RFP4N05 ， RFP4N06
1999年6月
网络文件编号
2880.2
4A ， 50V和60V ， 0.800 Ohm的N通道
功率MOSFET
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA09378 。
特点
4A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.800
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
G
产品型号
RFP4N05
RFP4N06
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP4N05
RFP4N06
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
4-523
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP4N05 ， RFP4N06
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP4N05
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（ RGS = 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
漏电流， RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大Temperat6ure的焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
50
50
4
10
±20
25
0.2
-55到150
300
260
RFP4N06
60
60
4
10
±20
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图8）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极电压上（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1MHz时（图9）
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
I
D
= 4A ，V
GS
= 10V， （图6,7 ）
I
D
= 4A ，V
GS
= 10V
I
D
≈
1A ，V
DD
= 30V ，R
GS
= 50,
R
L
= 29.2, V
GS
= 10V,
（图10 ）
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
14
16
14
-
-
-
-
-
-
4
1
25
±100
0.800
3.2
15
30
30
25
200
85
30
5
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
电气连接特定的阳离子
参数
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP4N05
RFP4N06
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：宽度
≤
300μS占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 1A
I
SD
= 2A ， DL
SD
/ DT = 50A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
100
最大
1.4
-
单位
V
ns
4-524
RFP4N05 ， RFP4N06
典型性能曲线
2
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 4A ，V
GS
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
归一化门
阈值电压
1.5
除非另有规定编
（续）
2
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.5
1
1
0.5
0.5
0
-50
0
50
0
50
100
T
J
，结温（
o
C)
150
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
V
DS
，漏源极电压（ V）
200
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
门
来源
电压
R
L
= 15
I
G（ REF ）
= 0.095毫安
V
GS
= 10V
0.75BV
DSS
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
0.25BV
DSS
10
V
GS
，门源电压（ V）
160
C，电容（pF ）
8
120
6
C
国际空间站
30
4
80
C
OSS
40
C
RSS
0
15
漏源电压
2
0
0
10
20
30
40
50
V
DS ，
漏源极电压（ V）
60
0
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
4-526
RFP4N05 ， RFP4N06
测试电路和波形
V
DS
（隔离
SUPPLY ）
V
DD
同一类型
作为DUT
0.3F
Q
gs
D
V
DS
G
DUT
0
Q
G（ TOT ）
Q
gd
V
GS
当前
调节器
12V
电池
0.2F
50k
I
G（ REF ）
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G（ REF ）
0
图13.栅极电荷测试电路
图14.门充电波形
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