半导体
RFL2N05,
RFL2N06
2A ， 50V和60V ， 0.95欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管设计的应用，
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
这些类型可以直接从集成操作
电路。
以前发育类型TA09378 。
1998年1月
特点
2A ， 50V和60V
r
DS （ ON）
= 0.95
SOA是功率耗散有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载波设备
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
G
产品型号
RFL2N05
RFL2N05
包
TO-205AF
TO-205AF
BRAND
RFL2N05
RFL2N05
S
注：订购时，包括整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 205AF
漏
（案例）
门
来源
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1497.2
5-1
RFL2N05 ， RFL2N06
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
RFL2N05
50
50
±20
2
10
8.33
0.0667
-55到150
300
260
RLF2N06
60
60
±20
2
10
8.33
0.0667
-55到150
300
260
单位
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 1MΩ ）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流， RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
50
60
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA ， （图8）
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
,
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
2
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-
-
-
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F = 1MHz时（图9）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
14
16
30
-
-
-
-
-
-
4
1
25
±100
0.95
2.0
4.8
0.95
-
15
30
30
50
200
85
30
15
V
V
V
A
A
nA
V
V
V
S
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
o
C / W
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
RFL2N05
RFL2N06
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极至源极电压上（注2 ）
I
GSS
V
DS （ ON）
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V
I
D
= 2A ，V
GS
= 10V
I
D
= 4A ，V
GS
= 15V
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
热阻结到外壳
r
DS （ ON）
政府飞行服务队
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θ
JC
I
D
= 1A ，V
GS
= 10V， （图6,7 ）
I
D
= 1A ，V
DS
= 10V时， （图10）
I
D
≈
1A ，V
DD
= 30V ，R
GS
= 50,
V
GS
= 10V时， （图11 ，图12， 13）的
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压（注2 ）
二极管的反向恢复时间
注意：
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
SD
= 1A
I
SD
= 2A ，二
SD
/ DT = 50A / μs的
民
-
-
典型值
-
100
最大
1.4
-
单位
V
ns
5-2
RFL2N05 ， RFL2N06
典型性能曲线
2.0
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 1A
V
GS
= 10V
归一化门
阈值电压（ V）
除非另有规定编
（续）
1.5
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（
o
C)
200
0
50
0
50
100
T
J
，结温（
o
C)
150
图7.归漏极至源极ON
电阻与结温
图8.归栅极阈值电压Vs
结温
240
200
C，电容（
P
F)
160
120
F = 1MHz的
g
fs
，正向跨导（S ）
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
1200
1000
800
600
400
200
0
0
V
DS
= 10V
80μsPULSE测试
-40
o
C
25
o
C
125
o
C
C
国际空间站
80
40
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
70
C
OSS
C
RSS
0.5
1
1.5
2
I
D
，漏电流（ A）
2.5
3
图9.电容VS漏源极电压
图10.正向跨导VS漏
当前
80
BV
DSS
V
DD
= V
DSS
45
V
DS
，伏（V ）
门
V
DD
= V
DSS
TO
来源
电压
R
L
= 15
I
G（ REF ）
= 0.095毫安
V
GS
= 10V
0.75V
DSS
0.75V
DSS
0.50V
DSS
0.50V
DSS
0.25 V
DSS
15
漏极至源极
电压
0
0.25V
DSS
10
8
V
GS
，伏（V ）
6
30
4
2
0
I
20
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
T，时间（μs ）
I
80
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
注：请参阅哈里斯应用笔记AN7254和AN7260 。
图11.归开关波形恒门极电流
5-4
QQ：2880707522 复制
