RFM4N35 ， RFM4N40 ， RFP4N35 ， RFP4N40
半导体
数据表
1998年10月
文件编号1491.3
4A ， 350V和400V ， 2.000 Ohm的N通道
功率MOSFET
特点
4A ， 350V和400V
r
DS （ ON）
= 2.000
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
[ /标题
这些是N沟道增强型硅栅
[ /标题
(RFM4N
电源连接的场效晶体管设计的应用，
()
35,
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
/子
RFM4N
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
拍摄对象（ ）
40,
/ Autho
晶体管需要高的速度和低的栅极驱动电源。
RFP4N3
这些类型可以直接从集成操作
r ()
电路。
5,
/密钥 -
RFP4N4
以前发育类型TA17404 。
WORDS
0)
()
订购信息
/主题
/ Cre-
产品型号
包
BRAND
(4A,()
ATOR
RFM4N35
TO-204AA
RFM4N35
350V
/ DOCI
RFM4N40
TO-204AA
RFM4N40
和
NFO
RFP4N35
TO-220AB
RFP4N35
400V,
PDF-
RFP4N40
TO-220AB
RFP4N40
2.000
标志
欧姆， N-
注：订货时，使用整个零件编号。
通道
[
动力
包装
/页面 -
MOSFET导
模式
JEDEC TO- 204AA
场效应管）
/使用 -
/作者
OUT-
漏
()
线
（法兰）
/密钥 -
/ DOC-
WORDS
意见
（哈里斯
PDF-
半
标志
传导
SOURCE （PIN 2 ）
器， N-
GATE （引脚1）
通道
动力
MOSFET导
场效应管，
TO -
204AA,
TO -
220AB)
/造物主
()
符号
D
G
S
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
1998年哈里斯公司
RFM4N35 ， RFM4N40 ， RFP4N35 ， RFP4N40
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
RFM4N35
350
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 1MΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
350
绝对最大额定值
RFM4N40
400
400
4
8
±20
75
0.6
-55到150
300
260
RFP4N35
350
350
4
8
±20
60
0.48
-55到150
300
260
RFP4N40
400
400
4
8
±20
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 （用于TO- 220 ） 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
4
8
±20
75
0.6
-55到150
300
260
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
400
350
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图8）
V
DS
=额定BV
DSS
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 125
o
C
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 25V,
V
GS
= 0V
F = 1MHz的（图9）
-
-
-
RFM4N35 ， RFM4N40
RFP4N35 ， RFP4N40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
42
130
62
-
-
-
-
-
-
-
4
1
25
±100
2.000
8
45
60
200
100
750
150
100
1.67
2.083
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFM4N40 ， RFP4N40
RFM4N35 ， RFP4N35
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极导通电压（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
I
D
= 4A ，V
GS
= 10V （图6，图7）
I
D
= 4A ，V
GS
= 10V
V
DD
= 200V ，我
D
= 2A ，R
G
= 50
R
L
= 100, V
GS
= 10V
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向Recorvery时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
800
最大
1.4
-
单位
V
ns
2
RFM4N35 ， RFM4N40 ， RFP4N35 ， RFP4N40
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
5
4
RFM4N35 ， RFM4N40
3
RFP4N35 ， RFP4N40
2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
0
50
100
150
0
25
50
T
C
，外壳温度（
o
C)
75
100
125
o
C)
T
C
，外壳温度（
150
图1.归功耗与案例
温度
10
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
T
C
= 25
O
C
T
J
=最大额定
I
D
，漏电流（ A）
RFM4N35 ， 40
RFP4N35 ， 40
7
6
5
4
3
2
1
TC = 25
o
C
为80μs脉冲测试
占空比
≤
2%
V
GS
= 20 V
V
GS
= 8 - 10V
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
I
D
，漏电流（ A）
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
GS
= 5V
RFM4N35 ， RFP4N35
RFM4N40 ， RFP4N40
0.1
1
V
GS
= 4V
10
100
V
DS
，漏源极电压
1000
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
25
图3.正向偏置安全工作区
图4.饱和特性
8
7
I
D
，漏电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
0
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
V
DS
= 20V
脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
4
T
C
= 125
o
C
3
V
GS
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
2
T
C
= 25
o
C
T
C
= -40
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= -40
o
C
1
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图5.传输特性
图6.漏极至源极导通电阻VS漏
当前
3
RFM4N35 ， RFM4N40 ， RFP4N35 ， RFP4N40
典型性能曲线
2
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 4A
V
GS
= 10V
归一化门
阈值电压
1.5
（续）
1.5
V
DS
= 10V
I
D
= 250A
1
1
0.5
0.5
0
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温（
o
C)
0
-50
0
50
125
150
175
T
J
，结温（
0
C)
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
V
DS ，
漏源极电压（ V）
800
700
C，电容（pF ）
600
500
400
300
200
100
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极到源极（ V）
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
500
10
V
GS ，
门源电压（ V）
375
V
DD
= BV
DSS
250
门
TO
V
DD
= BV
DSS
来源
电压
R
L
=100
I
G（ REF ）
= 0.45毫安
V
GS
= 10V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
8
6
4
125
2
漏源电压
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
I
G（ REF ）
80
I
G（ ACT ）
0
T，时间（μs ）
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图9.电容VS漏源极电压
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
+
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
4
QQ：2880707522 复制
