RFHA1025

280W氮化镓

宽带

脉冲电源

扩音器

RFHA1025

280W氮化镓宽带脉冲功率放大器

包装方式：法兰瓷， 2针

特点

宽带运营： 0.96GHz到

1.215GHz

先进的氮化镓HEMT技术

先进的散热器技术

支持多脉冲

条件

10％至20 ％占空比

100s 1ms的脉冲宽度

综合匹配

高终端组件

阻抗

在RF

VG

引脚1 （ CUT ）

RF OUT

T

VD

销2

G

GND

B

BASE

50V的典型操作

性能

功能框图

输出脉冲功率280W

脉冲宽度100S ，

占空比10 ％

小信号增益17分贝

高效率55 ％

-40 ° C至85 ° C工作

温度

产品说明

该RFHA1025是50V 280W高功率分立放大器，设计用于L波段

脉冲雷达，空中交通管制和监视以及通用宽带

放大器应用。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的

半导体工艺，这些高性能放大器实现高输出

功率，高效率和平坦增益在很宽的频率范围在单一封装

年龄。该RFHA1025是匹配功率晶体管封装在一个密封，法兰

陶瓷封装。包通过使用提供优异的热稳定性

先进的散热和功耗的技术。易于集成的是

通过单一的，优化的匹配网络的结合来实现

提供在单一放大器的宽带增益和功率性能。

应用

雷达

空中交通管制和

监控

通用宽带

放大器器

订购信息

RFHA1025S2

RFHA1025SB

RFHA1025SQ

RFHA1025SR

RFHA1025TR13

RFHA1025PCBA-410

2件样品袋

5件包

25连体袋

50件7 “短盘

250件13 “卷轴

完全组装的评估板0.96GHz到.215GHz ; 50V

优化匹配技术

应用的

砷化镓HBT

砷化镓MESFET

的InGaP HBT

的SiGe BiCMOS

硅BiCMOS工艺

的SiGe HBT

砷化镓PHEMT

硅CMOS

硅BJT

氮化镓HEMT

HBT的BiFET

SOI

RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易

标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司

DS120928

7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术

支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。

1 10

RFHA1025

绝对最大额定值

参数

漏极电压（V

D

)

栅极电压（V

G

)

栅极电流（I

G

)

耐用性（驻波比）

存储温度范围

工作温度范围（T

C

)

工作结温（T

J

)

人体模型

平均无故障时间（T

J

< 200 ° C， 95 ％置信限） *

平均无故障时间（T

J

< 250 ° C， 95 ％置信限） *

热电阻R

TH

（结到外壳） ：

T

C

只= 85°C ，直流偏置

T

C

= 85 ℃， 100s脉冲， 10 ％占空比

T

C

= 85 ℃， 1毫秒脉冲， 10 ％占空比

等级

150

-8 2

155

10:1

-55到+125

-40至+85

250

1B类

1.8E + 07

1.1E + 05

0.90

0.18

0.34

单位

V

V

mA

°C

°C

°C

小时

小时

° C / W

注意！ ESD敏感器件。

超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可

对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用

额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性

曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作

系统蒸发散是不是暗示。

本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有

承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何

侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有

获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权

RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐

阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。

RFMD绿：每个符合RoHS欧盟指令2002/95 / EC ，无卤素合规

符合IEC 61249-2-21 ， < 1000ppm的每个三氧化二锑在聚合物中

材料和红磷作为阻燃剂，和<2 ％的锑中

焊料。

*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予

DSS

降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。

请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。

该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备

电压和电流必须不超过最大操作值。

偏置条件也应满足下面的表达式：P

DISS

< （T

J

- T

C

)/R

TH

的J - C和T

C

= T

例

参数

漏极电压（V

DSQ

)

栅极电压（V

GSQ

)

漏极偏置电流

操作的频率

分钟。

规范

典型值。

50

马克斯。

单位

V

条件

推荐工作条件

-8

960

-3

440

1215

2

2.5

-3.5

0.28

-2

V

mA

兆赫

mA

mA

V

V

V

G

= -8V, V

D

= 0V

V

G

= -8V, V

D

= 50V

V

D

= 50V ，我

D

= 40毫安

V

G

= 0V时，我

D

= 1.5A

[1], [2]

17

13

54

50

13

54

50

14.2

-7.5

55.2

55

17

13.6

-7

54.6

59

-5

-5

dB

dB

dB

DBM

%

dB

dB

dB

DBM

%

F = 1215MHz ，P

IN

= 28dBm的

F = 1215MHz ，P

IN

= 41dBm

F = 960MHz的，P

IN

= 28dBm的

F = 960MHz的，P

IN

= 41dBm

DC功能测试

I

G（ OFF）

- 栅极泄漏

I

D（关闭）

- 漏极漏电

V

GS （ TH）

=门限电压

V

DS （ ON）

- 漏极电压的高

当前

RF功能测试

小信号增益

功率增益

输入回波损耗

输出功率

漏EF网络效率

小信号增益

功率增益

输入回波损耗

输出功率

漏EF网络效率

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RFHA1025

参数

典型的射频性能

频带

小信号增益

功率增益

增益随温度的变化

输出功率（P

SAT

)

漏EF网络效率

54.5

280

55

[1]测试条件： PW = 100s ，DC = 10 ％ ，V

DSQ

= 50V ，我

DQ

= 440毫安，T = 25 ℃。

[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。

960

17

14

1215

兆赫

dB

dB

分贝/°C的

DBM

W

%

在峰值输出功率

P

IN

= 28dBm的

P

OUT

= 54.5dBm

在峰值输出功率

峰值输出功率

分钟。

规范

典型值。

马克斯。

单位

[1], [2]

条件

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RFHA1025

在标准固定调谐测试夹具典型性能

（T = 25℃ ，除非另有说明）

增益与输出功率（ F = 1100MHz ）

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100 ，V

D

= 50V,

20

19

18

增益（dB ）

17

16

15

14

13

47

49

51

输出功率（dBm ）

53

55

I

DQ

= 440毫安）

70

效率与输出功率（ F = 1100MHz ）

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100μS ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

60

排水 FFI效率（ ％ ）

50

40

EFF 85°C

EFF 25℃

EFF 40℃

30

20

10

45

47

49

51

输出功率（dBm ）

53

55

获得85°C

获得25℃

获得40℃

输入回波损耗与输出功率（ F = 1100MHz ）

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100μS ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

4

6

IRL ，输入回波损耗（分贝）

8

10

小信号性能与频率，P

OUT

达45dBm =

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100μ ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

19

固定调谐测试电路

18

9

输入回波损耗（dB ）

7

17

增益（dB ）

11

12

14

16

18

20

47

49

51

输出功率（dBm ）

53

55

IRL 85°C

IRL 25℃

IRL 40℃

16

13

15

收益

14

IRL

15

17

13

950

1000

1050

1100

1150

频率（MHz）

1200

1250

19

增益/ IRL与频率，P

OUT

= 54.5dBm

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100 ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

20

19

18

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

950

1000

1050

1100

频率（MHz）

1150

1200

1250

固定调谐测试电路

6

7

8

漏极效率与频率，P

OUT

= 54.5dBm

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100μS ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

65

63

61

59

排水 FFI效率（ ％ ）

9

10

11

12

13

14

输入回波损耗（dB ）

固定调谐测试电路

57

55

53

51

49

47

45

950

1000

1050

1100

1150

频率（MHz）

1200

1250

EFF

收益

IRL

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在标准固定调谐测试夹具典型性能

（T = 25℃ ，除非另有说明）

增益/效率与P

OUT

，频率= 1100MHz

（脉冲占空比为10％ ， PW = 100μS ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

20

19

18

增益（dB ）

17

16

15

14

13

12

47

48

49

50

51

52

P

OUT

，输出功率（dBm ）

53

54

55

收益

排水ê FF

65

60

55

排水 FFI效率（ ％ ）

50

45

40

35

30

25

275

250

10

100

脉冲宽度（微秒）

1000

45

40

350

P

OUT

(W)

325

300

60

55

50

漏极效率（ ％ ）

400

375

P

OUT

/ DE与脉冲宽度，频率= 1100MHz

（脉冲占空比10％ ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

70

65

输出功率

排水ê FF

P

OUT

/ DE与占空比，频率= 1100MHz

（脉冲， PW = 100μS ，V

D

= 50V ，我

DQ

= 440毫安）

375

350

325

P

OUT

(W)

300

275

250

225

10

15

20

25

30

35

占空比（ ％ ）

40

45

50

70

65

功耗（ W）

1200

脉冲功率耗散德的评价曲线

（基于最大封装温度和Rth ）

1000

1毫秒脉冲宽度，占空比为10％

100秒脉冲宽度，占空比为10％

60

55

50

45

40

漏极效率（ ％ ）

800

600

400

输出功率

排水ê FF

200

0

0

20

40

60

80

100

120

140

最大外壳温度（ ° C）

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