RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
3574.4
45A ， 60V ， 0.028 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA49028 。
特点
45A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.028
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
漏
订购信息
产品型号
RFG45N06
RFP45N06
RF1S45N06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG45N06
RFP45N06
F1S45N06
门
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀，图9A，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即
RF1S45N06SM9A.
来源
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
4-455
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG45N06 ， RFP45N06
RF1S45N06SM
60
60
45
是指峰值电流曲线
±20
参见UIS曲线
131
0.877
-55至175
300
260
单位
V
V
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
G
= 20KΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V (125
o
C)
V
GS
=
±20V
I
D
= 45A ，V
GS
= 10V （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A
R
L
= 0.667, V
GS
= +10V
R
G
= 3.6Ω （图13）
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 45A,
R
L
= 1.07
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
（图13）
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
74
37
16
-
125
67
3.7
2050
600
200
-
-
最大
-
4
1
25
±100
0.028
120
-
-
-
-
80
150
80
4.5
-
-
-
1.14
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
4-456
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θ
JC
归一化暂态
热阻抗
1
0.5
P
DM
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
400
T
J
=最大额定
单脉冲
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
10
3
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T C
I = I
-----------------------
-
25
150
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 60V
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
100
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
T
C
= 25
o
C
1
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-457
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
125
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
10
0
0
1.5
3
4.5
6
7.5
100
100
起始物为
J
= 25
o
C
75
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
50
25
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
V
DS ，
漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
125
100
归一漏极至源极
抗性
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
25
o
C
2.5
175
o
C
2
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
75
1.5
50
1
25
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
2.0
I
D
= 250A
击穿电压
归一化门
阈值电压
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
T
J,
结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4-458
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
4000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
除非另有规定编
（续）
60
V
DS ，
漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
门源电压（ V）
C，电容（pF ）
3000
30
0.75 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.33
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
GS
= 10V
0
20
5.0
15
2.5
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-459
性S E M I C 0 N D ü （C T）
RFG45N06 ， RFP45N06 ，
RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
45A ， 60V ，额定雪崩N沟道
增强型功率MOSFET
套餐
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
1995年12月
特点
45A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.028
温度补偿
PSPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
+175
o
C的工作温度
描述
该RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
N沟道功率MOSFET所使用的制
MegaFET过程。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI集成电路给出最佳
利用硅，保证了出色的性能。
它们被设计用于的应用，如开关
荷兰国际集团稳压器，开关转换器，电机驱动器，继电器
驱动器和发射极开关，用于双极型晶体管。这些
晶体管可以直接从集成电路来操作。
包装可用性
产品型号
RFG45N06
RFP45N06
RF1S45N06
RF1S45N06SM
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
包
TO-247
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
RFG45N06
RFP45N06
F1S45N06
F1S45N06
漏
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
来源
漏
门
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即
RF1S45N06SM9A.
以前发育类型TA49028 。
JEDEC TO- 263AB
M
A
符号
G
D
A
A
漏
（法兰）
门
来源
S
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
RFG45N06 ， RFP45N06
RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
60
60
±20
45
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
125
131
0.877
-55到+175
单位
V
V
V
A
漏源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
最大雪崩电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
AM
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
A
W
W/
o
C
o
C
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
哈里斯公司1995年
网络文件编号
3574.2
3-33
特定网络阳离子RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 60V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
I
D
= 45A ，V
GS
= 10V
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A
R
L
= 0.667, V
GS
= +10V
R
GS
= 3.6
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= 48V,
I
D
= 45A,
R
L
= 1.07
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
74
37
16
-
125
67
3.7
2050
600
200
-
-
最大
-
4
1
50
100
0.028
120
-
-
-
-
80
150
80
4.5
-
-
-
1.14
80
o
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
C / W
栅极 - 源极漏电流
抗性
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
G(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
o
C / W
源极 - 漏极二极管特定网络阳离子
参数
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
3-34
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
400
T
C
= +25
o
C
10
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
100
10ms
100ms
DC
Z
θ
JC
归一化
热响应
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
+ T
C
10
-2
10
-1
10
0
10
1
P
DM
V
DSS
MAX = 60V
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-5
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图1，并且采取措施经营面积曲线
图2.归一化最大瞬态热
阻抗
50
I
DM
，峰值电流容量（ A）
10
3
T
C
= +25
o
C
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
V
GS
= 20V
I = I
175
–
T
C
-
25
-----------------------
150
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图3.最大连续漏极电流VS
温度
图4.峰值电流容量
I
D（上）
，ON状态下的漏电流（A）
125
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
100
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= +25
o
C
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
125
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
-55
o
C
V
DD
= 15V
+25
o
C
100
+175
o
C
75
75
50
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
50
25
25
0
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
7.5
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图5.典型的饱和特性
图6.典型的传输特性
3-35
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
r
DS （ ON）
，归一化的导通电阻
（续）
2.5
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
V
GS （ TH）
归一化门
阈值电压
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
0.0
-80
-40
0
40
80
120
o
160
200
T
J,
结温（ C）
T
J,
结温（ C）
图7.归
DS （ ON）
VS结
温度
I
D
= 250A
图8.归栅极阈值电压Vs
温度
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
BV
DSS ，
归一化漏 - 源
2.0
击穿电压
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图9.归一漏源击穿
电压与温度
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
图10.归功耗与
温度降额曲线
60
V
DS ，
漏源极电压（ V）
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
栅源电压（ V）
4000
C，电容（pF ）
3000
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
5.0
15
2.5
R
L
= 1.33
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
GS
= 10V
0
20
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
图11.典型电容VS电压
图12.归一化开关波形
恒定的栅极电流。 REFER TO
应用笔记AN7254和AN7260
3-36
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
（续）
100
起始物为
J
= +25
o
C
10
起始物为
J
= +150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
10
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
图13.非钳位感应开关
测试电路和波形
BV
DSS
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
R
G
V
DS
L
+
-
V
DD
DUT
0V
t
AV
t
P
I
L
0.01
图14.松开能源波形
图15.松开能源利用检测电路
t
ON
t
D（上）
t
R
V
DS
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
F
90%
V
DD
R
L
V
DS
V
GS
10%
10%
0V
90%
R
GS
DUT
V
GS
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.电阻开关波形
图17.电阻开关测试电路
3-37
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
数据表
2002年1月
45A ， 60V ， 0.028 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计，测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA49028 。
特点
45A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.028
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
漏
订购信息
产品型号
RFG45N06
RFP45N06
RF1S45N06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG45N06
RFP45N06
F1S45N06
门
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即
RF1S45N06SM9A.
来源
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
门
来源
漏
（法兰）
2002仙童半导体公司
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM版本B
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG45N06 ， RFP45N06
RF1S45N06SM
60
60
45
是指峰值电流曲线
±
20
参见UIS曲线
131
0.877
-55至175
300
260
单位
V
V
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
G
= 20K
） （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V （图11）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图10 ）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V (125
o
C)
V
GS
=
±
20V
I
D
= 45A ，V
GS
= 10V （图9）
V
DD
= 30V ，我
D
= 45A
R
L
= 0.667
, V
GS
= +10V
R
G
= 3.6
（图13）
民
60
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0到20V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 48V ，我
D
= 45A,
R
L
= 1.07
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
（图13）
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
12
74
37
16
-
125
67
3.7
2050
600
200
-
-
最大
-
4
1
25
±
100
0.028
120
-
-
-
-
80
150
80
4.5
-
-
-
1.14
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏源导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
R
θ
JA
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
S，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3）和峰值电流
性能曲线（图5） 。
2002仙童半导体公司
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM版本B
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
I
D
，漏电流（ A）
除非另有规定编
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θ
JC
归一化暂态
热阻抗
1
0.5
P
DM
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θ
JC
个R
θ
JC
+ T
C
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
400
T
J
=最大额定
单脉冲
T
C
= 25
o
C
I
DM
峰值电流（ A）
10
3
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
175
–
T C
I = I
-----------------------
-
25
150
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 60V
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
100
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
10
2
跨
可能限流
在这个区域
40
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
T，脉冲宽度（毫秒）
10
3
10
4
T
C
= 25
o
C
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM版本B
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
300
I
如，
雪崩电流（ A）
除非另有规定编
（续）
125
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 8V
V
GS
= 7V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
10
0
0
1.5
3
4.5
6
7.5
100
100
起始物为
J
= 25
o
C
75
10
起始物为
J
= 150
o
C
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
50
25
1
0.01
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
0.1
1
t
AV，
一次雪崩（毫秒）
V
DS ，
漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
125
100
归一漏极至源极
抗性
10
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
25
o
C
2.5
175
o
C
2
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 45A
75
1.5
50
1
25
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一漏极至源极
2.0
I
D
= 250A
击穿电压
归一化门
阈值电压
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J,
结温（
o
C)
T
J,
结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2002仙童半导体公司
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM版本B
RFG45N06 ， RFP45N06 ， RF1S45N06SM
典型性能曲线
4000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
V
DS ，
漏源极电压（ V）
除非另有规定编
（续）
60
V
DD
= BV
DSS
45
V
DD
= BV
DSS
7.5
10
V
GS ，
门源电压（ V）
C，电容（pF ）
3000
30
0.75 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 1.33
I
G（ REF ）
= 1.5毫安
V
GS
= 10V
0
20
5.0
15
2.5
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
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