RFMA1214-1W-Q7
更新时间： 2008年4月24日
12.50 - 14.50 GHz的高增益表面贴装PA
特点
12.50 - 14.50GHz工作频率范围
为29dBm输出功率@ 1dB压缩
30分贝典型功率增益@ 1dB压缩
-41dBc OIMD3 @Pout = 19dBm /音
7x7毫米QFN封装
点至点和点对多点广播
军用雷达系统
应用
电气特性（T
B
=25
°C)
符号
F
P
1dB
G
1dB
OIMD3
输入RL
输出RL
I
D1
I
D2
V
D1
, V
D2
V
G1
, V
G2
RTH
Tb
参数/测试条件
工作频率范围
输出功率@ 1分贝增益压缩
增益@ 1分贝增益压缩
输出3
rd
阶互调失真
@ ΔF = 10MHz时，噘= 19dBm /音
输入回波损耗
输出回波损耗
漏电流
1
漏电流
1
漏极电压
栅极电压
热阻
2
工作底板温度
-30
-2.5
9
+80
民
12.5
28.0
27.0
29.0
30.0
-41
-10
-15
180
800
7
220
1000
8
-0.3
o
典型值
最大
14.5
单位
GHz的
DBM
dB
-38
dBc的
dB
dB
mA
mA
V
V
C / W
o
C
1.推荐偏置每个放大器级分别用栅极电压范围，从-2.5开始到-0.3V实现典型的电流电平。
与Excelics使用时2.测量结果推荐评估板。
在25 °C最大额定值
3,4
符号
V
D1
, V
D2
V
G1
, V
G2
I
D1
, I
D2
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
12V
-5V
IDSS
20dBm
175°C
-65/175°C
15.0W
连续
8V
-2.5 V
220 ， 1100毫安
@ 3分贝压缩
150°C
-65/150°C
12.6W
3.操作超越
绝对
or
连续
评级可能造成永久性损坏或减少MTTF分别。
4.偏置条件也必须满足下列方程V
DS
*I
DS
< （T
CH
–T
B
)/R
TH
;其中t
B
=底板的温度
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
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12.50 - 14.50 GHz的高增益表面贴装PA
包装尺寸和引脚分配
顶视图
0.276±0.002
0.276±0.002
底部视图
22
28
Excelics
RFMA1214
-1W-Q7
0 REF
0.276±0.002
0.049 MAX
0.008
0 REF
0 REF
0.240
21
1
0.038
0.036
0.013
0 REF
15
14
8
7
0.012±0.002
0.032±0.002
*以英寸为单位所有测量
其他注意事项：
1 ）地面平面必须焊接到PCB RF地面
2 ）所有尺寸以英寸
3 ）请参阅Excelics应用笔记的QFN封装的进一步指引
4 ）引脚分配：
顶视图
Vd1
Vd2
底部视图
Vd2
22
Vd1
28
RFIN
Excelics
RFMA1214
-1W-Q7
Vg1
Vg2
21
1
RFOUT
RFOUT
RFIN
15
14
8
7
Vg2
Vg1
针
1, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 14
4
9
13
15, 16, 17, 19, 20, 21, 22, 24, 25, 26, 28
18
23
27
转让
NC
RF
in
V
g1
V
g2
NC
RF
OUT
V
d2
V
d1
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特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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典型特性：
1.小信号参数（ @Vds = 7V ，IDS
1
= 180毫安，IDS
2
= 800毫安）
S
21
S
11
S
22
2. P1 dB的& G1 -分贝（ @Vds = 7V ，IDS
1
= 180毫安，IDS
2
= 800毫安）
32
31
30
P1dB(dBm)
29
28
27
26
25
12
12.5
13
13.5
频率（GHz ）
P1-dB
G1-dB
14
14.5
15
32
31
30
29
28
27
26
25
G1dB(dB)
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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推荐电路原理图：
V
d1
22uF
0.1uF
NC
V
d2
V
d1
NC
NC
NC
V
d2
0.1uF
NC
22uF
NC
NC
NC
RF
in
NC
NC
NC
Excelics
RFMA1214
-1W-Q7
NC
NC
NC
NC
RF
OUT
NC
NC
NC
V
g1
NC
NC
NC
V
g2
NC
V
g1
22uF
0.1uF
0.1uF
22uF
V
g2
注意事项：
1 ）外部旁路电容应尽可能靠近封装成为可能。
2 ）需要双偏置顺序：
一。开启过程：应用V
g1
= -2.5V, V
g2
= -2.5V ，接着用V
d1
= V
d2
= 7V ，最后增加
V
g1
＆放大器; V
g2
按顺序，直到所需的I
d1
我
d2
被获得。
B 。关闭顺序：关闭V
d1
＆放大器; V
d2
，然后用V
g1
＆放大器; V
g2
3 ）演示板可根据要求提供。
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