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IRFP150N
TM
数据表
2000年3月
网络文件编号
4844
44A ， 100V ， 0.030 Ohm的N通道功率MOSFET
包装
JEDEC TO- 247
来源
漏
门
特点
超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.030,
V
GS
=
10V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和SABER
热阻抗模型
- www.intersil.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
漏
（ TAB ）
UIS额定值曲线
订购信息
符号
D
产品型号
IRFP150N
包
TO-247
BRAND
IRFP150N
G
S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRFP150N
单位
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V ）（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
100
100
±20
44
31
图4
图6，图14 ， 15
155
1.03
-55至175
300
260
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意事项：
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
1
注意：这些器件对静电放电敏感。遵循正确的ESD处理程序。
于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。 SABER 比喻是公司的著作权
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权
Intersil公司2000
IRFP150N
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 90V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到
环境
R
θJC
R
θJA
TO-247
-
-
-
-
0.97
30
o
C / W
o
C / W
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
100
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
I
D
= 44A ，V
GS
= 10V （图9）
2
-
-
0.0255
4
0.030
V
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏"Miller"费
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
-
-
-
1700
460
145
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 50V,
I
D
= 44A,
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13 ，16， 17）的
-
-
-
-
-
90
48
3.1
6.5
17
108
58
3.8
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 50V ，我
D
= 44A
V
GS
=
10V,
R
GS
= 6.2
（图18,19 ）
-
-
-
-
-
-
-
11
75
37
61
-
130
-
-
-
-
150
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
I
SD
= 44A
I
SD
= 22A
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
RR
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 44A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.00
105
305
单位
V
V
ns
nC
2
IRFP150N
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
50
I
D
，漏电流（ A）
40
V
GS
= 10V
30
20
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
外壳温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
600
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
V
GS
= 10V
100
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流（ A）
30
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
10
-5
图4.峰值电流容量
3
IRFP150N
典型性能曲线
300
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
（续）
300
I
D
，漏电流（ A）
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
100s
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
10ms
1
1
10
100
300
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
0.001
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图6.松开电感式开关
能力
图5.正向偏置安全工作区
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
60
80
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
I
D,
漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
V
GS
=5V
40
40
T
J
= 175
o
C
20
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
20
0
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
6
0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
图7.传热特性
图8.饱和特性
3.0
归一漏极至源极
抗性
脉冲的持续时间 -
80s
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 44A
归一化门
阈值电压
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.0
2.0
1.5
0.8
1.0
0.6
-80
-40
160
0
40
80
120
T
J
，结温（
o
C)
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0.5
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
4
IRFP150N
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
（续）
6000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C，电容（pF ）
I
D
= 250A
1.1
1000
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
1.0
100
C
RSS
=
C
GD
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
30
0.1
1.0
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图12.电容VS漏源极电压
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 50V
8
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= 44A
I
D
= 22A
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
2
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
I
AS
V
DD
-
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
5
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RPM7136-H4
RS3-2415DH3
RN5RZ22HC-TL
RSS-1215HP
R3131N30DC3-TR
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