RFP10N15
数据表
1999年3月
文件编号1445.3
10A ， 150V ， 0.300 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高的速度和低的栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA09192 。
特点
10A ， 150V
r
DS （ ON）
= 0.300
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
RFP10N15
包
TO-220AB
BRAND
RFP10N15
G
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
TO-220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RFP10N15
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFP10N15
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
PKG
150
150
10
25
±20
60
0.48
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图8）
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
， TC = 125
o
C
民
150
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz时（图9）
-
-
-
RFP10N15
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
40
165
90
90
-
-
-
-
最大
-
4
1
25
±100
0.300
3.0
60
250
135
135
850
230
100
2.083
单位
V
V
A
mA
nA
V
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
漏极至源极电压上（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V， （图6,7 ）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V
I
D
≈
5A ，V
DD
= 75V ，R
G
=
50,
V
GS
= 10V ，R
L
= 14.7
（图10 ，图11， 12）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意事项：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
3.重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 5A
I
SD
= 4A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
典型值
-
200
最大
1.4
-
单位
V
ns
2
RFP10N15
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
I
D
= 5A
（续）
1.4
1.3
I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
归一化门
阈值电压
50
100
0
T
J,
结温（
o
C)
150
1.5
V
GS
= 10V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
1.0
0.5
0
-50
-50
0
50
100
T
J,
结温（
o
C)
150
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
1000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
150
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
门
来源
V
DD
= BV
DSS
电压
R
L
= 15
I
G（ REF ）
= 1毫安
V
GS
= 10V
V
GS
，门源电压（ V）
C，电容（pF ）
800
112.5
V
DD
= BV
DSS
8
600
6
75
400
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
V
DS ，
漏源极电压（ V）
37.5
0.75BV
DSS
0.75BV
DSS
0.50BV
DSS
0.50BV
DSS
0.25BV
DSS
0.25BV
DSS
4
200
2
漏源
电压
0
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260
图9.电容VS漏源极电压
图10.归一化开关波形
恒定的栅极电流
测试电路和波形
t
ON
t
D（上）
t
r
R
L
V
DS
+
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90%
90%
R
G
DUT
-
V
DD
0
10%
90%
10%
V
GS
V
GS
0
10%
50%
脉冲宽度
50%
图11.开关时间测试电路
图12.电阻开关波形
4
RFP10N15
测试电路和波形
（续）
当前
调节器
V
DS
（隔离
SUPPLY ）
V
DD
同一类型
作为DUT
Q
G（ TOT ）
Q
gd
Q
gs
D
V
DS
V
GS
12V
电池
0.2F
50k
0.3F
G
DUT
0
I
G（ REF ）
0
I
G
当前
采样
电阻器
S
V
DS
I
D
当前
采样
电阻器
I
G（ REF ）
0
图13.栅极电荷测试电路
图14.门充电波形
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