RFP6P08 , RFP6P10
数据表
1999年10月
网络文件编号
1490.2
-6A , -80V和-100V , 0.600欧姆,
P沟道功率MOSFET
这些是P沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管专为高速
应用,如开关稳压器,开关
变流器,继电器驱动器,以及高功率双极驱动器
开关晶体管。
以前发育类型TA09046 。
特点
-6A , -80V和-100V
r
DS ( ON)
= 0.600
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
BRAND
订购信息
产品型号
RFP6P08
RFP6P10
包
TO-220AB
TO-220AB
RFP6P08
RFP6P10
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
注:订购时,包括整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
(法兰)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP6P08 , RFP6P10
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RFP6P08
80
80
6
20
±20
60
0.48
-55到150
300
260
RFP6P10
100
100
6
20
±20
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲(注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 (用于TO- 220AB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
-80
-100
V
GS ( TH)
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图7)
V
DS
=额定BV
DSS
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
(T
C
= 125
o
C)
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 25V
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
(图8)
RFP6P08 , RFP6P10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11
48
102
70
-
-
-
-
-
-
-4
1
25
±100
0.6
-3.6
60
100
150
100
800
350
150
2.083
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP6P08
RFP6P10
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
漏极至源极电压上(注2 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 6A ,V
GS
= -10V (图5,图6)
I
D
= 6A ,V
GS
= -10V
V
DD
= 50V ,我
D
≈
6A
R
G
= 50, R
L
= 16
V
GS
= -10V
(图13,14 )
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压(注2 )
反向恢复时间
注意事项:
2.脉冲测试:脉冲持续时间
≤
300μS最大,占空比
≤
2%.
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= -3A
I
SD
= 4A , DL
SD
/ DT = 50A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
150
最大
-1.4
-
单位
V
ns
2
RFP6P08 , RFP6P10
典型性能曲线
3
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 6A
V
GS
= -10V
2
归一化门
阈值电压
1
(续)
1.5
I
D
= 250A
V
GS
= -10V
1
0.5
0
-50
50
100
150
0
o
C)
T
J
,结温(
200
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
,结温(
o
C)
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
800
V
DS
,漏源极电压( V)
700
C,电容(pF )
600
500
400
300
C
OSS
200
100
0
0
-10
-20
-30
-40
V
DS
,漏源极电压( V)
-50
C
RSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
100
BV
DSS
75
门
TO
来源
电压
10
V
GS
,门源电压( V)
8
V
DD
= BV
DSS
6
V
DD
= BV
DSS
50
R
L
= 16.67
I
G
( REF ) = 0.46毫安
V
GS
= -10V
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏极至源极
电压
4
25
2
0
我( REF)
20
G
I
G
(法)
吨,时间( ms)的
我( REF)
80
G
I
G
(法)
0
注:请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
+
V
DD
V
DD
0V
V
GS
DUT
t
P
I
AS
0.01
I
AS
t
P
BV
DSS
V
DS
图11.松开能源利用检测电路
图12.松开能源波形
4
RFP6P08 , RFP6P10
测试电路和波形
(续)
t
ON
t
D(上)
t
r
R
L
0
10%
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
10%
DUT
V
GS
R
G
-
V
DD
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图13.开关时间测试电路
图14.电阻开关波形
Intersil所有半导体产品的制造,组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
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5