RFP45N02L,
RF1S45N02L ， RF1S45N02LSM
1997年5月
45A ， 20V ， 0.022 Ohm的N通道
逻辑电平功率MOSFET
描述
该RFP45N02L ， RF1S45N02L和RF1S45N02LSM是
N沟道功率MOSFET，采用制造
MegaFET过程。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI电路，给出了最佳利用
硅，保证了出色的性能。他们是
在应用中，如开关，设计用于
稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从英特进行操作
磨碎电路。
以前发育类型TA49243 。
特点
45A ， 20V
r
DS （ ON）
= 0.022
温度补偿
PSPICE模型
可以直接从CMOS ， NMOS和TTL驱动
电路
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
订购信息
产品型号
RFP45N02L
RF1S45N02L
RF1S45N02LSM
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
FP45N02L
F45N02L
符号
D
G
F45N02L
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF网络连接X，
9A ，获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，如：
RF1S45N02LSM9A.
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 262AA
来源
漏
门
漏
（法兰）
漏
（法兰）
A
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
漏
（法兰）
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
4342
1
RFP45N02L ， RF1S45N02L ， RF1S45N02LSM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有规定编
RFP45N02L ， RF1S45N02L ，
RF1S45N02LSM
漏源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
减免上述25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
20
20
±10
45
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
90
0.606
-55至175
260
W
W/
o
C
o
C
o
C
单位
V
V
V
A
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V
I
D
= 45A ，V
GS
= 5V
V
DD
= 15V ，我
D
45A,
R
L
= 0.33, V
GS
= 5V,
R
GS
= 5
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
民
20
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
DD
= 16V,
I
D
45A,
R
L
= 0.35
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
160
20
20
-
50
30
1.5
1300
724
250
-
-
最大
-
2
1
50
±100
0.022
260
-
-
-
-
60
60
36
1.8
-
-
-
1.65
80
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
门源阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
r
DS （ ON）
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 45A
I
SD
= 45A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
125
单位
V
ns
2
RFP45N02L ， RF1S45N02L ， RF1S45N02LSM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
175
0
25
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
温度降额
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
Z
θ
JC
归一化
热阻抗
0.5
0.2
0.1
0.1
.05
.02
.01
单脉冲
0.01
10
-5
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
个R
θ
JC
X Z
θ
JC
+ T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
P
DM
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
T
C
= 25
o
C，T
J
=最大额定
I
DM
峰值电流（ A）
500
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
100
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
1ms
10
=
I
25
175 - T
C
150
10ms
100ms
DC
V
DSS
MAX = 20V
50
跨
可能限流
在这个区域
T
C
= 25
o
C
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
3
RFP45N02L ， RF1S45N02L ， RF1S45N02LSM
典型性能曲线
（续）
200
I
AS
，雪崩电流（ A）
100
I
D
，漏电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
75
V
GS
= 4.5V
100
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
10
起始物为
J
= 150
o
C
50
V
GS
= 4V
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
) +1]
1
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
100
25
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
o
C
脉冲宽度= 250μs的，T
C
= 25
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
100
I
D（上）
， ON-状态下的漏电流（A）
V
DD
= 15V
100
175
o
C
75
25
o
C
50
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
图7.饱和特性
-55
o
C
75
I
D
= 15A
50
I
D
= 30A
I
D
= 45A
I
D
= 2A
25
25
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
V
GS
，门源电压（ V）
7.5
脉冲宽度= 250μs的
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
GS
，门源电压（ V）
图8.传热特性
图9.漏极至源极导通电阻VS
栅极电压和漏极电流
2.0
脉冲宽度= 250μs的，V
GS
= 5V ，我
D
= 45A
归一化导通电阻
350
V
DD
= 15V ，我
D
= 45A ，R
L
= 0.333
300
t
r
切换时间（纳秒）
250
200
150
t
f
100
t
D（关闭）
50
t
D（上）
0
0
30
20
40
10
R
GS
，门源电阻（ Ω ）
50
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
160
200
图10.开关时间栅的功能
阻力
图11.归一漏极至源极ON
电阻与结温
4
RFP45N02L ， RF1S45N02L ， RF1S45N02LSM
典型性能曲线
（续）
2.0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
归一化门
阈值电压
1.5
归一漏极至源极
击穿电压
2.0
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图12.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图13.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
2500
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
2000
C，电容（pF ）
20
V
DD
= BV
DSS
15
V
DD
= BV
DSS
5.00
V
GS
，门源电压（ V）
1500
C
国际空间站
1000
C
OSS
500
C
RSS
R
L
= 0.44
I
G（ REF ）
- 0.5毫安
V
GS
= 5V
高原电压，
降序排列：
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= 0.75 BV
DSS
V
DD
= 0.50 BV
DSS
V
DD
= 0.25 BV
DSS
3.75
10
2.50
5
1.25
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
I G
(
REF
)
-
20
---------------------
I G
(
AC牛逼
)
T，时间（μs ）
I G
(
REF
)
-
80
---------------------
I G
(
AC牛逼
)
0
图14.电容VS漏源极电压
注：请参阅应用笔记AN7254和AN7260 。
图15.归一化开关波形
恒定的栅极电流
5
QQ：2881677436 复制
