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RFM03U3CT

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型

RFM03U3CT

VHF波段和UHF波段放大器的应用

（注）本文档中列出的东芝产品用于高

电信设备。这些频功率放大器

东芝的产品既不打算也不保证用于任何其他用途。

除了不使用这些上市东芝产品本文档中

电信设备高频功率放大器。

输出功率：P

= 3 W （典型值）。

GAIN ：

= 15分贝（典型值）。

漏极效率：

= 60 ％（典型值）。

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

功耗

通道温度

存储温度范围

符号

DSS

GSS

（注1 ）

英镑

等级

2.5

150

单位

°C

RF-CST3

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

JEDEC

―

温度/电流/电压和在显著变化

JEITA

―

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

东芝

2-3W1A

工作温度/电流/电压等）内的

重量： 12毫克（典型值）。

绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注1 ： TC = 25 ° C（当安装在1.6毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板）

记号

（ TOP VIEW ）

引脚1标记

03U3

1.门

2.源（散热片）

3.排水

产品名称

LOT号

小心

请注意避免处理该晶体管时产生的静电。

2009-08-24

RFM03U3CT

电气特性

（大

25°C)

特征

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

阈值电压

输出功率

漏EF网络效率

功率增益

符号

DSS

GSS

测试条件

10 V, V

0 V

3 V

3.6 V，I

0.1毫安

3.6 V,

空闲

500毫安（V

调整），

520兆赫，P

0.1 W,

= Z

= 50

3.6 V,

3 W （P

调整），

空闲

500毫安（V

调整），

520兆赫，

负载VSWR 20 ： 1的所有阶段

民

0.1

2.3

13.6

典型值。

0.6

3.0

14.8

最大

1.1

单位

μA

负载不匹配

没有退化

注2：这些特性值是使用东芝指定的测量工具测量。

输出功率测试夹具

（测试条件：F

520兆赫，V

3.6 V，I

空闲

500毫安，P

0.1 W)

C12

C13

C10

C11

C1 ： 27 pF的

C2 ： 9 pF的

C3 ： 2 pF的

C4 ： 33 pF的

C5 ： 9 pF的

C6 ： 17 pF的

C7 ： 10000 pF的

C8 ： 10000 pF的

C9 ： 1000 pF的

C10 ： 10000 pF的

C11: 4.7

μF

C12 ： 10000 pF的

C13: 4.7

μF

R1: 120

L1: 27

μH

L2:

φ0.6

mm的漆包线， 5.8ID ， 7T

2009-08-24

RFM03U3CT

宝-Pi

F = 520MHz的

Iidle=500mA

4.5

ND -Pi

F = 520MHz的

Iidle=500mA

输出功率Po （ W）

3.5

2.5

1.5

0.5

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

漏effcieny HD （％）

Vds=4.5V

Vds=3.6V

Vds=3.0V

Vds=4.5V

Vds=3.6V

Vds=3.0V

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

输入功率Pi （ W）

ND -Pi

宝-Pi

3.5

F = 520MHz的

Vds=3.6V

F = 520MHz的

Vds=3.6V

输出功率Po （ W）

2.5

漏effcieny HD （％）

Iidle=750mA

1.5

0.5

Iidle=750mA

Iidle=500mA

Iidle=250mA

Iidle=500mA

Iidle=250mA

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

输入功率Pi （ W）

0.3

0.35

0.4

输入功率Pi （ W）

注3 ：这些仅是典型的曲线和设备不一定保证在这些曲线。

2009-08-24

RFM03U3CT

限制产品使用

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也指并遵守第（一）所有相关信息东芝的最新版本，包括但不限于本文件，

规格，数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA

半导体可靠性手册“和（b）对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户

独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面，包括但不限于：（a）确定的

使用此类设计或应用该产品的适当性; （ b）评价和确定的任何适用性

本文档中包含的信息，或图表，图表，程序，算法，样本应用电路，或其他任何

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东芝不承担任何

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产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量

设备，工业机器人和家用电子电器），或针对特定应用本文件中的明确规定。

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可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命，人身伤害，严重财产损失或严重损失

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在航空航天工业，医疗设备，用于汽车，火车，轮船等运输，交通信号设备

设备，用来控制发火或爆炸，安全装置，电梯和自动扶梯设备，相关电力设备

电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

文档。

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适用于特定用途，精度信息，或不侵权的。

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限制，在设计，开发，使用，核武器，化学武器或生物武器或导弹储存或生产

技术产品（大规模杀伤武器）。产品及相关软件和技术可根据被控制

日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品

或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品，

包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任

不遵守适用的法律和法规。

2009-08-24