RFP15N05L ， RFP15N06L
数据表
1999年7月
网络文件编号
1558.3
15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平
N沟道功率MOSFET
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA0522 。
特点
15A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.140
设计优化5V栅极驱动器
可从QMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
订购信息
产品型号
RFP15N05L
RFP15N06L
注意：
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP15N05L
RFP15N06L
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订货时，使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
漏
（ TAB ）
来源
漏
门
6-229
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP15N05L ， RFP15N06L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP15N05L
50
50
15
40
±10
60
0.48
-55到150
300
260
RFP15N06L
60
60
15
40
±10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
上述牛逼
C
= 25
o
C，线性降容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图7）
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
TC = 125
o
C
1
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 7.5A ，R
G
= 6.25
（图10，图11）
-
-
-
V
GS
= 5V
RFP15N05L ， RFP15N06L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
250
200
225
-
-
-
2
1
50
100
0.140
900
450
200
40
325
325
325
2.083
V
V
V
A
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP15N05L
RFP15N06L
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
θJC
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 15A ，V
GS
= 5V （图5，图6）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图8）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲：脉冲宽度=
≤
300μS最大，占空比=
≤
2%.
3. Repititive评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 7.5A
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
225
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-230
RFP15N05L ， RFP15N06L
典型性能曲线
1.4
V
GS
= V
DS
归栅极阈值
电压
I
D
= 250A
1.2
C，电容（pF ）
除非另有规定编
（续）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1
0.8
0.6
-50
0
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图7.归栅极阈值电压Vs
结温
60
漏源极电压（ V）
BV
DSS
45
图8.电容VS漏源极电压
10
门源电压（ V）
R
L
= 4
I
G
（ REF ） = 0.5毫安
V
GS
= 5V
门源
电压
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
4
8
6
30
15
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
2
0
20
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
T，时间（μs ）
80
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图10.开关时间测试电路
图11.电阻开关波形
6-232
RFP15N05L ， RFP15N06L
测试电路和波形
（续）
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
V
DD
V
GS
V
GS
= 1V
0
Q
G（ TH ）
I
G（ REF ）
0
V
GS
= 5V
-
DUT
I
G（ REF ）
图12.栅极电荷测试电路
图13.门充电波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
http://www.intersil.com
网络连接CE总部销售
北美
Intersil公司
邮政信箱883 ，邮件停止53-204
墨尔本， FL 32902
电话： （ 407 ） 724-7000
传真： （ 407 ） 724-7240
欧洲
Intersil的SA
美居中心
100街德拉引信
1130布鲁塞尔，比利时
TEL ： （ 32 ） 2.724.2111
FAX ： （ 32 ） 2.724.22.05
亚洲
Intersil公司（台湾）有限公司
7F - 6 ， 101号富兴北路
台北，台湾
中华民国
电话： （ 886 ） 2 2716 9310
传真： （ 886 ） 2 2715 3029
6-233
RFP15N05L ， RFP15N06L
数据表
2002年1月
15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平
N沟道功率MOSFET
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA0522 。
特点
15A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.140
设计优化5V栅极驱动器
可从QMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
订购信息
产品型号
RFP15N05L
RFP15N06L
注意：
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP15N05L
RFP15N06L
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订货时，使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
漏
（ TAB ）
来源
漏
门
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
RFP15N05L ， RFP15N06L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP15N05L
50
50
15
40
±
10
60
0.48
-55到150
300
260
RFP15N06L
60
60
15
40
±
10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
)
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
上述牛逼
C
= 25
o
C，线性降容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图7 ）
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
TC = 125
o
C
1
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 7.5A ，R
G
= 6.25
（图10，图11）
-
-
-
V
GS
= 5V
RFP15N05L ， RFP15N06L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
250
200
225
-
-
-
2
1
50
100
0.140
900
450
200
40
325
325
325
2.083
V
V
V
A
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP15N05L
RFP15N06L
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
θ
JC
V
GS
=
±
10V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ，V
GS
= 5V （图5，图6）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图8）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲：脉冲宽度=
≤
300
s的最大，占空比=
≤
2%.
3. Repititive评价：脉冲宽度有限的最高结温。
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 7.5A
测试条件
民
-
-
典型值
-
225
最大
1.4
-
单位
V
ns
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
RFP15N05L ， RFP15N06L
典型性能曲线
1.4
V
GS
= V
DS
归栅极阈值
电压
I
D
= 250A
1.2
C，电容（pF ）
除非另有规定编
（续）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1
0.8
0.6
-50
0
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图7.归栅极阈值电压Vs
结温
60
BV
DSS
漏源极电压（ V）
45
图8.电容VS漏源极电压
10
门源电压（ V）
R
L
= 4
I
G
（ REF ） = 0.5毫安
V
GS
= 5V
门源
电压
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
4
8
6
30
15
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
2
0
20
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
T，时间（μs ）
80
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图10.开关时间测试电路
图11.电阻开关波形
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
RFP15N05L ， RFP15N06L
数据表
2002年1月
15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平
N沟道功率MOSFET
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA0522 。
特点
15A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.140
设计优化5V栅极驱动器
可从QMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
订购信息
产品型号
RFP15N05L
RFP15N06L
注意：
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP15N05L
RFP15N06L
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订货时，使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
漏
（ TAB ）
来源
漏
门
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
RFP15N05L ， RFP15N06L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP15N05L
50
50
15
40
±
10
60
0.48
-55到150
300
260
RFP15N06L
60
60
15
40
±
10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20k
)
（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
上述牛逼
C
= 25
o
C，线性降容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250
A，V
GS
= 0V
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A（图7 ）
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
TC = 125
o
C
1
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 7.5A ，R
G
= 6.25
（图10，图11）
-
-
-
V
GS
= 5V
RFP15N05L ， RFP15N06L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
250
200
225
-
-
-
2
1
50
100
0.140
900
450
200
40
325
325
325
2.083
V
V
V
A
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP15N05L
RFP15N06L
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
θ
JC
V
GS
=
±
10V, V
DS
= 0V
I
D
= 15A ，V
GS
= 5V （图5，图6）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图8）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲：脉冲宽度=
≤
300
s的最大，占空比=
≤
2%.
3. Repititive评价：脉冲宽度有限的最高结温。
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 7.5A
测试条件
民
-
-
典型值
-
225
最大
1.4
-
单位
V
ns
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A /
s
RFP15N05L ， RFP15N06L
典型性能曲线
1.4
V
GS
= V
DS
归栅极阈值
电压
I
D
= 250A
1.2
C，电容（pF ）
除非另有规定编
（续）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1
0.8
0.6
-50
0
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图7.归栅极阈值电压Vs
结温
60
BV
DSS
漏源极电压（ V）
45
图8.电容VS漏源极电压
10
门源电压（ V）
R
L
= 4
I
G
（ REF ） = 0.5毫安
V
GS
= 5V
门源
电压
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
4
8
6
30
15
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
2
0
20
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
T，时间（μs ）
80
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图10.开关时间测试电路
图11.电阻开关波形
2002仙童半导体公司
RFP15N05L ， RFP15N06L版本B
RFP15N05L ， RFP15N06L
数据表
1999年7月
网络文件编号
1558.3
15A ， 50V和60V ， 0.140欧姆，逻辑电平
N沟道功率MOSFET
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动和大功率双极开关
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA0522 。
特点
15A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.140
设计优化5V栅极驱动器
可从QMOS ， NMOS ， TTL电路驱动
适用于汽车的驱动要求
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
订购信息
产品型号
RFP15N05L
RFP15N06L
注意：
包
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
RFP15N05L
RFP15N06L
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订货时，使用整个零件编号。
符号
D
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
漏
（ TAB ）
来源
漏
门
6-229
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP15N05L ， RFP15N06L
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP15N05L
50
50
15
40
±10
60
0.48
-55到150
300
260
RFP15N06L
60
60
15
40
±10
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
上述牛逼
C
= 25
o
C，线性降容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图7）
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
V
DS
= 48V, V
DS
= 50V
TC = 125
o
C
1
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 7.5A ，R
G
= 6.25
（图10，图11）
-
-
-
V
GS
= 5V
RFP15N05L ， RFP15N06L
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
16
250
200
225
-
-
-
2
1
50
100
0.140
900
450
200
40
325
325
325
2.083
V
V
V
A
A
nA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFP15N05L
RFP15N06L
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
GSS
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
θJC
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
I
D
= 15A ，V
GS
= 5V （图5，图6）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
（图8）
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲：脉冲宽度=
≤
300μS最大，占空比=
≤
2%.
3. Repititive评价：脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 7.5A
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
225
最大
1.4
-
单位
V
ns
6-230
RFP15N05L ， RFP15N06L
典型性能曲线
1.4
V
GS
= V
DS
归栅极阈值
电压
I
D
= 250A
1.2
C，电容（pF ）
除非另有规定编
（续）
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
1
0.8
0.6
-50
0
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
图7.归栅极阈值电压Vs
结温
60
漏源极电压（ V）
BV
DSS
45
图8.电容VS漏源极电压
10
门源电压（ V）
R
L
= 4
I
G
（ REF ） = 0.5毫安
V
GS
= 5V
门源
电压
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
4
8
6
30
15
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
漏源电压
2
0
20
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
T，时间（μs ）
80
I
G
（ REF ）
I
G
（法）
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图9.归开关波形恒门极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图10.开关时间测试电路
图11.电阻开关波形
6-232
RFP15N05L ， RFP15N06L
测试电路和波形
（续）
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
V
GS
= 10V
V
GS
+
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
V
DD
V
GS
V
GS
= 1V
0
Q
G（ TH ）
I
G（ REF ）
0
V
GS
= 5V
-
DUT
I
G（ REF ）
图12.栅极电荷测试电路
图13.门充电波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
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