RFP2N12L
数据表
1999年4月
网络文件编号
2874.2
2A ， 120V ， 1.750欧姆，逻辑电平，
N沟道功率MOSFET
该RFP2N12L是一个N沟道增强型硅
门电源连接的场效晶体管具体来说设计使用
与逻辑电平（5V）的驱动源中的应用，如
可编程控制器，汽车开关，并
电磁阀的驱动程序。这种性能是通过完成
一个特殊的栅氧化层设计，提供全额定
在导通门的偏见，在3V - 5V的范围内，从而
直接推动真正的开关电源控制与逻辑电路
电源电压。
以前发育类型TA09528 。
特点
2A ， 120V
r
DS （ ON）
= 1.750
设计优化5V栅极驱动器
可以直接从QMOS ， NMOS驱动，
TTL电路
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
订购信息
产品型号
RFP2N12L
包
TO-220AB
BRAND
RFP2N12L
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
注：订购时，包括整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEL TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
6-252
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP2N12L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP2N12L
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压RGS = 20KΩ （注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述牛逼
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
120
120
±10
2
5
25
0.2
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图8）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V,
T
C
= 125
o
C
民
120
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
（图9 ）
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
10
10
24
20
-
-
-
-
最大
-
2
1
25
±100
3.5
1.750
25
45
45
25
200
80
35
5
单位
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极电压上（注2 ）
漏极至源极导通电阻（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 2A ，V
GS
= 5V
I
D
= 2A ，V
GS
= 5V （图6， 7）
I
D
≈
2A ，V
DD
= 75V ，R
G
= 6.25,
R
L
= 75, V
GS
= 5V
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS最大，占空比= 2 ％ 。
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 2A
I
SD
= 2A ， DL
SD
/ DT = 50A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
150
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-253
RFP2N12L
典型性能曲线
I
D
= 250A
V
GS
= 5V
归一化门
阈值电压
除非另有规定编
（续）
1.5
归一漏极至源极
抗性
2.0
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
50
0
50
100
T
J
，结温（
o
C)
150
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
240
200
C，电容（pF ）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
DS
，漏源极电压（ V）
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
150
R
L
= 75
I
G（ REF ）
= 0.095毫安
V
GS
= 10V
门
来源
电压
V
DD
= BV
DSS
4
37.5
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
10
V
GS
，门源电压（ V）
8
112.5
160
120
80
C
国际空间站
6
75
V
DD
= BV
DSS
C
OSS
2
40
C
RSS
0
10
20
30
40
V
DS ，
漏源极电压（ V）
50
0
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
6-255
RFP2N12L
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