半导体
RFM18N08 ， RFM18N10 ，
RFP18N08 ， RFP18N10
18A ， 80V和100V ， 0.100欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成税务局局长被操作
cuits 。
以前发育类型TA17421 。
BRAND
RFM18N08
RFM18N10
RFP18N08
RFP18N10
G
1998年9月
[ /标题
(RFM18
N08,
RFM18
N10,
RFP18N
08,
RFP18N
10)
/主题
(18A,
80V和
100V,
0.1欧姆，
N-二常用信
NEL
动力
MOSFET导
场效应管）
/作者
()
/密钥 -
WORDS
（哈里斯
半
传导
器， N-
通道
动力
MOSFET导
场效应管，
TO -
204AA,
TO -
220AB)
/造物主
()
/ DOCIN
PDF- FO
标志
特点
18A ， 80V和100V
r
DS （ ON）
= 0.100
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RFM18N08
RFM18N10
RFP18N08
RFP18N10
包
TO-204AA
TO-204AA
TO-220AB
TO-220AB
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
S
包装
JEDEC TO- 204AA
漏
（法兰）
漏
（ TAB ）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
SOURCE （PIN 2 ）
GATE （引脚1）
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1446.1
5-1
RFM18N08 ， RFM18N10 ， RFP18N08 ， RFP18N10
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFM18N08
80
80
18
45
±20
100
0.8
-55到150
300
260
RFM18N10
100
100
18
45
±20
100
0.8
-55到150
300
260
RFP18N08
80
80
18
45
±20
75
0.6
-55到150
300
260
RFP18N10
100
100
18
45
±20
75
0.6
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
80
100
V
GS （ TH）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图8）
I
DSS
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125
o
C
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz时，
（图9 ）
-
-
-
RFM18N08 ， RFM18N10
RFP18N08 ， RFP18N10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
300
150
150
-
-
-
-
-
-
-
4
1
25
±100
0.100
1.8
90
450
225
225
1700
750
300
1.25
1.67
V
V
V
A
A
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
o
C / W
民
典型值
最大单位
漏源击穿电压
RFM18N08 ， RFP18N08
RFM18N10 ， RFP18N10
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极电压上（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 18A ，V
GS
= 10V， （图6,7 ）
V
DD
= 50V ，我
D
≈
9A ，R
G
= 50, V
GS
= 10V,
R
L
= 5.5
（图10 ，图11， 12）的
V
DS （ ON）
I
D
= 18A ，V
GS
= 10V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJC
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制。
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 9A
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
民
-
-
典型值
-
150
最大
1.4
-
单位
V
ns
5-2
RFM18N08 ， RFM18N10 ， RFP18N08 ， RFP18N10
典型性能曲线
除非另有规定编
1.2
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
50
100
150
0
25
50
75
100
125
150
RFP18N08,
RFP18N10
RFM18N08,
RFM18N10
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
100
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
曲线必须降低
线性增长
温度
ER
AT
IO
N
35
30
I
D
，漏电流（ A）
25
V
G
= 7V
20
15
10
5
脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
T
C
= 25
o
C
V
G
= 6V
V
G
= 5V
V
G
= 4V
V
G
= 20V
V
G
= 10V
V
G
= 8V
I
D
，漏电流
10
DC
OP
操作
此区域可
限于由R
DS （ ON）
1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
1000
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极到源极（ V）
7
8
图3.正向偏置安全工作区
图4.饱和特性
40
I
DS （ ON）
，漏源电流
0.14
0.12
125
o
C
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
0.10
0.08
0.06
0.04
脉冲持续时间为80μs =
0.02占空比
≤
2%
T
C
= 25
o
C
V
GS
= 10V
0
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏电流（ A）
25
o
C
-40
o
C
125
o
C
V
DS
= 10V
35脉冲持续时间为80μs =
占空比
≤
2%
o
30 T
C
= 25 C
25
20
15
10
5
0
0
1
125
o
C
-40
o
C
25
o
C
-40
o
C
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，门源电压（ V）
9
10
30
35
图5.传输特性
图6.漏极至源极导通电阻VS
漏电流
5-3
RFM18N08 ， RFM18N10 ， RFP18N08 ， RFP18N10
典型性能曲线
除非另有规定编
2.0
归一漏极至源极
抗性
V
GS
= 10V
I
D
= 18A
脉冲持续时间为80μs =
归一化门
阈值电压
1.5
1.2
（续）
1.4
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.0
1
0.5
0.8
0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0.6
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
2400
2000
C，电容（pF ）
1600
1200
800
400
0
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（ V）
60
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
75
V
DD
= BV
DSS
门
来源
电压
8
6
50
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
25
0.25BV
DSS
漏源电压
0
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
2
4
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
5-4
V
GS
，门源电压（ V）
R
L
= 5.56
I
G（ REF ）
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
DD
= BV
DSS
10
RFM18N08 ， RFM18N10 ， RFP18N08 ， RFP18N10
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
当前
调节器
V
DS
（隔离
SUPPLY ）
V
DD
同一类型
作为DUT
Q
G（ TOT ）
Q
gd
Q
gs
D
V
DS
V
GS
12V
电池
0.2F
50k
0.3F
G
DUT
0
I
G（ REF ）
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G（ REF ）
0
图13.栅极电荷测试电路
图14.门充电波形
5-5
QQ：2881677436 复制
