKG代码P5 ）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示尺寸是：
英寸[毫米]
每单位的部分重量（克）： 0.064
0.181 (4.597)
0.157 (3.988)
0.062 (1.575)
0.055 (1.397)
3.93
3.73
2
1
0.114 (2.896)
0.098 (2.489)
1.67
1.47
+
2.38
2.18
5.49
5.29
0.208 (5.283)
0.188 (4.775)
0.096 (2.438)
0.078 (1.981)
最低推荐
土地模式
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.002 (0.051)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1999年8月修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
英文内容
RGF1A - RGF1M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
快速开关的高效率
无铅/符合RoHS免费
表面贴装
快恢复二极管
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.21克
2.0
±
0.2
尺寸以毫米
等级25
°
C环境温度，除非另有specifie 。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载
对于容性负载，减免电流20 ％
最大额定值和电气特性
等级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流T
L
= 125
°C
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大峰值正向电压在我
F
= 1.0 A
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
总电容（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
SYMBOL RGF1A RGF1B RGF1DRGF1G RGF1J RGF1KRGF1M单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.3
5
100
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
TA = 25
°C
TA = 125
°C
最大反向恢复时间（注1 ）
150
8.5
250
- 65 + 175
- 65 + 175
500
ns
pf
°C
°C
C
T
T
J
T
英镑
（ 1 ）反向恢复测试条件：
F
I = 0.5 A，I
R
= 1.0 A， IRR = 0.25 A.
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0反向电压
DC
V
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
额定值和特性曲线（ RGF1A - RGF1M ）
图1 - 正向电流
电流降额
1.2
30
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流每支架
正向平均整流
当前，安培
峰值正向浪涌
当前，安培
100
125
150
175
1.0
电阻性或电感性负载
0.8
25
20
0.6
15
0.4
10
0.2
P.C.B.安装在
0.2 × 0.2 " （ 0.5 × 0.5
mm)
P dA的
0 C
0
25
50
75
5
0
1
10
100
外壳温度（
°
C)
循环次数在60Hz
图3 - 典型瞬时
正向特性每支架
20
图。 4 - 典型的反向
特性每支架
10
10
正向
当前，安培
T
A
= 125
°C
1
瞬时反向
目前，马
T
A
= 150
°C
1
T
A
= 100
°C
T
A
= 25
°C
0.1
0.1
T
A
= 25
°C
0.01
脉冲宽度= 300
μs
2 ％的占空比
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
正向
电压，伏
百分比额定峰值反向
电压， （ ％ ）
图。 5 - 典型结电容每支架
100
总电容，PF
10
1
1
10
100
反向电压，伏
第2页2
启示录02 ： 2005年3月25日
RGF1A通RGF1M
威世通用半导体
表面安装玻璃钝化结快速开关整流器
特点
Superectifier结构，高可靠性的条件
SUPERECTIFIER
适合自动放置
快速开关的高效率
低漏电流
高正向浪涌能力
符合环保标准MIL -S- 19500
DO- 214BA （ GF1 ）
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
250 °C
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1.0 A
PPRIMARY特性
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
t
rr
T
J
马克斯。
50 V到1000 V.
30 A
1.3 V
150纳秒，为250 ns ， 500 ns的
175 °C
机械数据
案例：
DO- 214BA ，模塑环氧树脂在玻璃体内
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，符合AEC - Q101标准
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HE3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
两个乐队表示阴极结束 - 1
st
BAND
表示设备类型和2
nd
频带为重复峰值
反向电压额定值
典型应用
对于电源的快速切换整治利用，
逆变器，转换器和续流二极管
消费电子，汽车和电信。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
= 120 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
满载最大反向电流，完整周期
平均牛逼
A
= 55 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
R（ AV ）
T
J
, T
英镑
符号
RGF1A
RA
50
35
50
RGF1B
RB
100
70
100
RGF1D
RD
200
140
200
RGF1G
RG
400
280
400
1.0
30
50
- 65 + 175
RGF1J
RJ
600
420
600
RGF1K RGF1M
RK
800
560
800
RM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
μA
°C
单位
文档编号： 88697
修订： 15 -MAR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
RGF1A通RGF1M
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大
瞬时
正向电压
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
典型的反向
恢复时间
典型结
电容
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
I
R
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
t
rr
C
J
150
8.5
100
250
500
ns
pF
符号
V
F
RGF1A
RGF1B
RGF1D
RGF1G
1.3
5.0
μA
RGF1J
RGF1K
RGF1M单位
V
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
(1)
RGF1A
RGF1B
RGF1D
RGF1G
80
° C / W
28
RGF1J
RGF1K
RGF1M单位
记
(1)
从结点到环境的热阻结点到铅，PCB安装0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）铜焊盘区
订购信息
（例）
首选的P / N
RGF1J-E3/67A
RGF1J-E3/5CA
RGF1JHE3/67A
(1)
RGF1JHE3/5CA
(1)
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
单位重量（g ）
0.104
0.104
0.104
0.104
首选包装代码
67A
5CA
67A
5CA
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.25
30
P.C.B.安装在
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单一正弦半波
25
1.00
20
0.75
15
0.50
10
0.25
60赫兹
电阻或
感性负载
120
140
160
180
5
0
100
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
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2
RGF1A通RGF1M
威世通用半导体
10
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
正向电流（A ）
1
结电容（pF ）
1.6
0.1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
10
0.01
0.4
1
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 典型结电容
10
T
J
= 125 °C
100
1
T
J
= 100 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
0.1
T
J
= 25 °C
1
安装在
0.2" X 0.2" （5.0毫米× 5.0毫米）
铜焊盘区
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型的反向特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214BA （ GF1 ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.076 (1.93)
马克斯。
0.066 (1.68)
0.040 (1.02)
0.187 (4.75)
0.167 (4.24)
0.015 (0.38)
0.0065 (0.17)
0.060 (1.52)
分钟。
0.118 (3.00)
0.100 (2.54)
0.108 (2.74)
0.098 (2.49)
0.220 (5.58)
REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.006 （ 0.152 ） TYP 。
0.226 (5.74)
0.196 (4.98)
0.114 (2.90)
0.094 (2.39)
文档编号： 88697
修订： 15 -MAR- 11
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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RC20-14R3-3
R80186-10B
REC2.2-1215SRH1
RP102N301D
RXT-121212
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