【半导体RFP2N12,RFP2N152A ， 120V和150V ， 1.750欧姆，N沟道功率MO】,IC型号RFP2N12,RFP2N12 PDF资料,RFP2N12经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

RFP2N12,

RFP2N15

2A ， 120V和150V ， 1.750欧姆，

N沟道功率MOSFET

描述

这些都是N沟道增强型硅栅

电源连接的场效晶体管设计的应用，

开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，

继电器驱动和大功率双极开关

晶体管需要高速，低栅极驱动电源。

这些类型可以直接从集成税务局局长被操作

cuits 。

以前发育类型TA09196 。

BRAND

RFP2N12

RFP2N15

1998年9月

特点

2A ， 120V和150V

r

DS （ ON）

= 1.750

相关文献

- TB334 “指南焊锡表面贴装

组件到PC板“

[ /标题

(RFP2N

12,

RFP2N1

5)

/主题

(2A,

120V

和

150V,

1.75

欧姆， N-

通道

动力

MOSFET导

场效应管）

/作者

()

/密钥 -

WORDS

（哈里斯

半

传导

器， N-

通道

动力

MOSFET导

场效应管，

TO -

220AB)

/造物主

()

/ DOCIN

PDF- FO

标志

订购信息

产品型号

RFP2N12

RFP2N15

包

TO-220AB

符号

D

注：订购时，包括整个零件编号。

G

S

包装

JEDEL TO- 220AB

来源

漏

门

漏

（法兰）

[ /页面 -

模式

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。

版权

1998年哈里斯公司

网络文件编号

2882.1

5-1

RFP2N12 ， RFP2N15

绝对最大额定值

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

RFP2N12

120

2

5

±20

25

0.2

-55到150

300

260

RFP2N15

150

2

5

±20

25

0.2

-55到150

300

260

单位

V

A

V

W

W/

o

C

o

C

o

C

o

C

漏源极电压（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DS

漏极至栅极电压（R

GS

= 20kΩ时）（注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

DGR

连续漏电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。我

D

漏电流脉冲（注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .I

DM

门源电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

GS

最大功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 P

D

线性降额因子。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

工作和存储温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

J

, T

英镑

最高温度焊接

信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 .T

L

包体为10S ，见Techbrief 334 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。牛逼

PKG

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。

注意：

1. T

J

= 25

o

C至125

o

C.

电气连接特定的阳离子

参数

T

C

= 25

o

C，除非另有规定编

符号

BV

DSS

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

120

150

V

GS （ TH）

I

DSS

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250μA ，（图8）

V

DS

=额定BV

DSS

, V

GS

= 0V

V

DS

= 0.8×额定BV

DSS

, V

GS

=

0V ，T

C

= 125

o

C

2

-

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V

F = 1MHz时（图9）

-

17

30

17

-

4

1

25

±100

1.750

3.5

25

45

25

200

80

25

5

V

A

nA

V

ns

pF

o

C / W

民

典型值

最大

单位

漏源击穿电压

RFP2N12

RFP2N15

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极至源极导通电阻（注2 ）

漏极至源极电压上

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

热阻结到外壳

I

GSS

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

θ

JC

V

GS

=

±20V,

V

DS

= 0V

I

D

= 2A ，V

GS

= 10V （图6，图7）

I

D

= 2A ，V

GS

= 10V

I

D

≈

1A ，V

DD

= 75V ，R

G

= 50,

R

L

= 73, V

GS

= 10V

（图10 ，图11， 12）的

源极到漏极二极管特定网络阳离子

参数

源极到漏极二极管电压（注2 ）

二极管的反向恢复时间

注意事项：

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS占空比

≤

2%.

3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

符号

V

SD

t

rr

测试条件

I

SD

= -1A

I

SD

= 2A ， DL

SD

/ DT = 50A / μs的

民

-

典型值

-

150

最大

1.4

-

单位

V

ns

5-2

RFP2N12 ， RFP2N15

典型性能曲线

1.2

功耗乘法器

除非另有规定编

2.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

o

C)

T

C

，外壳温度（

150

I

D

，漏电流（ A）

2.0

1.5

1.0

0.5

0

25

50

75

100

125

T

C

，外壳温度（

o

C)

150

图1.归功耗与案例

温度

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

10

在这一领域

可能是有限的R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

3

脉冲持续时间为80μs =

占空比

≤

2%

T

C

= 25

o

C

V

GS

= 20V

V

GS

= 10V

V

GS

= 8V

2

1.5

V

GS

= 7V

V

GS

= 6V

2.5

1

0.10

1

0.5

V

GS

= 5V

V

GS

= 4V

0.01

1

10

100

V

DS

，漏源极电压（ V）

1000

0

1

2

3

4

5

V

DS ，

漏源极电压（ V）

6

图3.正向偏压操作区

图4.饱和特性

I

DS （ ON）

，漏源电流（A）

3

125

o

C

r

DS （ ON）

，漏源ON

电阻（Ω ）

V

DS

= 10V

脉冲持续时间为80μs =

占空比

≤

2%

-40

o

C

25

o

C

5

2.5

2

1.5

1

0.5

4

V

GS

= 10V

脉冲持续时间为80μs =

占空比

≤

2%

125

o

C

3

25

o

C

2

-40

o

C

125

o

C

-40

o

C

1

0

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

0

0.5

1.5

1

I

D,

漏电流（ A）

2

2.5

图5.传输特性

图6.漏极至源极导通电阻VS漏

当前

5-3

RFP2N12 ， RFP2N15

典型性能曲线

2

归一漏极至源极

抗性

I

D

= 2A

V

GS

= 10V

归一化门

阈值电压

除非另有规定编

（续）

1.4

V

GS

= V

DS

I

D

= 250A

1.5

1.2

1

1.0

0.5

0.8

0

-50

0

50

100

T

J

，结温（

o

C)

150

0.6

50

0

50

100

T

J

，结温（

o

C)

150

图7.归漏极至源极ON

电阻与结温

图8.归栅极阈值电压Vs

结温

240

200

C，电容（pF ）

160

120

80

40

V

DS

，漏源极电压（ V）

V

DD

= BV

DSS

112.5

门

来源

电压

0.75BV

DSS

0.50BV

DSS

0.25BV

DSS

V

DD

= BV

DSS

8

6

C

国际空间站

75

C

OSS

37.5

R

L

= 75

I

G（ REF ）

= 0.095毫安

V

GS

= 10V

漏源

电压

4

2

C

RSS

0

10

20

30

40

V

DS ，

漏源极电压（ V）

50

0

I

20

G（ REF ）

I

G（ ACT ）

T，时间（μs ）

I

80

G（ REF ）

I

G（ ACT ）

图9.电容VS漏源极电压

注：请参阅哈里斯的应用笔记AN7254和AN7260

图10.归一化开关波形

恒定的栅极电流

5-4

V

GS

，门源电压（ V）

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

GS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

C

OSS

= C

DS

+ C

GD

150

10

RFP2N12 ， RFP2N15

测试电路和波形

t

ON

t

D（上）

t

r

R

L

V

DS

90%

t

关闭

t

D（关闭）

t

f

90%

+

R

G

DUT

-

V

DD

0

10%

90%

10%

V

GS

V

GS

0

10%

50%

脉冲宽度

50%

图11.开关时间测试电路

图12.电阻开关波形

当前

调节器

V

DS

（隔离

SUPPLY ）

V

DD

同一类型

作为DUT

Q

G（ TOT ）

Q

gd

Q

gs

D

V

DS

V

GS

12V

电池

0.2F

50k

0.3F

G

DUT

0

I

G（ REF ）

0

I

G

当前

采样

电阻器

S

V

DS

I

D

当前

采样

电阻器

I

G（ REF ）

0

图13.栅极电荷测试电路

图14.门充电波形

5-5