RG1A THRU RG1M
玻璃钝化快速开关整流器
反向电压 -
50到1000伏特
正向电流 -
1.0安培
特点
DO-204AP
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.240 (6.1)
马克斯。
0.150 (3.8)
0.100 (2.5)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
高温冶金结合
施工
密封包装
玻璃钝化内腔无结
1.0安培操作
在T
A
= 55°C ，无
热失控
典型的我
R
小于0.1μA
能够满足环境标准
MIL-S-19500
快速开关的高效率
高温焊接保证：
350 ℃/ 10秒0.375"设计（9.5mm ）引线长度，
5磅。 （ 2.3千克）张力
P
A
T
E
N
T
E
D
*
机械数据
尺寸以英寸（毫米）
*
钎焊引线组件覆盖专利号3930306
案例：
JEDEC DO204AP实心玻璃体
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
0.02盎司， 0.56克
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
RG1A
RG1B
RG1D
RG1G
RG1J
RG1K
RG1M
单位
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计（9.5mm ）引线长度在T
A
=55°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
在1.0A最大正向电压
满载最大反向电流，
全周期平均0.375“设计（9.5mm ）
铅长度
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
典型热阻
（注1 ）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（ AV
)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
AMP
I
FSM
V
F
I
R（ AV ）
30.0
1.3
1.0
100.0
2.0
150
15.0
55.0
-65到+175
200
250
500
安培
伏
A
A
ns
pF
° C / W
°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J
, T
英镑
典型结电容
（注2 ）
（注3
)
工作结存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5A ，我
R
= 1.0A ，我
rr
=0.25A
（ 2 ）测得1.0 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
结（ 3 ）热电阻以0.375室温？设计（9.5mm ）引线长度， P.C.B.安装
4/98
额定值和特性曲线RG1A和RG1M
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流
30
峰值正向浪涌电流，
安培
T
A
=25°C
8.3ms单半
正弦波（ JEDEC的方法）
正向平均整流电流，
安培
图。 1 - 正向电流降额曲线
1.0
0.8
电阻或
感性负载
20
IPK / I
AV ？
π
0.6
0.4
0.2
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
电容
负载
5.0
IPK / I
AV
=
10
20
10
0
1
100
125
150
175
10
周期数的AT 60 H
Z
0
100
0
25
50
75
环境温度下，
°C
图。 4 - 典型的反向特性
图。 3 - 典型正向
特征
20
10
瞬时反向电流，
微安
20
10
瞬时正向电流，
安培
T
J
=125°C
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
1
1
T
J
=75°C
0.1
0.1
T
J
=25°C
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压，伏
百分比额定峰值反向
电压％
图。 5 - 典型结电容
30
结电容， pF的
T
J
=25°C
F = 1.0 MHz的
VSIG ， 50mVp -P最大值。
10
1
1
10
反向电压，伏
100
日前，Vishay
RG1A到RG1M
威世半导体
快Sinterglass二极管
\
特点
高温冶金结合CON-
梁支
密封包装
腔的玻璃钝化结
1.0安培运行在T
AMB
= 55°C ，无热敏
发作失控
快速开关的高效率
17031
机械数据
案例：
烧结玻璃的情况下， JEDEC DO- 204AP
终端：
焊接镀轴向引线，每焊
MILSTD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量：
560毫克
零件表
部分
RG1A
RG1B
RG1D
RG1G
RG1J
RG1K
RG1M
V
RRM
= 50 V
V
RRM
= 100 V
V
RRM
= 200 V
V
RRM
= 400 V
V
RRM
= 600 V
V
RRM
= 800 V
V
RRM
= 1000 V
类型分化
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
DO- 204AP （G1）
包
文档编号86074
第2版， 28 -JAN- 03
www.vishay.com
1
RG1A到RG1M
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压=重复峰值反向
电压
测试条件
请参阅电气特性
请参阅电气特性
请参阅电气特性
请参阅电气特性
请参阅电气特性
请参阅电气特性
请参阅电气特性
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
满载最大反向电流
0.375 " （9.5 mm）引线长度在T
AMB
= 55 °C
8.3ms单一正弦半波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
全周期平均0.375 " （9.5 mm）引线
长度在T
AMB
= 25 °C
全周期平均0.375 " （9.5 mm）引线
长度在T
AMB
= 100 °C
工作结温和存储温度
范围
部分
RG1A
RG1B
RG1D
RG1G
RG1J
RG1K
RG1M
符号
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
V
R
=
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
R（ AV ）
I
R（ AV ）
T
J
,
T
英镑
日前，Vishay
价值
50
100
200
400
600
800
1000
1.0
30
1.0
100
- 55到+
175
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
°C
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
典型热阻
1)
1)
符号
R
θJA
价值
55
单位
K / W
从结点到环境的热阻为0.375 " （9.5 mm）引线长度，PCB安装
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大正向
电压
反向电流
最大反向恢复时间
I
F
= 1 A
V
R
= V
RRM
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1兆赫
RG1A
RG1B
RG1D
RG1G
RG1J
RG1K
RG1M
测试条件
部分
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
t
rr
t
rr
t
rr
t
rr
t
rr
C
J
15
典型值。
最大
1.3
2.0
150
150
150
150
200
250
500
单位
V
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
www.vishay.com
2
文档编号86074
第2版， 28 -JAN- 03
日前，Vishay
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
正向平均整流电流（ A）
1.0
负载电阻或电感
0.8
IPK / I
AV
=
π
0.6
容性负载
IPK / I
AV =
5.0
10
20
20
RG1A到RG1M
威世半导体
瞬时反向电流（ μA ）
10
T
J
= 125°C
1
0.4
T
J
= 75°C
0.1
0.2
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
grg1a_01
环境温度（ ℃）
grg1a_04
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
30
30
T
A
= 25°C
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
T
J
= 25°C
F = 1.0MH
Z
VSIG ， 50mVp -P最大值。
10
峰值正向浪涌电流（ A）
20
10
结电容（pF ）
0
1
grg1a_02
10
100
grg1a_05
1
1
10
100
周期数的AT 60 H
Z
反向电压（ V）
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
图5.典型结电容
20
正向电流（A ）
10
T
J
= 25°C
1
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
0.1
0.01
0.4
grg1a_03
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
正向电压（ V）
图3.典型正向特性
文档编号86074
第2版， 28 -JAN- 03
www.vishay.com
3
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
RG1A到RG1M
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号86074
第2版， 28 -JAN- 03
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
