RFT2P03L
数据表
1999年7月
文件编号4574.2
2.1A ， 30V ， 0.150欧姆，P沟道逻辑
级，功率MOSFET
该产品是制造的P沟道功率MOSFET
使用MegaFET过程。这个过程中，它使用
特征尺寸接近LSI电路，使
硅的最佳利用，造成优秀
性能。它被设计用于的应用，如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
和继电器驱动器。该晶体管可直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA49222 。
特点
2.1A ， 30V
r
DS （ ON）
= 0.150
温度补偿PSPICE
模型
热阻抗SPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFT2P03L
包
SOT-223
2P03L
BRAND
符号
D
注： RFT2P03L仅在磁带和卷轴。使用整个
部件号，并添加SUF网络X T.
G
S
包装
SOT-223
漏
（法兰）
来源
漏
门
7-7-19
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFT2P03L
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
-30
-30
±20V
2.1
图5
图6，图14 ， 15
1.1
0.009
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的（注2 ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功率耗散（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
A
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
垫面积= 0.171中
2
（见注2 ）
焊盘面积= 0.068中
2
（参见技术简介377 ）
焊盘面积= 0.026中
2
（参见技术简介377 ）
V
GS
= 0V至-20V
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= 0V至-2V
V
DD
= -15V ，我
D
2.1A,
R
L
= 7.1
I
G（ REF ）
= -1.0mA
（图13）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V ，T
A
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= 2.1A ，V
GS
= -10V （图9 ）
I
D
= 2.1A ，V
GS
= -4.5V （图9）
V
DD
= -15V ，我
D
2.1A,
R
L
= 7.1, V
GS
= 10V,
R
GS
= 21
民
-30
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.120
0.300
-
13
18
43
24
-
27
14
1.3
620
240
30
-
-
-
最大
-
-3
-1
-50
±100
0.150
0.360
50
-
-
-
-
100
33
17
1.6
-
-
-
110
128
147
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到环境
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
2. 110
o
使用FR- 4电路板C / W测量0.171的
2
足迹1000秒。
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= -2.1A
I
SD
= -2.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= -2.1A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
-1.25
49
45
单位
V
ns
nC
7-7-20
RFT2P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
-6
-20
I
AS
，雪崩电流（ A）
-5
I
D
，漏电流（ A）
-4
-3
起始物为
J
= 150
o
C
起始物为
J
= 25
o
C
-16
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
V
GS
= -7V
V
GS
= -6V
（续）
-12
-2
-8
V
GS
= -5V
V
GS
= -4.5V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
-1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
-4
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
T
A
= 25
o
C
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
0
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
-20
归一漏极至源极
抗性
I
D,
漏电流（ A）
-16
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
1.8
-55
o
C
25
o
C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10V ，我
D
= 2.1A
-12
150
o
C
-8
-4
0
0
-1.5
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
V
GS
，门源电压（ V）
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.2
I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
7-7-22
RFT2P03L
典型性能曲线
除非另有规定编
750
C
国际空间站
600
C，电容（pF ）
V
GS
= 0V ， F =为0.1MHz
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
（续）
-10
V
GS
，门源电压（ V）
任意波形
降序排列：
I
D
= 2.1A
I
D
= 1A
V
DD
= -15V
-8
-6
450
C
OSS
300
-4
-2
150
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
0
3
6
9
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
15
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.门充电波形恒
栅电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
+
V
DD
V
DD
0V
V
GS
DUT
t
P
I
AS
0.01
I
AS
t
P
BV
DSS
V
DS
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
V
DS
R
L
Q
G（ TH ）
0
V
GS
= -2V
V
GS
-
V
DD
+
V
DS
-V
GS
Q
g(-10)
V
DD
Q
G（ TOT ）
0
I
G（ REF ）
V
GS
= -10V
DUT
I
G（ REF ）
V
GS
= -20V
图16.栅极电荷测试电路
图17.栅极充电波形
7-7-23
QQ：2880707522 复制
