RFW2N06RLE
数据表
1999年7月
网络文件编号
2838.3
2A ， 60V ， 0.160欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
该RFW2N06RLE N沟道逻辑电平， ESD保护，
功率MOSFET是采用MegaFET制造
流程。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI集成电路，给人最佳
利用硅，保证了出色的性能。
该RFW2N06RLE被设计为与逻辑电平用
（5V）的应用中，如可编程的驱动源
控制器，汽车开关，开关稳压器，
开关转换器，电机和继电器驱动器和发射器
开关为双极型晶体管。这表现
通过特殊的栅极氧化物的设计来实现这
提供全额定导在门的偏见，在3V至
5V的范围内，从而促进真正的开关电源控制
直接从逻辑电路的电源电压。
以前发育类型TA9861 。
特点
2A ， 60V
r
DS
（上） = 0.160Ω
UIS额定值曲线（单脉冲）
设计优化目标5伏栅极驱动器
可以直接从CMOS ， NMOS ， TTL驱动
电路
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
静电放电保护
订购信息
产品型号
RFW2N06RLE
包
HEXDIP
BRAND
RFW2N06RLE
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
4 PIN HEXDIP
漏
门
来源
6-283
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFW2N06RLE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFW2N06RLE
60
60
2
14
-510
1.09
0.009
参见UIS曲线
2
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
KV
o
C
o
C
o
C
漏极至源极击穿电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子（图1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
静电放电额定值， MIL -STD- 883 ，类别B（ 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .ESD
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
T
C
= 125
o
C
民
60
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
13
42
95
45
-
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 5V
V
GS
= 0 1V
V
DD
= 48V ，我
D
= 2A,
I
G（ REF ）
=0.5mA,
R
L
= 24
（图12，图15，图16 ）
-
-
-
-
-
-
-
20
11
0.6
535
175
32
-
最大
-
2
1
25
±100
160
200
100
-
-
-
-
200
30
16
1.0
-
-
-
115
单位
V
V
A
A
nA
m
m
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
I
GSS
r
DS （ ON）
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
（关闭）
Q
G（ TOT ）
Q
g
(5)
Q
g
（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
V
GS
= -5V至10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 5V （图8）
I
D
= 2A ，V
GS
= 4.3V （图8）
V
DD
= 30V ，我
D
= 2A ，R
L
= 15, V
GS
= 5V,
R
G
= 25Ω （图12 ，图13， 14）的
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图11）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：宽度
≤
300μS占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A ， DL
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.2
200
单位
V
ns
6-284
RFW2N06RLE
典型性能曲线
1.50
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 2A
除非另有规定编
（续）
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 5V ，我
D
= 2A
2.0
1.25
1.5
1.00
1.0
0.75
0.5
0.50
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
V
GS
，门源电压（ V）
7.0
0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
图7.归漏极至源极电压
VS栅极电压
图8.归漏极至源极导
电阻与结温
归一化的栅极阈值电压
1.50
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.25
归一漏极至源极
击穿电压
1.50
I
D
= 250A
1.25
1.00
1.00
0.75
0.75
0.50
0.25
-50
0
50
100
150
0.50
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
T
J
，结温（
o
C)
图9.归栅极阈值电压VS
结温
1500
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
图10.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
L
= 30
I
G（ REF ）
- 0.5毫安
V
GS
= 5V
45
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
门
来源
电压
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
10
V
GS
，门源电压（ V）
1200
C，电容（pF ）
900
30
5
600
C
国际空间站
300
C
OSS
C
RSS
15
V
DD
= BV
DSS
漏源电压
0
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图11.电容VS漏源极电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流
6-286
RFW2N06RLE
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
R
L
V
DS
V
GS
V
GS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
90%
V
DS
90%
-
0V
R
GS
DUT
0
10%
90%
10%
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图13.开关时间测试电路
图14.电阻开关波形
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
V
DD
V
GS
V
GS
= 1V
0
Q
G（ TH ）
I
G（ REF ）
0
V
GS
= 5V
-
DUT
I
G（ REF ）
图15.栅极电荷测试电路
图16.门充电波形
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