RFG30P06 ， RFP30P06 ， RF1S30P06SM
数据表
1999年7月
网络文件编号
2437.3
30A ， 60V ， 0.065欧姆， P沟道功率
MOSFET的
这些P沟道功率MOSFET采用制造
在MegaFET过程。这个过程中，它使用特征
尺寸接近LSI电路，给出了最优
利用硅，保证了出色的性能。
它们被用在应用中，如开关设计
稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA09834 。
特点
30A ， 60V
r
DS （ ON）
= 0.065
温度补偿PSPICE
模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
175
o
C的工作温度
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFG30P06
RFP30P06
RF1S30P06SM
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
RFG30P06
RFP30P06
符号
D
G
F1S30P06
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即RF1S30P06SM9A 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（底部
侧的金属）
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
4-133
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFG30P06 ， RFP30P06 ， RF1S30P06SM
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFG30P06 ， RFP30P06
RF1S30P06SM
-60
-60
±20
30
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
135
0.9
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） （图5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值（图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性Deratlng因素。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
r
DS （ ON）
t
（上）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
（关闭）
Q
G（ TOT ）
Q
g(-10)
Q
G（ TH ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
R
θJA
的TO-220 ，TO- 263
TO-247
V
GS
= 0 -20V
V
GS
= 0至-10V
V
GS
= 0到-2V
V
DD
= -48V ，我
D
= 30A,
R
L
= 1.6,
I
G（ REF ）
= 1.6毫安
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
= -60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
I
D
= -30A ，V
GS
= -10V （图9 ）
V
DD
= -30V ，我
D
= 15A ，R
L
= 2.00, V
GS
= -10V
R
G
= 6.25
（图13）
民
-60
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
15
23
28
18
-
140
70
5.5
3200
800
175
-
-
最大
-
-4
-1
-25
±100
0.065
80
-
-
-
-
100
170
85
6.6
-
-
-
1.11
62
30
单位
V
V
A
A
nA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极电荷为-10V
阈值的栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图12）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS最大，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
符号
V
SD
t
RR
测试条件
I
SD
= -30A
I
SD
= -30A ，二
SD
/ DT = -100A / μs的
民
-
-
典型值
-
-
最大
-1.5
150
最大
V
ns
4-134
RFG30P06 ， RFP30P06 ， RF1S30P06SM
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
150
175
-30
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
C
，外壳温度（
o
C)
除非另有规定编
-40
-20
-10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
Z
θJC
归一化
热阻抗
0.5
0.2
P
DM
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
0
10
1
图3.归一化最大瞬态热阻抗
-200
-100
I
D
，漏电流（ A）
100s
I
DM
峰值电流（ A）
-500
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
当温度高于25
o
C
减额峰值电流
能力的方法如下：
1ms
-10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
T
C
= 25
o
C
T
J
=最大额定
-1
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
10ms
100ms
DC
-100
175
–
T C
I
=
I 25
---------------------
-
150
跨
可能限流
在这个区域
-10
10
-5
T
C
= 25
o
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-1
-100
T，脉冲宽度（ S）
图4.正向偏置安全工作区
图5.峰值电流容量
4-135
RFG30P06 ， RFP30P06 ， RF1S30P06SM
典型性能曲线
-100
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
I
D,
漏电流（ A）
-60
除非另有规定编
（续）
-75
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
V
GS
= -8V
V
GS
= -7V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -6V
-15
V
GS
= -4.5V
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
= -5V
-45
-10
起始物为
J
= 150
o
C
-30
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
-1
0.1
0
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 ，
图6.松开电感式开关能力
图7.饱和特性
I
DS （ ON）
，漏源电流（A）
-75
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -15V
-55
o
C
-45
175
o
C
-30
25
o
C
2
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10V ，我
D
= 30A
1.5
-60
1
0.5
-15
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS
，门源电压（ V）
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
图8.传热特性
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
2
I
D
= 250A
1.5
归一化门
阈值电压
1.5
1
1
0.5
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
T
J,
结温（
o
C)
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
4-136
RFG30P06 ， RFP30P06 ， RF1S30P06SM
典型性能曲线
4000
C
国际空间站
C，电容（pF ）
3000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
除非另有规定编
（续）
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
-60
V
DD
= BV
DSS
-45
R
L
= 2.0
I
G（ REF ）
= -1.6mA
V
GS
= -10V
-30
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
漏源电压
0
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
门
来源
电压
V
DD
= BV
DSS
-7.5
-10
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
-5
-10
-15
-5
-15
-2.5
-20
-25
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图12.电容VS漏源极电压
图13.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
t
AV
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
R
G
0
-
+
V
DD
V
DD
0V
V
GS
DUT
t
P
I
AS
0.01
I
AS
t
P
BV
DSS
V
DS
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
t
ON
t
D（上）
t
关闭
t
D（关闭）
t
r
t
f
10%
10%
V
DS
R
L
V
GS
0
-
V
DD
V
GS
R
GS
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
DUT
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图16.开关时间测试电路
图17.电阻开关波形
4-137
QQ：2881677436 复制
