RFHA1006
225MHz以
1215MHz ， 9W
氮化镓宽
带电源
扩音器
RFHA1006
225MHz TO 1215MHz ， 9W的GaN WIDEBAND
功率放大器
包装： AlN的无引线芯片载体/ SO8
特点
VGS
销1
先进的氮化镓HEMT技术
9W的输出功率
先进的散热器技术
225MHz至1215MHz
瞬时带宽
输入内部匹配50
28V的典型操作
性能
输出功率39.5dBm
增益16分贝
功率附加效率60 ％
-40 ° C至85 ° C工作
温度
在RF
2,3引脚
RF OUT / VDS
6,7引脚
GND
BASE
功能框图
产品说明
该RFHA1006是宽带功率放大器专为CW和脉冲应用
系统蒸发散，如无线基础设施，雷达，双向无线电和通用
扩增。采用先进的高功率密度的氮化镓（ GaN）的半
指挥过程中，这些高性能放大器实现了高效率，扁平
增益和大的瞬时带宽，在一个单一放大器设计。该
RFHA1006是输入匹配的GaN晶体管封装在一个空气腔的陶瓷
包，它通过使用先进的提供优异的热稳定性
散热器和功耗的技术。易于集成完成
通过优化的输入匹配网络的组件内的掺入
提供在一个单一的放大器宽带增益和功率性能。一个外部
最终输出匹配提供了进一步优化的功率和效率的灵活性
任何部分频带的总带宽内。
大信号模型可用
应用
AB类操作的公共
移动无线
功率放大级的
商用无线
基础设施
通用的Tx放大
测试仪表
民用和军用雷达
订购信息
RFHA1006S2
RFHA1006SB
RFHA1006SQ
RFHA1006SR
RFHA1006TR7
RFHA1006PCBA-410
2件样品袋
5件包
25连体袋
100件7 “短盘
750件7 “卷轴
完全组装的评估板225MHz至1215MHz ;
28V操作
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
HBT的BiFET
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2012 ， RF Micro Devices公司
DS120418
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
1 11
RFHA1006
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
D
)
栅极电压（V
G
)
栅极电流（I
G
)
工作电压
RF-输入功率
耐用性（驻波比）
存储温度范围
工作温度范围（T
L
)
工作结温（T
J
)
人体模型
平均无故障时间（T
J
< 200 ° C， 95 ％置信限） *
热电阻R
TH
（结点到外壳）
测量在T
C
只= 85°C ，直流偏置
等级
150
-8至+2
10
32
30
12:1
-55到+125
-40至+85
200
1A级
3 x 10
6
6
单位
V
V
mA
V
DBM
°C
°C
°C
小时
° C / W
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一个或绝对最大额定值条件的组合可
对器件造成永久性损坏。绝对最大的扩展应用
额定条件下的设备可能会降低设备的可靠性。指定的典型性
曼斯或设备的绝对最大额定值条件功能操作
系统蒸发散是不是暗示。
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而，没有
承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，也不对任何
侵犯专利或其它第三方权利，其使用造成。没有
获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
RFMD 。 RFMD有权改变电路组件，应用程序推荐
阳离子和规格，恕不事先通知的任何时间。
RoHS（有害物质限制） ：每欧盟指令规定
2002/95/EC.
*平均无故障时间 - 平均无故障时间的磨损出的故障模式（30％予
DSS
降解），通过该技术工艺的可靠性来确定。
请参阅产品合格报告FIT （随机）的故障率。
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不能超过最大操作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：P
DISS
< （T
J
- T
C
)/R
TH
的J - C和T
C
= T
例
参数
推荐工作
条件
漏极电压（V
DSQ
)
栅极电压（V
GSQ
)
漏极偏置电流
RF输入功率（P
IN
)
输入源电压驻波比
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
条件
28
-5
-3
88
32
-2
28
10:1
V
V
mA
DBM
射频性能
特征
频带
线性增益
功率增益
增益平坦度
增益随温度的变化
输入回波损耗（S
11
)
输出功率
功率附加效率（ PAE ）
39.5
60
225
16
14
3
-0.02
-11
1215
兆赫
dB
dB
dB
分贝/°C的
dB
DBM
%
225MHz至1215MHz
225MHz至1215MHz
小信号3dB带宽
P
OUT
= 30dBm的
P
OUT
= 39.5dBm
P
OUT
= 30dBm的， 225MHz至1215MHz
2 11
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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RFHA1006
参数
RF功能测试
V
GS （ Q）
收益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
功率附加效率（ PAE ）
收益
功率增益
输入回波损耗
输出功率
功率附加效率（ PAE ）
48
39.5
53
14
55
39.4
62.5
15
14.5
-9
14.8
-3.2
16.6
15.4
-10
V
dB
dB
dB
DBM
%
dB
dB
dB
DBM
%
P
IN
= 10dBm的， 1100MHz
P
IN
=为25dBm ， 1100MHz
P
IN
= 10dBm的， 300MHz的
P
IN
= 24dBm的， 300MHz的
分钟。
规范
典型值。
马克斯。
单位
[1], [2]
条件
[1]测试条件： V
DSQ
= 28V ，我
DQ
= 88毫安， CW ， T = 25℃ 。
[2]在一个标准的调谐测试夹具的性能。
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7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
3 11
RFHA1006
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的225MHz
到1215MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
小信号S参数与频率
(V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
18
0
增益与频率，P
in
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
17
16
级，S
11
, S
22
（ dB）的
15
-3
级，S
21
（ dB）的
12
-6
15
增益（dB ）
14
13
12
11
10
200
400
600
800
1000
频率（MHz）
1200
1400
85°C
25°C
-40°C
9
-9
6
S21
S11
S22
-12
3
-15
1000
1050
1100
1150
1200
频率（MHz）
1250
0
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
-18
PAE与频率，P
in
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
70
65
功率附加ê FFI效率， PAE （ ％ ）
60
55
50
45
40
35
30
25
20
200
400
600
800
1000
频率（MHz）
1200
1400
85°C
25°C
-40°C
输入回波损耗与频率，P
in
= 25dBm的
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
-6
85°C
25°C
-40°C
-8
IRL ，输入回波损耗（分贝）
-10
-12
-14
-16
200
400
600
800
1000
频率（MHz）
1200
1400
增益/ IRL与频率，P
OUT
= 39.5dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
18
0
70
65
功率附加ê FFI效率， PAE （ ％ ）
60
55
50
45
40
35
30
100
200
300
PAE与频率，P
OUT
= 39.5dBm
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
15
-3
输入回波损耗（dB ）
12
增益（dB ）
-6
9
-9
6
收益
3
IRL
-12
-15
1000
1100
1200
1300
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
4 11
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1300
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
-18
400
500
600
700
800
900
RFHA1006
在标准的典型性能固定调谐测试夹具匹配的225MHz
到1215MHz （T = 25℃ ，除非另有说明）
增益与频率关系
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
20
80
70
16
功率附加ê FFI效率， PAE （ ％ ）
60
50
40
30
20
10
0
1000
1100
1200
1300
1000
1100
1200
频率（MHz）
频率（MHz）
1300
100
200
300
400
500
600
700
800
900
100
200
300
400
500
600
700
800
900
噘
P
OUT
=40dBm
噘
P
OUT
=39.5dBm
噘
P
OUT
=30dBm
功率附加ê FFI效率与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
12
增益（dB ）
8
噘
P
OUT
=40dBm
噘
P
OUT
=39.5dBm
噘
P
OUT
=30dBm
4
0
输入回波损耗与频率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
0
噘
P
OUT
=40dBm
P
OUT
=39.5dBm
噘
P
OUT
=30dBm
噘
增益与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
19
18
17
16
增益（dB ）
15
14
13
12
11
freq=300MHz
freq=800MHz
freq=1100MHz
22
25
28
31
34
P
OUT
，输出功率（dBm ）
37
40
-3
输入回波损耗， IRL （分贝）
-6
-9
-12
-15
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
频率（MHz）
功率附加ê FFI效率与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
70
60
功率附加ê FFI效率， PAE （ ％ ）
50
40
30
20
10
0
22
25
28
31
34
P
OUT
，输出功率（dBm ）
37
40
freq=300MHz
freq=800MHz
freq=1100MHz
输入回波损耗， IRL （分贝）
0
1300
-18
10
输入回波损耗与输出功率
（ CW ，V
D
= 28V ，我
DQ
= 88毫安）
freq=300MHz
freq=800MHz
freq=1100MHz
-3
-6
-9
-12
-15
-18
22
25
28
31
34
P
OUT
，输出功率（dBm ）
37
40
DS120418
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或customerservice@rfmd.com接触RFMD 。
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