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数据表
超快速恢复二极管
RFN10T2D
■应用
一般整顿
尺寸
（单位：毫米）
4.5±0.3
　　　 0.1
10.0±0.3
　　　 0.1
2.8±0.2
　　　 0.1
Structure
3 ）低的开关损耗
14.0±0.5
1.3
0.8
(1) (2) (3)
13.5MIN
建筑
硅外延刨床
1.2
①
5.0±0.2
RFN10
T2D
①
8.0±0.2
12.0±0.2
15.0±0.4
　 0.2
8.0
0.7±0.1
0.05
■特点
1 ）阴极常见的双类型。 （TO- 220）
2 ）低V
F
2.6±0.5
ROHM ： TO220FN
①
点（年周厂）
“绝对
最大额定值
(Tc=25C)
参数
符号
V
RM
反向重复峰值电压
V
R
反向电压
平均正向电流整流
正向电流浪涌峰值
结温
储存温度
Io
I
FSM
Tj
TSTG
条件
Duty≤0.5
直流电压的
60Hz的正弦半波阻性负载，
范围
200
200
10
80
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
C
C
Tc=122°C
1 / 2Io每二极管
60Hz的正弦半波，不重复
一个周期的峰值， TJ = 25°C
ⅵELECTRICAL
特征
(Tj=25C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
反向恢复时间
热阻
*每个二极管
I
R
TRR
RTH （J -C ）
条件
I
F
=5A
V
R
=200V
I
F
=0.5A,I
R
=1A,Irr=0.25×I
R
结到外壳
分钟。
－
－
－
－
典型值。
0.90
0.01
15
－
马克斯。
0.98
10
25
2.5
单位
V
μA
ns
° C / W
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2011.12 - Rev.A的
RFN10T2D
　
数据表
100
10000
Tj=150°C
正向电流：I
F
(A)
10
Tj=150°C
反向电流：我
R
（ nA的）
1000
Tj=125°C
100
Tj=75°C
10
1
Tj=125°C
Tj=25°C
0.1
Tj=75°C
0.01
Tj=25°C
1
0.001
0
500
1000
1500
正向电压： V
F
（毫伏）
V
F
-I
F
特征
0.1
0
50
100
150
200
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
1000
f=1MHz
Tj=25°C
正向电压： V
F
（毫伏）
之间的电容
端子的CT （PF ）
1000
Tj=25°C
I
F
=5A
n=20pcs
950
100
900
10
AVE ： 887.5mV
850
1
0
5
10
15
20
25
30
800
V
F
色散图
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
100
Tj=25°C
V
R
=200V
n=20pcs
150
Ta=25°C
f=1MHz
V
R
=0V
n=10pcs
反向电流：我
R
（ nA的）
140
之间的电容
端子的CT （PF ）
130
AVE ： 133.2pF
120
10
AVE ： 14.3nA
110
1
I
R
色散图
100
CT色散图
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RFN10T2D
　
数据表
200
180
反向恢复时间： TRR （ NS ）
它有能力峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I
FSM
色散图
I
FSM
8.3ms
1cyc
AVE ： 167A
30
Tj=25°C
I
F
=0.5A
I
R
=1.0A
Irr=0.25×I
R
n=10pcs
25
20
15
10
AVE ： 14.1ns
5
0
TRR色散图
1000
1000
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
I
FSM
时间
100
100
10
I
FSM
8.3ms
8.3ms
10
1cyc.
1
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
1
1
10
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
100
30
没有休息，在30kV的
短暂
热阻抗：的Rth （ ° C / W）
25
静电
放电测试ESD （ KV ）
10
Rth的第（j-一）
20
AVE：24.75kV
RTH （J -C ）
1
15
10
5
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
0
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ESD色散图
时间： T（ S）
RTH- T特性
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数据表
16
特区
14
平均整流
正向电流IO（ A）
D=1/2
前进动力
耗散：PF （ W）
12
Sin(θ＝180)
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
20
0A
0V
t
特区
Io
V
R
T
D = T / T
V
R
=100V
Tj=150°C
15
D=1/2
10
Sin(θ＝180)
5
0
0
25
50
75
100
125
150
CASE温度T （ ℃）
降额曲线（IO -TC）
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