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数据表

超快速恢复二极管

RFN16T2D

■应用

一般整顿

尺寸

（单位：毫米）

Structure

4.5±0.3

　　　 0.1

■特点

1 ）阴极常见的双类型。（TO- 220）

2 ）低V

F

3 ）低的开关损耗

10.0±0.3

　　　 0.1

2.8±0.2

　　　 0.1

1.2

1.3

0.8

(1) (2) (3)

5.0±0.2

建筑

硅外延刨床

RFN16

T2D

①

8.0±0.2

12.0±0.2

14.0±0.5

13.5MIN

0.7±0.1

0.05

15.0±0.4

　 0.2

8.0

2.6±0.5

ROHM ： TO220FN

①

点（年周厂）

“绝对

最大额定值

(Tc=25C)

参数

符号

V

RM

反向重复峰值电压

V

R

反向电压

平均正向电流整流

正向电流浪涌峰值

结温

储存温度

Io

I

FSM

Tj

TSTG

条件

Duty≤0.5

直流电压的

60Hz的正弦半波阻性负载，

范围

200

200

16

100

150

55

to

150

单位

V

V

A

A

C

C

Tc=100°C

1 / 2Io每二极管

60Hz的正弦半波，不重复

一个周期的峰值， TJ = 25°C

ⅵELECTRICAL

特征

(Tj=25C)

参数

符号

V

F

正向电压

反向电流

反向恢复时间

热阻

*每个二极管

I

R

TRR

RTH （J -C ）

条件

I

F

=8A

V

R

=200V

I

F

=0.5A,I

R

=1A,Irr=0.25×I

R

结到外壳

分钟。

－

－

－

－

典型值。

0.90

0.01

16

－

马克斯。

0.98

10

30

2.5

单位

V

μA

ns

° C / W

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2011.12 - Rev.A的

RFN16T2D

　

数据表

100

10000

10

正向电流：I

F

(A)

Tj=125°C

反向电流：我

R

（ nA的）

1000

Tj=150°C

Tj=125°C

1

Tj=150°C

Tj=25°C

Tj=75°C

100

0.1

Tj=75°C

0.01

每二极管

0.001

0

500

1000

1500

10

Tj=25°C

每二极管

1

0

50

100

150

200

正向电压： V

F

（毫伏）

V

F

-I

F

特征

反向电压： V

R

(V)

V

R

-I

R

特征

1000

f=1MHz

Tj=25°C

正向电压： V

F

（毫伏）

之间的电容

端子的CT （PF ）

1000

Tj=25°C

I

F

=8A

n=20pcs

每二极管

950

100

900

850

AVE ： 894.5mV

每二极管

10

0

5

10

15

20

25

30

V

F

色散图

反向电压： V

R

(V)

V

R

-ct特性

800

100

Tj=25°C

V

R

=200V

n=20pcs

每二极管

240

Ta=25°C

f=1MHz

V

R

=0V

n=10pcs

每二极管

反向电流：我

R

（ nA的）

之间的电容

端子的CT （PF ）

220

10

AVE ： 221.5pF

AVE ： 14.2nA

200

1

I

R

色散图

180

CT色散图

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数据表

250

I

FSM

它有能力峰值浪涌

正向电流：I

FSM

(A)

8.3ms

1cyc

反向恢复时间： TRR （ NS ）

30

Tj=25°C

I

F

=0.5A

I

R

=1A

Irr=0.25×I

R

n=10pcs

每二极管

25

20

200

AVE ： 204.5A

15

10

AVE ： 14.7ns

5

150

I

FSM

色散图

0

TRR色散图

1000

1000

I

FSM

峰值浪涌

正向电流：I

FSM

(A)

峰值浪涌

正向电流：I

FSM

(A)

时间

100

100

10

I

FSM

8.3ms

8.3ms

1cyc.

1

1

10

周期数

I

FSM

-CYCLE特性

100

10

1

10

时间： T（毫秒）

I

FSM

-t特性

100

30

没有休息，在30kV的

静电

放电测试ESD （ KV ）

25

没有休息，在30kV的

短暂

热阻抗：的Rth （ ° C / W）

10

Rth的第（j-一）

20

RTH （J -C ）

1

15

10

5

0

C=200pF

R=0Ω

C=100pF

R=1.5kΩ

0.1

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

ESD色散图

时间： T（ S）

RTH- T特性

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35

30

特区

25

平均整流

正向电流IO（ A）

D=0.8

20

0A

0V

t

T

Io

V

R

D = T / T

V

R

=100V

Tj=100°C

30

特区

D=0.8

前进动力

耗散：PF （ W）

25

D=0.5

正弦半波

D=0.2

D=0.5

20

15

正弦半波

15

D=0.1

D=0.05

10

10

D=0.2

D=0.1

5

5

D=0.05

0

0

5

10

15

20

25

30

35

平均整流

正向电流IO（ A）

IO -PF特性

0

0

30

60

90

120

150

CASE温度T （ ℃）

降额曲线（IO -TC）

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