RFP2P08 ， RFP2P10
半导体
数据表
1998年10月
文件编号2870.1
-2A ， -80V和-100V ， 3.500欧姆，
P沟道功率MOSFET
这些是P沟道增强型硅栅
特点
-2A ， -80V和-100V
r
DS （ ON）
= 3.500
[ /标题
电源连接的场效晶体管设计的应用，
相关文献
(RFP2P
开关稳压器，开关转换器。电机驱动器，
- TB334 “指南焊锡表面贴装
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
08,
组件到PC板
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
RFP2P
这些类型可以直接从集成操作
符号
10)
电路。
/子
以前发育类型TA_____ 。
D
拍摄对象（ -
2A, -
订购信息
80V
G
产品型号
包
BRAND
和 -
RFP2P08
TO-220AB
RFP2P08
100V,
S
RFP2P10
TO-220AB
RFP2P10
3.500
注：订货时，使用整个零件编号。
欧姆，
P-信
NEL
包装
动力
TO-220AB
MOSFET导
来源
场效应管）
漏
门
/作者
()
漏极（法兰）
/密钥 -
WORDS
（哈里斯
半
传导
器，
P-信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管，
TO -
220AB)
/ Cre-
员（ ）
/ DOCI
NFO
PDF-
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
1998年哈里斯公司
RFP2P08 ， RFP2P10
RFP2P08
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
-80
-80
2
5
±20
25
0.2
-55到150
300
260
RFP2P10
-100
-100
2
5
±20
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
畜牧业协会
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
ID = -250μA ， VGS = 0
-80
-100
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
-2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
（图9 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7
15
14
11
-
-
-
-
-
-
-4
-1
-25
±100
3.500
-7.0
25
45
45
25
150
80
30
5
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP2P08
RFP2P10
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极电压上（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= -2A ，V
GS
= -10V （图6，图7）
I
D
= -2A ，V
GS
= -10V
I
D
=
≈
1A ，V
DD
= -50V ，R
G
= 50, V
GS
= -10V,
R
L
= 46.5
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= -1A
I
SD
= -2A ，二
SD
/ DT = 50A / μs的
民
-
-
典型值
-
135
最大
-1.4
-
单位
V
ns
2
RFP2P08 ， RFP2P10
典型性能曲线
I
D
= -2A
V
GS
= -10V
脉冲持续时间为80μs =
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
归一漏极至源极
ON电阻（mΩ ）
2
I
D
= 250A
V
DS
= -5V
1.5
1
0.5
-50
0
50
100
150
0.6
-50
T
J,
结温（
o
C)
0
50
100
T
J,
结温（
o
C)
150
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
V
DD
= BV
DSS
75
V
DD
= BV
DSS
门
来源
电压
R
L
= 50
I
G（ REF ）
= 0.095毫安
V
GS
= -10V
0.75BV
DSS
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源
电压
0
V
GS
，门源电压（ V）
160
140
C，电容（pF ）
120
100
80
60
C
OSS
40
20
0
C
RSS
0
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
8
6
50
4
25
2
0
我（ REF）
20
G
I
G
（法）
T，时间（μs ）
我（ REF）
80
G
I
G
（法）
-10
-20
-30
-40
V
DS ，
漏源极电压（ V）
-50
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
图9.电容VS漏源极电压
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
0
10%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
10%
DUT
V
GS
R
G
-
V
DD
+
V
DS
V
GS
0
90%
90%
10%
50%
脉冲宽度
90%
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
4
QQ：2881677436 复制
